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公开(公告)号：CN115057879A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210800937.1
申请日：2022-07-08
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F5/06
Abstract: 本发明提供一种粗品三甲基铝除氯提纯的方法，通过向氯含量10‑1000ppm的粗品三甲基铝中加入氢化铝锂或氢化锂，经加热回流24h后，通过精馏提纯得到高纯三甲基铝，氯含量在1ppm以下，工艺操作简单，且釜残为无机盐，易处理。
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公开(公告)号：CN114105148B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202111452067.5
申请日：2021-12-01
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/04
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子球磨对硅粉及催化剂粉体进行机械化破碎及局部熔爆、碎裂及表面活化，同时通入甲硅烷至球磨机腔室内发生反应连续合成高阶硅烷的方法，甲硅烷通入等离子球磨机腔室内的等离子区域后发生裂解并产生游离的自由基；当自由基与活化后的硅粉表面接触时，有利于促进高阶硅烷的生成。本发明实现了由低阶甲硅烷直接合成高阶硅烷的过程，且高阶硅烷一次收率较高，反应过程简单可连续进行，不涉及过多的化学介质，无副产物排放，且产物易于分离提纯。
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公开(公告)号：CN116693576A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310689292.3
申请日：2023-06-12
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F9/90
Abstract: 本发明涉及三乙基锑加工技术领域，尤其涉及一种制备三乙基锑的方法，包括以下步骤：在惰性气体的保护下向反应瓶中加入原料三氯化锑和乙醚溶剂，搭常压回流装置，开启搅拌；将乙基锂的乙醚溶液滴加到反应瓶中，滴加完毕后，保持70~80℃搅拌反应3~6h；搅拌回流结束后先常压蒸馏将溶剂乙醚蒸出，得到三乙基锑初产品；改搭减压蒸馏装置，通过减压蒸馏得到三乙基锑粗品；所得三乙基锑粗品经过两次减压精馏，得到高纯三乙基锑，经核磁、ICP检测纯度达到6N。用乙基锂和三氯化锑在惰性气体保护下反应生成三乙基锑，该制备方法安全高效，操作简单，原料易得，无副产物，产率高且得到的产品纯度较高。
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公开(公告)号：CN113912066A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111056533.8
申请日：2021-09-09
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明提供一种制备氯代硅烷的方法，向等离子体反应器内注入硅烷气体和氯化氢气体，两者体积比为1:1‑1:4，在反应压力为0.1‑6kpa、反应温度为60‑350℃、反应停留时间在0.1‑30s的条件下进行反应最终得到SIH3Cl、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4；等离子体反应器的等离子体发生器功率为0.01‑5W/cm3，等离子体发生器功率0.5‑150MHZ。本发明不需要催化剂的参与，避免了由于催化剂的老化带来的制备效果的下降以及频繁的更换催化剂。本发明相比与合成法制备，选择等离子体放电制备氯代硅烷对单氯硅烷的选择性更高。
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公开(公告)号：CN115406952A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210981713.5
申请日：2022-08-16
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: G01N27/626
Abstract: 本发明提供一种测定乙硅烷中杂质元素的系统及方法，包括有乙硅烷钢瓶和电感耦合等离子体质谱仪，所述电感耦合等离子体质谱仪的通过气体管路连接雾化装置，气体管路上连接着乙硅烷钢瓶、氩气钢瓶；雾化装置通过蠕动泵连接有吸收液储罐，吸收液储罐的吸收液通过蠕动泵抽入雾化装置内雾化；乙硅烷钢瓶、氩气钢瓶均通过气体质量流量控制器进入到雾化装置内雾化。通过使用蠕动泵带动吸收液进入到雾化器中，蠕动泵可实现稳定的进液到雾化室内，氩气和乙硅烷通过气体质量流量控制器可稳定的进入到雾化内，这样实现对三者的雾化，实现杂质元素的吸收，吸收效率高，干扰小，再通过电感耦合等离子体质谱仪对雾化吸收液测试可以很好的测定杂质含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114105148A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111452067.5
