对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法

    公开(公告)号:CN113005418B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202011483446.6

    申请日:2020-12-16

    Abstract: 本发明提供提高对准精度的对准装置和方法、成膜装置和方法及电子器件的制造方法。对准装置具备:第1照相机,拍摄形成于基板的对准标记和形成于掩模的对准标记;第2照相机,具有与第1照相机不同的分辨率,拍摄对准标记;反射光取得用的第1光源,向对准标记照射光;透射光取得用的第2光源,向对准标记照射光;以及位置调整机构,基于由第1照相机或第2照相机拍摄由第1光源或第2光源照射了光的对准标记而得到的图像,调整基板与掩模的相对位置。使向对准标记照射光的光源在利用第1照相机取得对准标记的图像的情况下和利用第2照相机取得对准标记的图像的情况下不同。

    溅射装置及其控制方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109868455B

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN201811070888.0

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 本发明提供能够将用于使靶旋转的驱动源的动力也利用于其它的用途的溅射装置及其控制方法。溅射装置是磁控管溅射方式的溅射装置,具备:马达(500);通过马达(500)而旋转的旋转轴(510);通过由第1驱动机构传递旋转轴(510)的旋转动力而旋转的靶(110);以及设于靶(110)的内部的磁铁,该溅射装置在靶(110)与基于靶(110)的构成原子形成薄膜的基板之间形成由上述磁铁产生的磁场的状态下进行溅射,其特征在于,该溅射装置设有与第1驱动机构不同的、传递旋转轴(510)的旋转动力的第2驱动机构。

    溅射装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109778127B

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN201811070874.9

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 提供一种抑制冷却液附着于磁铁的溅射装置,在靶(100A)和形成由靶100A的构成原子形成的薄膜的基板(50)之间形成磁场的状态下进行溅射的磁控溅射方式的溅射装置(1),其特征在于,具有:圆筒状的靶(100A),设置于与基板(50)相对的位置,且在溅射时旋转;冷却液流路,流过冷却靶(100A)的冷却液;以及设置于靶(100A)内的密闭容器,形成所述磁场的磁铁(151)配置于密闭容器(100C)内,从而与所述冷却液流路隔离。

    溅射成膜装置和溅射成膜方法

    公开(公告)号:CN109972102A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201811070855.6

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 本发明提供溅射成膜装置和溅射成膜方法,能够不用分开不同腔室地成膜2层结构的层叠膜,且能够提高生产效率。为了防止来自各靶的靶粒子的飞散区域重叠,一对靶单元在与上述被处理基板的相对移动方向上隔着规定间隔并列地配置,一对靶单元成为一体而同时移动,在利用位于相对移动方向的先头侧的靶单元形成在上述被处理基板上的第1层的膜上,利用位于后方的靶单元层叠第2层的膜。

    基板支架及成膜装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109957765A

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201811362770.5

    申请日:2018-11-16

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制基板的破损发生地保持基板的基板支架。基板支架(30)使基板(2)的被处理区域(21a)露出地保持基板(2),其特征在于,具备:夹持部(310、320),所述夹持部(310、320)与基板(2)的角部(24)不接触地夹持基板(2)的两面(21、22);及触抵部(30),所述触抵部(30)与基板(2)的角部不接触地触抵于基板(2)的端面(23)。

    溅射装置及其使用方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109943817B

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN201811070875.3

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 提供一种能够提高冷却液的排出性的溅射装置及其使用方法,其特征在于,具有:环状的第一冷却液流路(R1),形成于靶(110)和磁铁单元(130)之间,流过冷却靶(110)的冷却液;第二冷却液流路(R2),设置于磁铁单元(130)的内部,流过所述冷却液;以及排液装置(P2),从第一冷却液流路(R1)朝向第二冷却液流路(R2)送入使所述冷却液排出的气体,并且第一冷却液流路(R1)和第二冷却液流路(R2)的连接部位(RJ)构成为能够配置于环状的第一冷却液流路(R1)中的偏铅垂方向下方的位置。

    基板处理装置以及成膜装置

    公开(公告)号:CN109755154A

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201811273183.9

    申请日:2018-10-30

    Abstract: 本发明提供基板处理装置以及成膜装置,在使用了反溅射原理的基板表面处理中,能够对被处理面整个区域进行均匀的处理。该基板处理装置(14)具备:配置有基板(2)并且被导入放电气体的腔室(41);在腔室内保持基板的基板保持架(42);在腔室内支承基板保持架的基板保持架支承部(43);以及将基板保持架作为阴极,且至少将腔室以及基板保持架支承部作为阳极,对基板施加电压的电压施加部件(44),通过向基板的表面照射离子或电子,进行基板的表面处理,所述离子或电子通过由电压施加部件的电压施加产生的放电而在腔室内产生,其中,基板保持架和基板保持架支承部经由相对于基板保持架以及基板保持架支承部电绝缘的浮动部(50)连结。

    基板加热装置及成膜装置

    公开(公告)号:CN109979848A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201811070886.1

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 本发明涉及基板加热装置及成膜装置。基板加热装置(120)具备:加热室(12),所述加热室(12)具有用于取出或放入基板的出入口(110、130);可动底板(122),所述可动底板(122)能够在加热室(12)的内部移动,并能够移动到能够从出入口(110、130)相对于加热室(12)取出或放入基板的第一位置和所载置的基板(2)的延伸方向从出入口(110、130)偏离的第二位置;加热器(121),所述加热器(121)以与载置于可动底板(122)的基板(2)的面相向的方式设置于可动底板(122);及反射器(123a、123b),所述反射器(123a、123b)相向配置在加热室(12)的内部,并且在可动底板(122)位于第二位置时与载置于可动底板(122)的基板(2)的端部分别相向。

    基板处理装置及其控制方法、成膜装置、电子零件的制造方法

    公开(公告)号:CN109957752A

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201811529181.1

    申请日:2018-12-14

    Abstract: 本发明提供基板处理装置及其控制方法、成膜装置、电子零件的制造方法,能够高效地进行相对于基板的面的表面处理。基板处理装置具有:支承部件,支承基板;第1离子源和第2离子源,以两者之间夹着所述基板的位置关系配置;以及控制部件,进行以下的控制:一边使由所述支承部件支承的一张基板或由所述支承部件以各自的处理面的相反面彼此相向的方式支承的两张基板与所述第1离子源以及第2离子源在沿着基板的面的第1方向上相对地移动,一边相对于所述一张基板的两侧的处理面或所述两张基板的各自的所述处理面,从所述第1离子源以及第2离子源照射离子束。

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