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公开(公告)号：CN100469577C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200410038765.0
申请日：2004-02-06
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： B41J2/14233 , H01L41/0973 , H01L41/316
摘要： 本发明提供一种介质膜构成体、压电致动器以及油墨喷头，其中该介质膜构成体具有基板和在该基板上设置的介质膜，其特征在于，介质膜相对于该基板具有(001)面取向性，其中，该介质膜由下述式(1)表示，u为大于2的实数：u＝(Cc/Ca)×(Wa/Wc)……(1)。在上述式(1)中，Cc是面外X射线衍射测定中的介质膜的(001’)面的峰值的计数(在此，1’为Cc最大值时选定的自然数。)；Ca是面内X射线衍射测定中的介质膜的(h’00)面的峰值的计数(在此h’为Cc最大值时选定的自然数。)；Wc是面外波动曲线X射线衍射测定中的介质膜的(001’)面的峰值的半值宽度；Wa是面内波动曲线X射线衍射测定中的介质膜的(h’00)面的峰值的半值宽度。)
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公开(公告)号：CN100457458C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510004145.X
申请日：2005-01-07
CPC分类号： B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： 提供一种介电体元件及其制造方法。使用该介电体元件的压电元件、喷墨头。其中，在用来制造介电体层的成膜用的通用基板上设置优先取向或单轴取向的晶体结构的介电体层。在基板上依此设置第1电极层、第2电极层及介电体层；这些层具有优先取向或单轴取向；基于上述第1电极层、上述第2电极层及上述介电体层的优先取向轴或单轴取向轴的X射线衍射测定得到的峰，根据伪沃伊特函数拟合得到的半高宽分别处于特定的范围，即使是使用成膜用的通用基板也可以稳定地获得所希望的品质的介电体层。
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公开(公告)号：CN100374299C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410100272.5
申请日：2004-12-10
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： B41J2/1646 , B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2202/03 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： 提供一种介电体薄膜元件、压电致动器、液体排出头及其制造方法。构成用于液体排出头的压电致动器中的结晶性介电体薄膜元件(10、20)的压电体薄膜(13、23)，在加热而引起的结晶化工序中产生晶格失配等产生的应力。为此，通过使具有吸收上述应力的双晶结构的中间层(12、22)夹在与基板(11、21)之间，抑制压电体薄膜(13、23)的膜剥离或压电特性的劣化。中间层(12)是具有由双晶结构的薄膜构成的中间第一层(12a)、和作为下电极的中间第二层(12b)的多层结构，由于基板(21)兼作下电极，所以中间层(22)是由双晶结构的薄膜构成的单层结构。
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公开(公告)号：CN1530231A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410038765.0
申请日：2004-02-06
申请人： 佳能株式会社
CPC分类号： B41J2/14233 , H01L41/0973 , H01L41/316
摘要： 一种介质膜构成体，具有基板和在该基板上设置的介质膜，其特征在于，介质膜相对于该基板具有(00l)面取向性，其中，该介质膜由下述式(1)表示，u为大于2的实数：u＝(Cc/Ca)×(Wa/Wc)……(1)。在上述式(1)中，Cc是面外X射线衍射测定的介质膜的(00l′)面的峰值的计数(在此，1′为Cc最大值时选定的自然数。)；Ca是面内X射线衍射测定的介质膜的(h′00)面的峰值的计数(在此h′为Cc最大值时选定的自然数。)；Wc是面外波动曲线X射线衍射测定的介质膜的(00l′)面的峰值的半值宽度；Wa是面内波动曲线X射线衍谢测定的介质膜的(h′00)面的峰值的半值宽度。)
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公开(公告)号：CN102153344A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010570706.3
申请日：2010-11-30
申请人： 佳能株式会社
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622 , B41J2/045 , H01L41/187
CPC分类号： H01L41/1871 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/62655 , C04B35/62805 , C04B35/62886 , C04B2235/3208 , C04B2235/3236 , C04B2235/3262 , C04B2235/449 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/762 , C04B2235/765 , C04B2235/77 , C04B2235/783 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H01L41/43 , H02N2/106 , H02N2/163
摘要： 压电陶瓷，包括钛酸钡和相对于钛酸钡为0.04质量％-0.20质量％的锰。该压电陶瓷由晶粒组成。该晶粒包括具有30μm-300μm的圆当量直径的晶粒A和具有0.5μm-3μm的圆当量直径的晶粒B。该晶粒A和该晶粒B各自形成聚集体并且该晶粒A的聚集体和该晶粒B的聚集体形成海岛结构。
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公开(公告)号：CN101490316A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026986.8
申请日：2007-07-13
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC分类号： C30B29/32 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/16 , C04B35/46 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/22
CPC分类号： B41J2/161 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1875 , H01L41/316
摘要： 一种压电物质，其由ABO3制成的钙钛矿型结构的氧化物制成，其中A的主要组分是Pb，B的主要组分含有Nb、Mg、Zn、Sc、Cd、Ni、Mn、Co、Yb、In以及Fe中的至少两种元素以及Ti，其特征在于是具有四方晶的a晶畴和c晶畴的单轴取向晶体或单晶体。
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公开(公告)号：CN1296210C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN01124891.2
申请日：2001-06-21
IPC分类号： B41J2/14 , B41J2/16 , H01L41/083 , H01L41/187
CPC分类号： B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14258 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
摘要： 一种压电元件结构，包括一个支承衬底。和一个支承在所述支承衬底上压电膜，其中压电膜包含第一层、和具有锆的第二层，每一层具有钙钛矿结构，并且彼此接触形成或通过中间层层压，薄膜形成时的温度为500℃或更高以提供所述压电膜，为了形成薄膜，以30℃/min或更快的冷却速度从薄膜形成温度到至少450℃快速冷却。与现有压电膜相比，如此形成的压电膜厚度小，而且表现出很大的压电常数，从而能够可靠地执行其有效微处理。
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公开(公告)号：CN1676331A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510062574.2
申请日：2005-03-29
CPC分类号： H01L41/0478 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/29 , H01L41/316
摘要： 提供一种介电体、压电体、喷墨头、喷墨记录装置及喷墨头制造方法。形成在基板上至少具有下部电极、{100}取向性介电层、上部电极的介电体时，至少其中某一个电极是由至少两层钙钛矿型氧化物导电层构成的，且是{100}取向。
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公开(公告)号：CN1636729A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200510004145.X
申请日：2005-01-07
CPC分类号： B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要： 提供一种介电体元件、压电体元件、喷墨头及其制造方法。其中，在用来制造介电体层的成膜用的通用基板上设置优先取向或单轴取向的晶体结构的介电体层。在基板上依此设置第1电极层、第2电极层及介电体层；这些层具有优先取向或单轴取向；基于上述第1电极层、上述第2电极层及上述介电体层的优先取向轴或单轴取向轴的X射线衍射测定得到的峰，根据伪沃伊特函数拟合得到的半高宽分别处于特定的范围，即使是使用成膜用的通用基板也可以稳定地获得所希望的品质的介电体层。
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公开(公告)号：CN102214788A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110148637.1
申请日：2008-03-05
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/09
CPC分类号： H01L41/0973 , H01L41/0815 , H01L41/319
摘要： 本发明公开了外延膜，其包括：加热Si衬底，在该衬底的表面上设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO2层；和通过使用由以下组成式(1)表示的金属靶在该SiO2层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜：yA(1-y)B (1)，其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值，xA2O3-(1-x)BO2 (2)，其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素，且x为0.010～0.035的数值。
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