申请日：2021-12-01
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C01B33/04
Abstract: 本发明公开了一种利用等离子球磨对硅粉及催化剂粉体进行机械化破碎及局部熔爆、碎裂及表面活化，同时通入甲硅烷至球磨机腔室内发生反应连续合成高阶硅烷的方法，甲硅烷通入等离子球磨机腔室内的等离子区域后发生裂解并产生游离的自由基；当自由基与活化后的硅粉表面接触时，有利于促进高阶硅烷的生成。本发明实现了由低阶甲硅烷直接合成高阶硅烷的过程，且高阶硅烷一次收率较高，反应过程简单可连续进行，不涉及过多的化学介质，无副产物排放，且产物易于分离提纯。
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公开(公告)号：CN116621879A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310613270.9
申请日：2023-05-29
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F9/90
Abstract: 本发明涉及三乙基锑加工技术领域，具体涉及一种三乙基锑的合成方法，包括以下步骤：合成：在高纯氩气保护下，向反应瓶中加入锑粉、雕白粉、碱性溶液以及相转移催化剂，将混合溶液搅拌充分，升温至60‑80℃，滴加碘乙烷后搅拌反应2‑4h；蒸馏：升温至90‑100℃，将三乙基锑随水蒸气馏出到接收瓶中，得到蒸馏液；分液：通过分液漏斗将蒸馏液分液，下层液体三乙基锑粗品分液到置换空气后的玻璃瓶中，上层为水相；过滤：通过分子筛除水过滤得到三乙基锑粗品；纯化：将三乙基锑粗品精馏得到三乙基锑成品。工艺简单，设备简单，易于操作，反应后的釜残液可直接处理，大大降低了后续处理及存放过程中的安全风险，产率高，纯度高，适用于工业化大量生产。
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公开(公告)号：CN118932313A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411078858.X
申请日：2024-08-07
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C30B25/14
Abstract: 本发明涉及MO源供应技术领域，具体涉及一种MO源持续供应装置，包括MO源储罐以及MO源钢瓶，所述MO源储罐所处的温度为第一温度，所述MO源钢瓶放置在水浴槽内，且MO源钢瓶所处的温度为第二温度，且第一温度低于或等于第二温度。本发明通过设置大罐的温度低于或等于小罐的温度，使得在向MOCVD设备提供MO源时，经大罐后载气携带的MO源量小于经小罐后载气携带的MO源量，这样在保证优先消耗大罐的同时，小罐作为补偿源也在同步消耗MO源，保证了两个储罐内MO源液位同步下降，避免储罐液位上升带来可能的液态MO源直接通过管道压出并进入MOCVD系统内，会造成设备终端安全事故发生。
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公开(公告)号：CN216410744U
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202122174284.4
申请日：2021-09-09
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种乙硅烷中金属离子取样装置，其技术方案要点是：包括取样瓶，所述取样瓶的右侧设置有第一过滤瓶，所述第一过滤瓶的右侧设置有第二过滤瓶，所述第二过滤瓶的右侧设置有燃烧塔，所述燃烧塔的右侧设置有第三过滤瓶；四个密封盖，四个所述密封盖分别连接在所述取样瓶、所述第一过滤瓶、所述第二过滤瓶和所述第三过滤瓶的内部，所述密封盖的顶端开设有进气孔，所述密封盖的顶端开设有出气孔，通过设置质量流量计，由于质量流量计连接在检测管的一端，从而使进入检测管内部的乙硅烷样品可以通过质量流量计进行计量，从而便于工作人员后期控制乙硅烷样品流量，便于后期对乙硅烷样品进行取样，减少了取样等待时间。
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公开(公告)号：CN217180735U
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202122119493.9
申请日：2021-09-03
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种氨中微量乙硅烷检测装置，其技术方案要点是：包括检测盘，所述检测盘的顶面开始设有六个进样孔，所述进样孔的内部固定套接有吹扫阀；定量管，所述定量管设置在所述检测盘的顶面，所述定量管的一端与第四接口内的所述吹扫阀活动套接在一起，所述定量管的另一端与第六接口内的所述吹扫阀活动套接在一起；进样管，所述进样管活动套接在第五接口内所述吹扫阀的内部；使用时可通过向载气管的内部注入氨气，通过转动旋转块，使定量管内部的气体与氨气置换，再通过将转动旋转块，使定量管内部的气体通过色谱柱，实现进行分离乙硅烷、丙硅烷杂质，再通过氦离子化检测器，达到检测分析的效果。
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