公开(公告)号：CN102479486B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201110377025.X

申请日：2011-11-24

Applicant: 佳能株式会社 ,  株式会社日立显示器

Inventor： 玉木顺也 ,  佐藤信彦 ,  井关正己 ,  池田宏治 ,  田村正浩 ,  泉田健 ,  徳田尚纪

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/006 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0238 ,  G09G2320/0295 ,  G09G2330/08 ,  G09G2330/10

Abstract: 本发明涉及有机电致发光显示装置。提供一种抑制由当发光时段控制晶体管截止时的漏电流引起的有缺陷的显示的有机EL显示装置。该有机EL显示装置包括多个像素、数据线和控制线，每个像素包括有机EL元件、电源线、驱动晶体管和发光时段控制晶体管。在该装置中，在所述多个像素中的某个像素中，在发光时段控制晶体管的截止状态下的发光时段控制晶体管的源极电极与漏极电极之间的电阻Roff_ILM和在最小灰度显示数据电压施加于驱动晶体管的栅极电极的状态下的驱动晶体管的源极电极与漏极电极之间的电阻Rbk_Dr满足Roff_ILM≥Rbk_Dr。

公开(公告)号：CN102479486A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110377025.X

申请日：2011-11-24

Applicant: 佳能株式会社 ,  株式会社日立显示器

Inventor： 玉木顺也 ,  佐藤信彦 ,  井关正己 ,  池田宏治 ,  田村正浩 ,  泉田健 ,  徳田尚纪

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/006 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/0238 ,  G09G2320/0295 ,  G09G2330/08 ,  G09G2330/10

Abstract: 本发明涉及有机电致发光显示装置。提供一种抑制由当发光时段控制晶体管截止时的漏电流引起的有缺陷的显示的有机EL显示装置。该有机EL显示装置包括多个像素、数据线和控制线，每个像素包括有机EL元件、电源线、驱动晶体管和发光时段控制晶体管。在该装置中，在所述多个像素中的某个像素中，在发光时段控制晶体管的截止状态下的发光时段控制晶体管的源极电极与漏极电极之间的电阻Roff_ILM和在最小灰度显示数据电压施加于驱动晶体管的栅极电极的状态下的驱动晶体管的源极电极与漏极电极之间的电阻Rbk_Dr满足Roff_ILM≥Rbk_Dr。

公开(公告)号：CN103137652B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201210490812.X

申请日：2012-11-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 冈本薰 ,  木户滋 ,  大塚学 ,  佐藤信彦

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5209 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5392

Abstract: 本发明提供了一种显示设备。所述显示设备包括：基板；和在该基板上提供的多个像素，所述像素每个具有通过将在基板上提供的下电极、有机化合物层和上电极依次叠加而获得的有机EL元件，以及所述下电极包括对于每个像素独立地放置的电极，其中：所述下电极由在所述基板上提供的第一下电极层和在第一下电极层上提供的第二下电极层形成；所述有机化合物层和所述上电极覆盖第一下电极层和第二下电极层；以及从第二下电极层到有机化合物层中的电荷注入性质大于从第一下电极层的端部分到有机化合物层中的电荷注入性质。

公开(公告)号：CN102983281A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210318623.4

申请日：2012-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 木村俊秀 ,  广木知之 ,  大塚学 ,  佐藤信彦

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5012 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5225

Abstract: 本发明公开了有机发光装置及其制造方法。在通过光刻法构图的多个有机化合物层的端部之中，不位于发光元件之间的区域中并且位于被第二电极覆盖的区域中的端部形成为与位于发光元件之间的端部相比具有更小的倾角。

公开(公告)号：CN102738201A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210090411.5

申请日：2012-03-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 广木知之 ,  远藤太郎 ,  高谷格 ,  石毛刚一 ,  佐藤信彦

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0017 ,  H01L51/0014 ,  H01L51/56

Abstract: 有机电致发光显示装置的制造方法，该有机电致发光显示装置包括设置在一对电极之间并且至少包括发光层的有机化合物层，将该有机化合物层两维配置，该方法包括：在基板上的整个发光区域中形成在水中不溶的有机化合物层；在该有机化合物层上的至少一部分区域中设置含有水溶性材料的掩模层；将设置有该掩模层的区域以外的区域中设置的有机化合物层的一部分除去；将该掩模层除去；和将该掩模层除去后，在至少包括发光区域的区域中形成至少含有碱金属或碱土金属的层。

公开(公告)号：CN1136604C

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN99119692.9

申请日：1999-07-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤信彦 ,  松村聪

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0203 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76259 ,  Y10S438/964

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体基底部件的方法，在硅基底材料的表面上形成包括原子台阶和台面的表面，在不消除该台阶和台面的情况下制成多孔，然后在其上形成无孔的半导体单晶膜，从而实现多孔层的孔尺寸分布均匀。

公开(公告)号：CN1104038C

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN98105497.8

申请日：1998-03-16

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤信彦 ,  米原隆夫

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/346 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3063 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 半导体衬底，包括具有多孔区的硅衬底，以及在多孔区上提供的半导体层，该半导体层包括单晶化合物，形成在多孔区表面，表面处其孔洞已被密封。该衬底可由以下工艺制造：热处理具有多孔区的硅衬底，在多孔区表面密封孔洞，以及通过异质外延生长在具有被热处理所密封的孔洞的多孔区上形成单晶化合物半导体层。可以以高生产率，高均匀性，高可控性以及可观的经济优势在大面积硅衬底上形成几乎不含晶体缺陷的单晶化合物半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1250944A

公开(公告)日：2000-04-19

申请号：CN99122409.4

申请日：1999-09-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤信彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底。该衬底包括在多孔层上形成的晶体缺陷较少的非多孔单晶层,并且提供制造该衬底的方法。制造衬底的方法包括在不包含硅型气体的气氛中,热处理多孔层的热处理步骤,和在多孔硅层上生长非多孔单晶硅层的步骤,其中,如此进行热处理,使腐蚀的硅厚度在2nm以下,并使由(热处理后多孔硅层表面的雾值)/(热处理前多孔硅层表面的雾值)定义的多孔硅层的雾值变化率r满足1≤r≤3.5的关系。

公开(公告)号：CN1241016A

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN99111074.9

申请日：1999-06-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76243

Abstract: 制备其表面层在含氢气的还原气氛中已热处理的单晶硅衬底;通过注入氧离子形成离子注入层;随后,利用离子注入层通过热处理形成埋入的氧化膜(BOX)层。由此得到具有在BOX层上形成且如COP等的缺陷数量显著减少的单晶硅层(SOI层)的SOI衬底。

公开(公告)号：CN1227405A

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：CN99102433.8

申请日：1999-02-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00 ,  C25D17/00

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/002 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/76259

Abstract: 制作了一种具有多层结构的多孔层。待加工的硅衬底(102)在被夹持于阳极氧化浴槽(101)中的阳极(106)和阴极(104)之间的情况下，在第一电解液(141，151)中被阳极氧化。用第二电解液(142，152)更换第一电解液(141，151)。硅衬底(102)再次被阳极氧化，从而在硅衬底(102)上制作具有多层结构的多孔层。