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公开(公告)号：CN108010927B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201711018487.6
申请日：2017-10-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开内容涉及光电转换装置和图像拾取系统。一种光电转换装置包括多个单元，每个单元包括设置在半导体层中的电荷产生区。所述多个单元中的第一单元和第二单元均包括电荷储存区、电介质区以及第一遮光层，电荷储存区被配置为储存从电荷产生区传输到其的电荷，电介质区位于电荷产生区的上方并且被绝缘体层围绕，第一遮光层覆盖电荷储存区，位于绝缘体层和半导体层之间，并且第一遮光层具有位于电荷产生区上方的开口。第一单元的电荷产生区能够通过第一遮光层的开口接收光。第二单元的电荷产生区被第二遮光层覆盖。
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公开(公告)号：CN102465263A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110339521.6
申请日：2011-11-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/546
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。成膜装置(1)包括成膜源(21)、测量用石英振荡器(22)和校正用石英振荡器(23)。当在成膜对象物(30)上形成成膜材料的薄膜时，在成膜源(21)内加热成膜材料以释放出该成膜材料的蒸气。测量用石英振荡器(22)测量形成在成膜对象物(30)上的成膜材料量，而校正用石英振荡器(23)校正测量用石英振荡器(22)。在成膜装置(1)中，还设置用于相对于成膜对象物在预定成膜待机位置与预定成膜位置之间移动成膜源(21)的移动部(成膜源单元(20))，该移动部保持测量用石英振荡器(22)，以维持其相对于成膜源(21)的相对位置，且当移动部处于成膜待机位置时，校正用石英振荡器(23)设在移动部的上方。
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公开(公告)号：CN108511472B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201810165284.8
申请日：2018-02-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 本发明公开了光电转换设备和装置。提供一种光电转换设备，其中，从主表面到介电膜的第一部分的内表面的距离小于从主表面到光遮蔽部件的顶表面的距离，从主表面到第一部分的外表面的距离小于从主表面到介电膜的第二部分的外表面的距离，第三部分的外表面向顶表面倾斜，介电部件的表面在法线方向上在介电膜与顶表面之间向顶表面倾斜，并且介电部件具有比介电膜的折射率低的折射率。
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公开(公告)号：CN102465262A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110339499.5
申请日：2011-11-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/546
Abstract: 提供一种可在成膜对象物上精确地形成均一膜的成膜装置。成膜装置(1)包括成膜源(21)、测量用石英振荡器(22)和校正用石英振荡器(23)。当在成膜对象物(30)上形成成膜材料的薄膜时，在成膜源(21)内加热成膜材料以释放出该成膜材料的蒸气。测量用石英振荡器(22)测量形成在成膜对象物(30)上的成膜材料量(形成在其上的薄膜厚度)，而校正用石英振荡器(23)校正测量用石英振荡器(22)。成膜装置(1)中，还提供用于相对于成膜对象物在预定成膜待机位置与预定成膜位置之间移动成膜源(21)的移动部(成膜源单元(20))，以及用于控制测量用石英振荡器(22)和校正用石英振荡器(23)的温度至基本相同的温度控制部(传感器闸门(26))。
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公开(公告)号：CN102465276A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110339500.4
申请日：2011-11-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/52 , C23C14/24 , C23C14/546 , C23C16/46
Abstract: 提供一种成膜装置和成膜方法，可精确地控制形成在成膜对象物上的薄膜的厚度。成膜装置(1)包括用于在预定成膜待机位置与预定成膜位置之间移动成膜源(21)的移动部(成膜源单元(20))，此移动部保持测量用石英振荡器(22)和校正用石英振荡器(23)以维持它们相对于成膜源(21)的相对位置。在成膜对象物上形成膜的成膜步骤当中执行利用校正用石英振荡器(23)的监测值校正测量用石英振荡器的监测值的校正步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102465264A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110339524.X
申请日：2011-11-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/546 , H01L51/001 , H01L2251/558
Abstract: 这里提供了一种真空气相沉积系统，包括：气相沉积源；用于监测的膜厚度传感器；以及用于校准的膜厚度传感器，其中，从气相沉积源的开口的中心至用于校准的膜厚度传感器的距离L1和从气相沉积源的开口的中心至用于监测的膜厚度传感器的距离L2满足L1≤L2的关系；由从气相沉积源的开口的中心至基片的膜形成表面的垂直线和使得气相沉积源的开口的中心与用于校准的膜厚度传感器连接的直线所形成的角度θ1以及由从气相沉积源的开口的中心至基片的膜形成表面的垂直线和使得气相沉积源的开口的中心与用于监测的膜厚度传感器连接的直线所形成的角度θ2满足θ2≥θ1的关系。还提供了一种利用所述真空气相沉积系统制造有机发光装置的方法。
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公开(公告)号：CN102560364A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110339529.2
申请日：2011-11-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C14/546 , C23C14/24
Abstract: 这里提供了一种真空气相沉积系统，它能够精确测量气相沉积速率，并能够以更高精度来控制膜厚度。真空气相沉积系统包括：真空腔室；基片保持机构；气相沉积源；用于监测的膜厚度传感器；控制系统，该控制系统包括温度控制器和膜厚度控制器；以及用于校准的膜厚度传感器，其中，从用于监测的膜厚度传感器和用于校准的膜厚度传感器中的要提高测量精度的一个膜厚度传感器至气相沉积源的开口中心的距离小于从另一膜厚度传感器至气相沉积源的开口中心的距离。还提供了一种使用这种真空沉积系统制造有机电致发光元件的方法。
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公开(公告)号：CN102212778A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110083128.5
申请日：2011-04-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C14/042
Abstract: 本申请涉及蒸发设备，该蒸发设备减少掩模的变形、提高基板与蒸发掩模之间的附着性并且提高划分要形成膜的区域和不形成膜的区域的精度。该蒸发设备包括用于使设置在包括磁材料的蒸发掩模上的膜形成基板压靠蒸发掩模的施压机构。该施压机构包括用于将掩模至少吸引向膜形成基板的角部的磁体。
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公开(公告)号：CN108511472A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810165284.8
申请日：2018-02-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L21/3115 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14685
Abstract: 本发明公开了光电转换设备和装置。提供一种光电转换设备，其中，从主表面到介电膜的第一部分的内表面的距离小于从主表面到光遮蔽部件的顶表面的距离，从主表面到第一部分的外表面的距离小于从主表面到介电膜的第二部分的外表面的距离，第三部分的外表面向顶表面倾斜，介电部件的表面在法线方向上在介电膜与顶表面之间向顶表面倾斜，并且介电部件具有比介电膜的折射率低的折射率。
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公开(公告)号：CN108010927A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711018487.6
申请日：2017-10-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14818 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14636 , H01L27/14683 , H01L27/14843 , H01L27/14601 , H01L27/14609 , H01L27/1461
Abstract: 本公开内容涉及光电转换装置和图像拾取系统。一种光电转换装置包括多个单元，每个单元包括设置在半导体层中的电荷产生区。所述多个单元中的第一单元和第二单元均包括电荷储存区、电介质区以及第一遮光层，电荷储存区被配置为储存从电荷产生区传输到其的电荷，电介质区位于电荷产生区的上方并且被绝缘体层围绕，第一遮光层覆盖电荷储存区，位于绝缘体层和半导体层之间，并且第一遮光层具有位于电荷产生区上方的开口。第一单元的电荷产生区能够通过第一遮光层的开口接收光。第二单元的电荷产生区被第二遮光层覆盖。
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