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公开(公告)号：CN113471393B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110347231.X
申请日：2021-03-31
Applicant: 佳能特机株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置、成膜方法、及电子器件的制造方法。在多个群集型单元连结的结构的成膜装置中，提供一种用于实现高精度的膜厚控制和高生产性的技术。成膜装置具备：具有对基板成膜出第一层的第一成膜室的群集型的第一单元；具有与第一层重叠地成膜出第二层的第二成膜室的群集型的第二单元；配设在第一单元与第二单元之间并将相邻的群集型的单元连结的连结室；至少一部分设置于连结室包含的通路室内，测定在通路室收容的基板上成膜的膜的膜厚的膜厚测定部；以及基于通过膜厚测定部测定的膜厚，控制第一成膜室的成膜条件及第二成膜室的成膜条件中的至少一方的控制部。
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公开(公告)号：CN110473758B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201811362771.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 佳能特机株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置以及电子零件的制造方法，在一个腔室内具有多个处理区域的基板处理装置中，用于抑制处理区域间的气氛气体的混合。基板处理装置具有如下构造的腔室，即，该腔室设有对基板进行第一处理的第一区域和对所述基板进行第二处理的第二区域，且所述第一区域与所述第二区域之间在空间上开放，其中，所述腔室具有：第一导入口，向所述第一区域导入在所述第一处理中使用的第一气体；第二导入口，向所述第二区域导入在所述第二处理中使用的第二气体；以及排气口，设置在所述第一区域与所述第二区域的交界部或该交界部的附近。
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公开(公告)号：CN109778127B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201811070874.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 佳能特机株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 提供一种抑制冷却液附着于磁铁的溅射装置，在靶(100A)和形成由靶100A的构成原子形成的薄膜的基板(50)之间形成磁场的状态下进行溅射的磁控溅射方式的溅射装置(1)，其特征在于，具有：圆筒状的靶(100A)，设置于与基板(50)相对的位置，且在溅射时旋转；冷却液流路，流过冷却靶(100A)的冷却液；以及设置于靶(100A)内的密闭容器，形成所述磁场的磁铁(151)配置于密闭容器(100C)内，从而与所述冷却液流路隔离。
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公开(公告)号：CN109811320B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201811070887.6
申请日：2018-09-14
Applicant: 佳能特机株式会社
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明涉及一种溅射装置，提供能够实现成膜精度的提高的技术，并能够实现成膜精度的提高并实现靶材料的浪费少的消耗的技术。在与圆筒形的靶(40A)的中心轴线正交的截面中，从靶(40A)的中心点开始以通过第一磁铁(401A)与第二磁铁(402A)之间的方式沿靶(40A)的径向延伸的假想直线中的、通过靶(40A)的表面中的该表面的法线方向上的磁通密度分量为0的第一点(Z1)的第一假想直线(L1)与基板(10)的被处理面(11)垂直地相交，假想直线中的通过靶(40A)的表面中的与第一点(Z1)不同且磁通密度分量为0的第二点(Z2)的第二假想直线(L2)与基板(10)不相交。
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公开(公告)号：CN110872693A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910697733.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 佳能特机株式会社
Abstract: 本发明提供成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。在靶上的产生溅射粒子的溅射区域相对于腔室移动的情况下，准确地取得溅射区域周边的压力。成膜装置(1)具有内部配置成膜对象物(6)及靶(2)的腔室(10)，一边使从上述靶(2)产生溅射粒子的溅射区域(A1)在腔室(10)内移动，一边使溅射粒子堆积在成膜对象物(6)上进行成膜，其特征在于，该成膜装置(1)具有：配置在腔室(10)内，取得上述腔室(10)内的压力的压力传感器(7)；以及使压力传感器(7)与溅射区域(A1)的移动一起移动的移动部件(12)。
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公开(公告)号：CN109957765A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811362770.5
申请日：2018-11-16
Applicant: 佳能特机株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够抑制基板的破损发生地保持基板的基板支架。基板支架(30)使基板(2)的被处理区域(21a)露出地保持基板(2)，其特征在于，具备：夹持部(310、320)，所述夹持部(310、320)与基板(2)的角部(24)不接触地夹持基板(2)的两面(21、22)；及触抵部(30)，所述触抵部(30)与基板(2)的角部不接触地触抵于基板(2)的端面(23)。
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公开(公告)号：CN119137307A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380036312.5
申请日：2023-02-07
Applicant: 佳能特机株式会社
Abstract: 使用如下的成膜装置，所述成膜装置具有：对准部件，所述对准部件使用设置于基板的基板标记和设置于掩模的掩模标记进行基板与掩模的对位；密接部件，所述密接部件使对位后的基板与掩模密接；以及成膜部件，所述成膜部件经由与基板密接后的掩模在基板上进行成膜，其中，所述成膜装置具有拍摄部件，所述拍摄部件在开始基于成膜部件的成膜之后，对基板标记及掩模标记中的至少一方进行拍摄。
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公开(公告)号：CN109868455B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201811070888.0
申请日：2018-09-14
Applicant: 佳能特机株式会社
Abstract: 本发明提供能够将用于使靶旋转的驱动源的动力也利用于其它的用途的溅射装置及其控制方法。溅射装置是磁控管溅射方式的溅射装置，具备：马达(500)；通过马达(500)而旋转的旋转轴(510)；通过由第1驱动机构传递旋转轴(510)的旋转动力而旋转的靶(110)；以及设于靶(110)的内部的磁铁，该溅射装置在靶(110)与基于靶(110)的构成原子形成薄膜的基板之间形成由上述磁铁产生的磁场的状态下进行溅射，其特征在于，该溅射装置设有与第1驱动机构不同的、传递旋转轴(510)的旋转动力的第2驱动机构。
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公开(公告)号：CN110473758A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201811362771.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 佳能特机株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置以及电子零件的制造方法，在一个腔室内具有多个处理区域的基板处理装置中，用于抑制处理区域间的气氛气体的混合。基板处理装置具有如下构造的腔室，即，该腔室设有对基板进行第一处理的第一区域和对所述基板进行第二处理的第二区域，且所述第一区域与所述第二区域之间在空间上开放，其中，所述腔室具有：第一导入口，向所述第一区域导入在所述第一处理中使用的第一气体；第二导入口，向所述第二区域导入在所述第二处理中使用的第二气体；以及排气口，设置在所述第一区域与所述第二区域的交界部或该交界部的附近。
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