-
公开(公告)号：CN111033708B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201880053331.8
申请日：2018-07-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 木村明浩
Abstract: 本发明为一种碳浓度测定方法，其特征在于，按照FZ单晶的原料种类，制作并准备表示通过PL法测得的测定值与碳浓度的关系的标准曲线，选择与测定用半导体试样的原料为相同种类的原料的标准曲线，使用该选择的标准曲线，由所述测定用半导体试样的通过PL法测得的测定值求出碳浓度。由此，提供一种在基于光致发光(PL)法的半导体试样的碳浓度的测定中，即使原料的种类不同，也能够正确地测定碳浓度的碳浓度测定方法，所述半导体试样由通过浮区(FZ)法制备的硅单晶(FZ单晶)形成。
-
公开(公告)号：CN111033708A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880053331.8
申请日：2018-07-30
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 木村明浩
Abstract: 本发明为一种碳浓度测定方法，其特征在于，按照FZ单晶的原料种类，制作并准备表示通过PL法测得的测定值与碳浓度的关系的标准曲线，选择与测定用半导体试样的原料为相同种类的原料的标准曲线，使用该选择的标准曲线，由所述测定用半导体试样的通过PL法测得的测定值求出碳浓度。由此，提供一种在基于光致发光(PL)法的半导体试样的碳浓度的测定中，即使原料的种类不同，也能够正确地测定碳浓度的碳浓度测定方法，所述半导体试样由通过浮区(FZ)法制备的硅单晶(FZ单晶)形成。
-
公开(公告)号：CN111868902B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201980018026.X
申请日：2019-02-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种氧浓度评价方法，其通过PL法或CL法评价单晶硅中的氧浓度，该方法中，对单晶硅照射规定照射量的电子束或除碳和氧以外的离子束，于规定温度下测量C线的强度与G线的强度，求出该C线与该G线的强度比(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)，将强度比(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)及单晶硅中的碳浓度[Cs]代入下列的算式而评价氧浓度[Oi]：[Oi]＝α·(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)·[Cs]，其中，α为比例常数。由此提供以高灵敏度评价单晶硅中的氧浓度的方法。
-
公开(公告)号：CN111868902A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980018026.X
申请日：2019-02-08
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种氧浓度评价方法，其通过PL法或CL法评价单晶硅中的氧浓度，该方法中，对单晶硅照射规定照射量的电子束或除碳和氧以外的离子束，于规定温度下测量C线的强度与G线的强度，求出该C线与该G线的强度比(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)，将强度比(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)及单晶硅中的碳浓度[Cs]代入下列的算式而评价氧浓度[Oi]：[Oi]＝α·(Ci‑Oi强度/Ci‑Cs强度)·[Cs]，其中，α为比例常数。由此提供以高灵敏度评价单晶硅中的氧浓度的方法。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.017 seconds)
