公开(公告)号：CN103748972B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201280040741.1

申请日：2012-06-21

Applicant: 先进能源工业公司

Inventor： D·J·霍夫曼 ,  D·卡特 ,  K·彼得森 ,  R·格里利

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/24 ,  H05H1/02 ,  C23C16/52 ,  B01J19/08

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32862

Abstract: 本公开描述了用于经由远程等离子体源产生电离电磁场的系统、方法和装置，使得该场可控地穿过其中该场被衰减的场投射部分延伸到等离子体处理部分，其中该场被衰减，但仍然强到足以维持等离子体。等离子体具有低电压和RF能量，并可用于各种半导体和薄膜处理操作，该操作包括经由基团产生进行的室清洁、蚀刻和沉积。

公开(公告)号：CN103748972A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201280040741.1

申请日：2012-06-21

Applicant: 先进能源工业公司

Inventor： D·J·霍夫曼 ,  D·卡特 ,  K·彼得森 ,  R·格里利

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/24 ,  H05H1/02 ,  C23C16/52 ,  B01J19/08

CPC classification number: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32862

Abstract: 本公开描述了用于经由远程等离子体源产生电离电磁场的系统、方法和装置，使得该场可控地穿过其中该场被衰减的场投射部分延伸到等离子体处理部分，其中该场被衰减，但仍然强到足以维持等离子体。等离子体具有低电压和RF能量，并可用于各种半导体和薄膜处理操作，该操作包括经由基团产生进行的室清洁、蚀刻和沉积。