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公开(公告)号：CN103370451A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201280007837.8
申请日：2012-01-05
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/10 , C30B15/00 , C30B15/30 , C30B29/06 , Y10T117/1072
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其是利用CZ法的单晶制造装置，其具备：坩埚，该坩埚用以保持原料熔液；可升降的支架，该可升降的支架支持该坩埚；坩埚旋转轴，该坩埚旋转轴经由该支架使前述坩埚旋转；及，漏液盛接容器，该漏液盛接容器配置于前述坩埚的下方，并以围绕前述支架的方式设置有中心套筒，其特征在于，在前述支架的外周部上设置有2个以上的槽，以抑制从前述坩埚中泄漏出来的前述原料熔液滴落。由此，本发明提供一种单晶制造装置及单晶制造方法，即使在因意外事故等导致坩埚内的原料熔液流出至坩埚外，并沿着支架流下来的情况下，仍然可以确实地防止熔液到达支架下方的金属部，并将装置损坏和事故发生防患于未然。
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公开(公告)号：CN102007234A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113403.4
申请日：2009-03-24
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
Abstract: 本发明关于一种单晶硅的成长方法及提拉装置，该单晶硅的成长方法根据切克劳斯基法，将单晶从已在石英坩埚内熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成长，其特征在于：以上述石英坩埚的外壁侧为正极，并以电极侧为负极的方式，施加直流电压，一边使电流从上述电极流过一边根据上述提拉轴来使单晶硅成长；并且，该电极是与用以提拉上述单晶的提拉轴分开设置，且被浸渍于上述硅原料的熔融液中。由此，在单晶硅的成长过程中，通过使适当的结晶化层即失透发生在石英坩埚的内壁表面，同时防止锂等的碱金属混入单晶硅中，能提高单晶产率与生产性，并且在切片成芯片后的热氧化处理中，能抑制氧化膜的异常成长。
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公开(公告)号：CN103370451B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201280007837.8
申请日：2012-01-05
Applicant: 信越半导体股份有限公司
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/10 , C30B15/00 , C30B15/30 , C30B29/06 , Y10T117/1072
Abstract: 本发明是一种单晶制造装置，其是利用CZ法的单晶制造装置，其具备：坩埚，该坩埚用以保持原料熔液；可升降的支架，该可升降的支架支持该坩埚；坩埚旋转轴，该坩埚旋转轴经由该支架使前述坩埚旋转；及，漏液盛接容器，该漏液盛接容器配置于前述坩埚的下方，并以围绕前述支架的方式设置有中心套筒，其特征在于，在前述支架的外周部上设置有2个以上的槽，以抑制从前述坩埚中泄漏出来的前述原料熔液滴落。由此，本发明提供一种单晶制造装置及单晶制造方法，即使在因意外事故等导致坩埚内的原料熔液流出至坩埚外，并沿着支架流下来的情况下，仍然可以确实地防止熔液到达支架下方的金属部，并将装置损坏和事故发生防患于未然。
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公开(公告)号：CN102007234B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200980113403.4
申请日：2009-03-24
Applicant: 信越半导体股份有限公司
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
Abstract: 本发明关于一种单晶硅的成长方法及提拉装置，该单晶硅的成长方法根据切克劳斯基法，将单晶从已在石英坩埚内熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成长，其特征在于：以上述石英坩埚的外壁侧为正极，并以电极侧为负极的方式，施加直流电压，一边使电流从上述电极流过一边根据上述提拉轴来使单晶硅成长；并且，该电极是与用以提拉上述单晶的提拉轴分开设置，且被浸渍于上述硅原料的熔融液中。由此，在单晶硅的成长过程中，通过使适当的结晶化层即失透发生在石英坩埚的内壁表面，同时防止锂等的碱金属混入单晶硅中，能提高单晶产率与生产性，并且在切片成芯片后的热氧化处理中，能抑制氧化膜的异常成长。
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