公开(公告)号：CN1145194C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN99802141.5

申请日：1999-11-17

Applicant: 克拉瑞特金融(BVI)有限公司

Inventor： 康文兵 ,  松尾祥子 ,  木村健 ,  西胁良典 ,  田中初幸

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38

CPC classification number: G03F7/16 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/091

Abstract: 在据照相平版法(光刻)的集成电路元件的制备方法中，一个可降低在形成抗蚀图形过程中由于基片的性质或基片表面的酸度所导致的不利影响的方法，其中用一个化学增强性抗蚀剂作为光致抗蚀剂，以及一个用于该方法的基片处理剂组合物。该基片处理剂组合物包含一个含有由至少一个如伯、仲、叔胺和含氮的杂环化合物的碱性化合物与一个如磺酸或羧酸的有机酸所形成的盐的溶液，把该组合物涂敷在一个具有底部抗反射涂层，如SioN层的基片表面上，接着将其烘烤，如需要还可清洗之，然后在上述处理过的基片上涂敷化学增强性抗蚀剂，接着进行曝光和显影，由此在该基片上可形成一个光致抗蚀图形。

公开(公告)号：CN1152074C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN99801068.5

申请日：1999-06-23

Applicant: 克拉瑞特金融(BVI)有限公司

Inventor： 康文兵 ,  木村健 ,  松尾祥子 ,  西协良典 ,  田中初幸

IPC: C08G18/80 ,  C09D175/04 ,  G02B1/10 ,  G03F7/00

CPC classification number: C08G18/80 ,  C09D175/04 ,  G02B1/111 ,  G03F7/091 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/107 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/151

Abstract: 本发明公开了一种用于形成辐射吸收涂层的组合物，该组合物包含一种有机溶剂，一种辐射吸收聚合物或一种溶解于其中的辐射吸收材料及具有封端的异氰酸酯基团的交联剂。由于交联剂的异氰酸酯基团被封端，因此，包含该交联剂的组合物具有优异的稳定性。当将组合物涂敷于基底上并烘烤时，交联反应给出抗反射涂层，其不会与通过涂敷在其上形成的抗蚀剂层相互混合，因而不会发生来自抗蚀剂层的光产酸的扩散。结果，可形成无沉积或浮渣的抗蚀剂图像。

公开(公告)号：CN1111547C

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN99800304.2

申请日：1999-03-15

Applicant: 克拉瑞特金融(BVI)有限公司

Inventor： 康文兵 ,  西胁良典 ,  木村健 ,  松尾祥子 ,  田中初幸

IPC: C08F8/14 ,  C08F220/20 ,  C08F220/54 ,  C09D5/00 ,  G03F7/11

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08F8/14 ,  C08F8/30 ,  C09D5/32 ,  C08F220/00

Abstract: 本发明公开了一种高性能抗反射涂层，其可高度吸收给定光线，如远紫外线，在形成涂层后能够坚固地粘附于基质上，这种抗反射涂层具有满意的覆盖性能，并能消除驻波在生产集成电路中的影响；本发明还公开了用于形成抗反射涂层的新的光吸收聚合物；公开了聚合物的生产方法。聚合物之一是通过用具有羟基化的芳族发色团酯化含羧酸酸酐和/或二元羧酸基团如马来酸作为碱性重复单元生产的。仍然在酯化后的光吸收聚合物中的未反应的羧酸基团或酸酐基团可用胺化的芳族化合物进行胺化和/或亚酰胺化。这些聚合物中的每一个溶解于包含醇、芳族烃、酮、酯或其混合物的有机溶剂中，将所得溶液涂敷于基质上，然后进行烘烤以形成抗反射涂层。