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发明公开
硅外延晶片的制造方法无效

公开(公告)号：CN104106126A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201380007643.2

申请日：2013-01-21

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田知佐 , 樫野久寿

IPC: H01L21/205 , C30B25/20 , C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02576 , C30B25/20 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种硅外延晶片的制造方法，该硅外延晶片的制造方法是在通过掺杂砷而使电阻率为1.0～1.7mΩcm，并进一步掺杂碳、或氮、或碳和氮而制造的N型单晶硅晶片上形成硅外延层。由此，提供一种在掺杂有砷的超低电阻单晶硅晶片上进行外延生长时，能够抑制堆垛层错的产生的硅外延晶片的制造方法。

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