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公开(公告)号：CN117987777A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311440962.4
申请日：2023-11-01
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供膜硬度高的铜合金溅射膜及其制造方法。另外，本发明还提供适于所述溅射膜的成膜的铜合金溅射靶及其制造方法。一种铜合金溅射膜，其中，具有以5.0质量％以上且30.0质量％以下的比例包含银(Ag)且剩余部分由铜(Cu)及不可避免的杂质构成的组成，所述铜合金溅射膜的微晶尺寸为30nm以下。
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公开(公告)号：CN107075667A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056684.X
申请日：2015-10-23
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够以低廉的价格形成铜合金成膜的焊接电极成膜用铜合金靶，所述铜合金成膜的溅射成膜不会如纯铜成膜那样地变色，即使在经非活性助焊剂处理后，也显示良好的焊接性，具有优异的焊料湿润性。本发明的焊接电极成膜用铜合金靶以铜为主要成分，以大于10质量％且小于25质量％的比例含有银，以0.1质量％以上且3质量％以下的比例含有镍。所述铜合金靶优选通过下述方式制造：在将可密闭的腔体内抽真空至0.01Pa以下后，导入非活性气体，将该腔体内的压力调节为50Pa以上且90000Pa以下，进行金属材料的熔化和铸造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110317969B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201910242445.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 提供一种具备具有优异的焊料润湿性的铜合金覆膜的焊料接合电极，以及能够形成该铜合金覆膜的、焊料接合电极的覆膜形成用铜合金靶，所述焊料接合电极与使用了以银作为主要成分的合金靶的溅射成膜相比，能够减少覆膜形成成本，并且即使对于近年来尺寸、形状已经微细化的接合部而言也显示良好的焊料接合性。具有如下的铜合金覆膜：由铜、银、镍和钯的合金形成，以铜作为主要成分，以大于10质量％且小于50质量％的比例含有银、以大于0.05质量％且小于1.0质量％的比例含有镍、以大于0.1质量％且小于1.0质量％的比例含有钯。
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公开(公告)号：CN107075667B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201580056684.X
申请日：2015-10-23
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够以低廉的价格形成铜合金成膜的焊接电极成膜用铜合金靶，所述铜合金成膜的溅射成膜不会如纯铜成膜那样地变色，即使在经非活性助焊剂处理后，也显示良好的焊接性，具有优异的焊料湿润性。本发明的焊接电极成膜用铜合金靶以铜为主要成分，以大于10质量％且小于25质量％的比例含有银，以0.1质量％以上且3质量％以下的比例含有镍。所述铜合金靶优选通过下述方式制造：在将可密闭的腔体内抽真空至0.01Pa以下后，导入非活性气体，将该腔体内的压力调节为50Pa以上且90000Pa以下，进行金属材料的熔化和铸造。
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公开(公告)号：CN105008578A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201380071399.6
申请日：2013-10-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C22C1/0425 , B22F3/15 , B22F5/10 , C22C9/00 , C23C14/3414
Abstract: 得到无裂纹、破裂、无相对密度和Ga浓度的波动的圆筒形Cu-Ga合金溅射靶材。使用热等静压法，在厚度为1.0mm以上且小于3.5mm的圆筒形的包套(1)中以填充密度为60％以上的方式填充Cu-Ga合金粉末或Cu-Ga合金成型体，进行热等静压，从而得到Cu-Ga合金烧结体。
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公开(公告)号：CN110317969A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910242445.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Abstract: 提供一种具备具有优异的焊料润湿性的铜合金覆膜的焊料接合电极，以及能够形成该铜合金覆膜的、焊料接合电极的覆膜形成用铜合金靶，所述焊料接合电极与使用了以银作为主要成分的合金靶的溅射成膜相比，能够减少覆膜形成成本，并且即使对于近年来尺寸、形状已经微细化的接合部而言也显示良好的焊料接合性。具有如下的铜合金覆膜：由铜、银、镍和钯的合金形成，以铜作为主要成分，以大于10质量％且小于50质量％的比例含有银、以大于0.05质量％且小于1.0质量％的比例含有镍、以大于0.1质量％且小于1.0质量％的比例含有钯。
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公开(公告)号：CN105008578B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380071399.6
申请日：2013-10-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C22C1/0425 , B22F3/15 , B22F5/10 , C22C9/00 , C23C14/3414
Abstract: 得到无裂纹、破裂、无相对密度和Ga浓度的波动的圆筒形Cu-Ga合金溅射靶材。使用热等静压法，在厚度为1.0mm以上且小于3.5mm的圆筒形的包套(1)中以填充密度为60％以上的方式填充Cu-Ga合金粉末或Cu-Ga合金成型体，进行热等静压，从而得到Cu-Ga合金烧结体。
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