公开(公告)号：CN108701603A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012827.6

申请日：2017-02-22

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 更级晋 ,  高野智史

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67057

摘要： 本发明涉及一种半导体晶圆的洗净方法，使用含有SC‑2溶液的药液槽而洗净半导体晶圆，该洗净方法使用多个该药液槽，且在该多个药液槽所含有的SC‑2溶液之中，最后使用的药液槽所含有的SC‑2溶液中的HCl浓度为最低，而洗净该半导体晶圆。由此提供能于SC‑2洗净半导体晶圆时，不使半导体晶圆表面的金属杂质等级恶化，能提升微粒等级的半导体晶圆的洗净方法。

公开(公告)号：CN106663623B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201580044315.9

申请日：2015-08-19

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 宫泽佑毅 ,  木田隆广 ,  高野智史

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B9/00 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/26 ,  H01L27/12

摘要： 本发明为一种半导体晶圆的加工方法，对具有表面及背面且于周缘端部具有由表面侧、背面侧的倒角面及边缘面所构成的倒角部的半导体晶圆的与表面侧、背面侧的倒角面、边缘面及表面或背面的倒角面为相邻的最外周部的各部位进行镜面研磨，其中于表面侧倒角面镜面研磨的步骤及背侧面倒角面镜面研磨的步骤后，于同一步骤中进行边缘面及表面或背面的最外周部的镜面研磨，借由以同一步骤进行边缘面及最外周部的镜面研磨，调整表面或背面的最外周部的边缘下降量。借此不使半导体晶圆的内侧形状比最外周部更崩坏，能有良好精确度地于最外周部形成期望的凹陷形状，且不使加工后半导体晶圆的边缘面形状锐利化。

公开(公告)号：CN106663623A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580044315.9

申请日：2015-08-19

申请人： 信越半导体株式会社

发明人： 宫泽佑毅 ,  木田隆广 ,  高野智史

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B9/00 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02024 ,  B24B9/065 ,  B24B49/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/26 ,  H01L27/12

摘要： 本发明为一种半导体晶圆的加工方法，对具有表面及背面且于周缘端部具有由表面侧、背面侧的倒角面及边缘面所构成的倒角部的半导体晶圆的与表面侧、背面侧的倒角面、边缘面及表面或背面的倒角面为相邻的最外周部的各部位进行镜面研磨，其中于表面侧倒角面镜面研磨的步骤及背侧面倒角面镜面研磨的步骤后，于同一步骤中进行边缘面及表面或背面的最外周部的镜面研磨，借由以同一步骤进行边缘面及最外周部的镜面研磨，调整表面或背面的最外周部的边缘下降量。借此不使半导体晶圆的内侧形状比最外周部更崩坏，能有良好精确度地于最外周部形成期望的凹陷形状，且不使加工后半导体晶圆的边缘面形状锐利化。