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公开(公告)号：CN110473581A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810467466.0
申请日：2018-05-09
申请人： 光宝电子(广州)有限公司 , 光宝科技股份有限公司
摘要： 一种固态储存装置及其相关控制方法，固态储存装置连接至一主机，包括：一控制电路连接至该主机，该控制电路包括一错误校正码电路与一预测模型储存电路，其中该预测模型储存电路中储存一预测模型；以及一非挥发性记忆体，包括一记忆胞阵列，且该记忆胞阵列中包括多个区块，且每一该区块皆有对应的一状态参数；其中，该控制电路由该记忆胞阵列中决定一选定数据区块，并根据该选定数据区块的状态参数以及该预测模型，判断是否对该选定数据区块进行一特定操作。
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公开(公告)号：CN109378027A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710676223.3
申请日：2017-08-09
申请人： 光宝科技股份有限公司
CPC分类号： G11C11/40615 , G11C11/4091 , G11C16/14 , G11C16/32 , G11C16/3418 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G06F11/1068 , G11C29/42
摘要： 一种固态储存装置的控制方法，包括下列步骤：检查一记忆胞阵列中的一区块；判断该区块的数据放置时间是否超过一临限时间；以及于确认该区块的数据放置时间超过该临限时间时，标记该区块或者刷新该区块中的数据。
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公开(公告)号：CN107204204A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201610151191.0
申请日：2016-03-16
申请人： 光宝电子(广州)有限公司 , 光宝科技股份有限公司
IPC分类号： G11C16/22
摘要： 一种固态储存装置的断电期间估计方法。该固态储存装置具有一非挥发性记忆体，包括多个区块。该方法包括下列步骤：于该固态储存装置断电之前计算一第一区块的一第一品质参数，并于一第一时间计数值时，对该第一区块进行一校正动作，获得该第一区块的一第一读取电压组，并记录该第一时间计数值；于该固态储存装置接收电源之后，对该第一区块进行该校正动作，获得该第一区块的一第二读取电压组；以及根据该第一品质参数、该第一读取电压组、该第二读取电压组与该第一时间计数值，获得一断电期间。
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公开(公告)号：CN104616695A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310542369.0
申请日：2013-11-05
申请人： 光宝科技股份有限公司
CPC分类号： G11C16/34 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C16/349
摘要： 本发明公开了一种固态存储装置及其读取电压设定方法，所述读取电压设定方法包括下列步骤：调整存储单元的预设读取电压以获得多个检测读取电压。分别地施予预设读取电压以及这些检测读取电压至存储单元，以读取分别关联于预设读取电压以及这些检测读取电压的多个验证数据。根据关联于预设读取电压以及这些检测读取电压的验证数据，计算并记录相互相邻的预设读取电压以及这些检测读取电压之间的多个统计参量。根据这些统计参量来获取优化读取电压。
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公开(公告)号：CN110473584A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810448281.5
申请日：2018-05-11
申请人： 光宝电子(广州)有限公司 , 光宝科技股份有限公司
IPC分类号： G11C29/04
摘要： 本发明公开了一种固态储存装置中已抹除区块的再验证方法，包括下列步骤：针对一选定区块发出一抹除指令至该阵列控制电路；于收到一抹除完成信息后，判断该区块是否符合一设定条件；当该选定区块符合该设定条件时，将该选定区块记录为一好的区块；以及当该选定区块未符合该设定条件时，进行一选定区块再确认程序；其中，于该选定区块再确认程序中，读取该选定区块中的数据，并根据非抹除状态的记忆胞数目来将该选定区块记录为该好的区块或者一缺陷区块。
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公开(公告)号：CN108363544A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201710061595.5
申请日：2017-01-26
