公开(公告)号：CN119504390A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411427211.3

申请日：2024-10-14

Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 ,  全椒亚格泰电子新材料科技有限公司

Inventor： 王宏波 ,  宣宗亮 ,  慈国庆 ,  邓骏

IPC: C07C45/77 ,  C07C49/92 ,  B01D29/085 ,  B01D37/00

Abstract: 本发明公开了一种高纯钴配合物前驱体的合成方法，通过尿素与氯化胆碱反应制成深共熔溶剂，然后向体系内依次加入氯化钴、2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮、三乙胺、双氧水等原料进行反应，反应结束后，过滤，滤液回收再次利用，固体干燥升华得到目标产品，将深共熔溶剂代替传统的有机试剂，即大幅减少常规有机溶剂的使用量，更加绿色环保，又可以重复使用，降低生产成本；深共熔溶剂循环使用5次，而产品收率没有明显变化，整个工艺操作条件便利，一锅法得到目标产物；反应过程平和，能耗低，安全性高；原料来源广泛便宜，产物收率高，工艺稳定性好；整个反应体系中除了金属钴以外，未引入其他金属离子，产品金属纯度高。

公开(公告)号：CN119306771A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411420525.0

申请日：2024-10-12

Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 ,  全椒亚格泰电子新材料科技有限公司

Inventor： 宣宗亮 ,  王宏波 ,  周伟 ,  邓骏

IPC: C07F17/00

Abstract: 本发明公开了三(异丙基环戊二烯基)镧的合成方法，包括以下步骤：三氯化镧四氢呋喃配合物的制备；异丙基环戊二烯的合成；三(异丙基环戊二烯基)镧的合成。本技术方案通过先制备三氯化镧四氢呋喃配合物，再依次与二甲氨基锂、异丙基环戊二烯反应，得到目标产品。反应原料简单易得，操作方便，安全系数高，收率高，适合工业化放大生产。

公开(公告)号：CN119192251A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411607519.6

申请日：2024-11-12

Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 ,  全椒亚格泰电子新材料科技有限公司

Inventor： 宣宗亮 ,  王宏波 ,  闫文其 ,  江双双

IPC: C07F17/02

Abstract: 本发明公开了一种钌配合物前驱体的合成方法，包括以下步骤：氮气气氛下向5000毫升多口反应瓶中加入钌含量为37%三氯化钌水合物(112.8 g,0.41 mol)和1.6升乙醇，搅拌溶解；室温下向反应体系中滴加吡啶(163.3 g,2.06 mol),滴加完毕，加热至回流并反应3小时，体系变成红色，慢慢恢复至室温，过滤；滤液浓缩至体积的2/3后降温至0℃，滴加物质的量浓度为1摩尔每升的乙酰基环戊二烯基钠(820 mL,0.82 mol)的四氢呋喃溶液，滴加完毕，慢慢恢复至室温并继续反应10小时后，抽干溶剂，使用二氯甲烷萃取，过滤，滤液抽干，粗产物用乙醇打浆后过滤，乙醇洗涤，得到二乙酰基二茂钌中间体91.8 g,收率71%；硼烷二甲硫醚还原。本方案反应原料简单易得，操作方便，反应条件温和，成本低，安全系数高。

公开(公告)号：CN119119107A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411273848.1

申请日：2024-09-12

Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 ,  全椒亚格泰电子新材料科技有限公司

Inventor： 吴义斌 ,  宣宗亮 ,  王伟 ,  陶锋 ,  刘琪

IPC: C07F7/10 ,  C07F17/00 ,  C07C209/82 ,  C07C211/65

Abstract: 本发明公开了一种制备半导体级金属前驱体和硅基前驱体的纯化方法及装置，包括送料管以及起连通的导料管与增压管；增压管一端设有恒压组件，且恒压管与精馏塔连通，增压管底端设有自锁阀，且自锁阀与送料组件连通；本发明中，通过增压管一段固定连接的外接管所连接的增压设备将送料管以及增压管中的压力进行增压与精馏塔内的压力呈一致状态，当精馏塔与恒压管中压力等同时，位于送料管一端设置的控制阀被动开启，实现驱动组件将送料管中的原料在同等压力下送入精馏塔中，避免物料在缺压的状态下导致精馏塔内的压力失衡，降低精馏塔纯化的效率。

公开(公告)号：CN118932313A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411078858.X

申请日：2024-08-07

Applicant: 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司 ,  全椒亚格泰电子新材料科技有限公司

Inventor： 俞冬雷 ,  宣宗亮 ,  周伟 ,  刘涛

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明涉及MO源供应技术领域，具体涉及一种MO源持续供应装置，包括MO源储罐以及MO源钢瓶，所述MO源储罐所处的温度为第一温度，所述MO源钢瓶放置在水浴槽内，且MO源钢瓶所处的温度为第二温度，且第一温度低于或等于第二温度。本发明通过设置大罐的温度低于或等于小罐的温度，使得在向MOCVD设备提供MO源时，经大罐后载气携带的MO源量小于经小罐后载气携带的MO源量，这样在保证优先消耗大罐的同时，小罐作为补偿源也在同步消耗MO源，保证了两个储罐内MO源液位同步下降，避免储罐液位上升带来可能的液态MO源直接通过管道压出并进入MOCVD系统内，会造成设备终端安全事故发生。