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公开(公告)号：CN105818537A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610045927.6
申请日：2016-01-22
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/05 , B41J2/14088
Abstract: 元件基板及液体喷出头。液体喷出头的元件基板包括：基材；绝缘膜，其位于基材上；加热电阻元件，其用于产生喷出液体用的热能；保护膜，其用于覆盖加热电阻元件；第一电气布线层，其配置在绝缘膜中并用于向加热电阻元件供给电流；第二电气布线层，其配置在绝缘膜中的与第一电气布线层不同的层并用于向加热电阻元件供给电流；以及至少一个连接构件，其在绝缘膜内延伸，以使第一电气布线层与加热电阻元件连接，用于使电流沿第一方向流动，加热电阻元件包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的连接区域，所述至少一个连接构件连接至该连接区域。
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公开(公告)号：CN100382362C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200480007945.0
申请日：2004-03-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/386 , Y02T10/7011
Abstract: 根据本发明的用于锂二次电池的电极材料包括具有硅作为主要成分的固态合金的颗粒，其中固态合金的颗粒具有微晶或非晶材料，这种材料包括分散在微晶硅或非晶硅中的除了硅之外的元素。固态合金优选包含纯金属或固溶体。此外，合金的组分优选具有这样的元素成分：合金完全混合在熔化的液态中，由此合金具有熔化的液态单相，而不存在两相或更多相。元素组分可以由构成合金的元素种类以及元素的原子比率确定。
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公开(公告)号：CN103311186A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310069805.7
申请日：2013-03-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66681 , H01L21/82 , H01L21/8238 , H01L21/823814 , H01L21/82385 , H01L21/823857 , H01L27/092 , H01L27/0922
Abstract: 本公开涉及半导体装置、打印设备及其制造方法。提供半导体装置的制造方法，该半导体装置包括布置于半导体基板上的DMOS晶体管、NMOS晶体管和PMOS晶体管，DMOS晶体管包含形成为彼此相邻的第一杂质区域和第二杂质区域，第一杂质区域具有与DMOS晶体管的漏极区域和源极区域相同的导电类型，形成为包围漏极区域，并且，第二杂质区域具有与第一杂质区域相反的导电类型，形成为包围源极区域，半导体装置的制造方法包括形成第一杂质区域和NMOS晶体管和PMOS晶体管中的一个和形成第二杂质区域和NMOS晶体管和PMOS晶体管中的另一个。
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公开(公告)号：CN1765024A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200480007945.0
申请日：2004-03-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/386 , Y02T10/7011
Abstract: 根据本发明的用于锂二次电池的电极材料包括具有硅作为主要成分的固态合金的颗粒，其中固态合金的颗粒具有微晶或非晶材料，这种材料包括分散在微晶硅或非晶硅中的除了硅之外的元素。固态合金优选包含纯金属或固溶体。此外，合金的组分优选具有这样的元素成分：合金完全混合在熔化的液态中，由此合金具有熔化的液态单相，而不存在两相或更多相。元素组分可以由构成合金的元素种类以及元素的原子比率确定。
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公开(公告)号：CN1572723A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410055087.9
申请日：2004-01-21
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J3/006 , B01J3/008 , B01J2219/00063 , B01J2219/00065 , B01J2219/00162 , B01J2219/00164 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/06 , Y02P20/544 , Y10S977/842
Abstract: 一种制造纳米碳材料的方法，具有在0.2－60MPa范围内的压力压缩的同时，将包括一种或多种选自饱和烃、不饱和烃、饱和环烃和碳氧原子比超过2.0的醇中的化合物的原料和催化剂在100－800℃温度范围内一起处理的步骤，此时所述原料转变成超临界流体或亚临界流体，并且所述超临界流体或所述亚临界流体与所述催化剂接触，或具有在0.2－60MPa范围内的压力压缩的同时，将所述原料、所述催化剂和能作为反应促进介质的辅料在100－800℃温度范围内一起处理的步骤，此时至少所述辅料转变成超临界流体或亚临界流体，并且所述原料在与所述催化剂接触的同时，与由所述辅料形成的所述超临界流体或所述亚临界流体接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1532144A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410035253.9