申请人： 光宝电子(广州)有限公司 , 光宝科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种固态储存装置及其读取重试方法，该固态储存装置包括：一非挥发性记忆体，包括一第一区块；以及一控制器，连接至该非挥发性记忆体，该控制器包括一快取表与一重试表，其中该重试表中记录多个预设重试读取电压组；其中，该控制器进行一读取重试流程，若该快取表未记录该第一区块的信息时，该控制器根据记录于该重试表中该些预设重试读取电压组提供至该非挥发性记忆体；其中，当该控制器提供该些预设重试读取电压组中的一第一预设重试读取电压组至该非挥发性记忆体而解码成功时，该控制器将该第一预设重试读取电压组记录于该快取表。
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公开(公告)号：CN104240761B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201310229698.X
申请日：2013-06-08
申请人： 光宝科技股份有限公司
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/06 , G11C11/5642 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C16/349 , G11C29/021 , G11C29/028
摘要： 本发明关于一种固态储存装置中储存状态的分布曲线估计方法，包括下列步骤：提供多个临限电压，以形成多个临限电压区间；计算位于每一临限电压区间中的存储单元数目；在该些临限电压区间中决定一位置参数区间；计算每一临限电压区间的比率值以建立一分布曲线表；于该位置参数区间决定m个候选位置参数；决定n个候选尺度参数；决定m×n个候选高斯分布曲线；以及，由m×n个候选高斯分布曲线中决定一第一高斯分布曲线并定义为该第一储存状态的分布曲线。
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公开(公告)号：CN110246533A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201810193995.6
申请日：2018-03-09
申请人： 光宝电子(广州)有限公司 , 光宝科技股份有限公司
IPC分类号： G11C16/34
摘要： 一种固态储存装置的失败模式检测方法及错误更正方法，固态储存装置的失败模式检测方法包括下列步骤：将一第一预设读取电压改变一第一增量后成为一第一重试读取电压，且将一第二预设读取电压改变一第二增量后成为一第二重试读取电压，其中利用该第一重试读取电压及该第二重试读取电压对该固态储存装置的一记忆胞阵列进行读取动作时，可以产生正确的读取数据；当该第一增量的大小减去该第二增量的大小后的一结果大于一预定电压值时，判断该固态储存装置中的该记忆胞阵列发生一数据保存失败模式；以及当该第一增量的大小减去该第二增量的大小后的该结果不大于该预定电压值时，判断该固态储存装置中的该记忆胞阵列发生一低温写高温读失败模式。
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公开(公告)号：CN105989898A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510070780.1
申请日：2015-02-11
申请人： 光宝科技股份有限公司
IPC分类号： G11C29/12
CPC分类号： G11C16/08 , G11C29/785 , G11C2029/4402
摘要： 一种存储器阵列中故障地址的数据结构及故障地址的编码方法。该存储器阵列中的故障地址的编码方法，该存储器阵列中一个页的容量以2m位为一个区段被区分为多个区段，该故障地址的编码方法包括：获得这些区段中的一第一区段内的N1个失效位的位置；产生(N1+1)位的一第一区段起始码；以及产生N1个m位的故障码接续于该第一区段起始码之后，用以指示该第一区段中N1个失效位的位置；其中，N1为大于或等于零的整数，且m为大于0的整数。
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公开(公告)号：CN104240761A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310229698.X
申请日：2013-06-08
申请人： 光宝科技股份有限公司
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/06 , G11C11/5642 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C16/349 , G11C29/021 , G11C29/028
摘要： 本发明关于一种固态储存装置中储存状态的分布曲线估计方法，包括下列步骤：提供多个临限电压，以形成多个临限电压区间；计算位于每一临限电压区间中的存储单元数目；在该些临限电压区间中决定一位置参数区间；计算每一临限电压区间的比率值以建立一分布曲线表；于该位置参数区间决定m个候选位置参数；决定n个候选尺度参数；决定m×n个候选高斯分布曲线；以及，由m×n个候选高斯分布曲线中决定一第一高斯分布曲线并定义为该第一储存状态的分布曲线。
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