申请日：2004-03-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/152 , C01B32/162 , C01B32/25 , C01B2202/02 , C01B2202/36 , Y02P20/544
Abstract: 本发明涉及纳米碳材料的廉价制备方法，该方法是通过将选自由链状饱和烃、链状不饱和烃、环状饱和烃、芳香族烃、醇、醚组成的组中的一种以上的原料，与选自由甲醇、乙醇、丙酮、乙醛、环氧乙烷、乙二醇、甲醛、水、过氧化氢、氧、一氧化氮组成的组中的一种以上的含氧化合物进行混合，在300℃～800℃的温度范围内，而且在2MPa～60MPa的压力下，与超临界流体或亚临界流体共存。由此制备以碳纳米管、金刚石、富勒烯为代表的纳米碳材料。
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公开(公告)号：CN108372722B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810154140.2
申请日：2016-01-22
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 元件基板及液体喷出头。液体喷出头的元件基板包括：基材；绝缘膜，其位于基材上；加热电阻元件，其用于产生喷出液体用的热能；保护膜，其用于覆盖加热电阻元件；第一电气布线层，其配置在绝缘膜中并用于向加热电阻元件供给电流；第二电气布线层，其配置在绝缘膜中的与第一电气布线层不同的层并用于向加热电阻元件供给电流；以及至少一个连接构件，其在绝缘膜内延伸，以使第一电气布线层与加热电阻元件连接，用于使电流沿第一方向流动，加热电阻元件包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的连接区域，所述至少一个连接构件连接至该连接区域。
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公开(公告)号：CN108372722A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810154140.2
申请日：2016-01-22
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 元件基板及液体喷出头。液体喷出头的元件基板包括：基材；绝缘膜，其位于基材上；加热电阻元件，其用于产生喷出液体用的热能；保护膜，其用于覆盖加热电阻元件；第一电气布线层，其配置在绝缘膜中并用于向加热电阻元件供给电流；第二电气布线层，其配置在绝缘膜中的与第一电气布线层不同的层并用于向加热电阻元件供给电流；以及至少一个连接构件，其在绝缘膜内延伸，以使第一电气布线层与加热电阻元件连接，用于使电流沿第一方向流动，加热电阻元件包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的连接区域，所述至少一个连接构件连接至该连接区域。
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公开(公告)号：CN103311186B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310069805.7
申请日：2013-03-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66681 , H01L21/82 , H01L21/8238 , H01L21/823814 , H01L21/82385 , H01L21/823857 , H01L27/092 , H01L27/0922
Abstract: 本公开涉及半导体装置、打印设备及其制造方法。提供半导体装置的制造方法，该半导体装置包括布置于半导体基板上的DMOS晶体管、NMOS晶体管和PMOS晶体管，DMOS晶体管包含形成为彼此相邻的第一杂质区域和第二杂质区域，第一杂质区域具有与DMOS晶体管的漏极区域和源极区域相同的导电类型，形成为包围漏极区域，并且，第二杂质区域具有与第一杂质区域相反的导电类型，形成为包围源极区域，半导体装置的制造方法包括形成第一杂质区域和NMOS晶体管和PMOS晶体管中的一个和形成第二杂质区域和NMOS晶体管和PMOS晶体管中的另一个。
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公开(公告)号：CN101179126B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200710184990.9
申请日：2004-03-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/386 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明公开了一种用于锂二次电池的包括硅作为主要成分的电极材料、具有这种电极材料的电极结构和具有这种电极结构的二次电池。该电极材料包括具有硅作为主要成分的硅颗粒，其中使用从由硼、铝、镓、锑和磷组成的组中选择的至少一种元素以相对于硅的原子比在1×10-5至1×10-1的范围内的掺杂剂量对硅进行掺杂。
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