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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106972345A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710028587.0
申请日：2017-01-16
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 渡边孝幸
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器二极管类型的掩埋异质结构(BH‑LD)。LD设置有台面、第一掩埋层和第二掩埋层，这里，掩埋层设置在台面两侧，以使台面顶部露出。台面包括下包覆层、有源层和上包覆层，这里，包覆层具有彼此相反的导电类型，并与掩埋层结合地构成载流子限制结构。第二掩埋层具有与第一掩埋层的平坦面叠置的平坦面，并且掩埋层的平坦面的部分的厚度比除了平坦面之外的部分的厚度薄。
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公开(公告)号：CN106972345B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201710028587.0
申请日：2017-01-16
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 渡边孝幸
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器二极管类型的掩埋异质结构(BH‑LD)。LD设置有台面、第一掩埋层和第二掩埋层，这里，掩埋层设置在台面两侧，以使台面顶部露出。台面包括下包覆层、有源层和上包覆层，这里，包覆层具有彼此相反的导电类型，并与掩埋层结合地构成载流子限制结构。第二掩埋层具有与第一掩埋层的平坦面叠置的平坦面，并且掩埋层的平坦面的部分的厚度比除了平坦面之外的部分的厚度薄。
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公开(公告)号：CN111064076A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910977455.1
申请日：2019-10-15
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Abstract: 一种光学半导体器件及其制造方法，该方法包括：形成第一半导体层；在形成电吸收型调制器的第一区中的第一半导体层上形成第一掩模图案；在第一半导体层上沿着第一方向形成平坦部；在凹凸部上形成第二半导体层；以及在第二半导体层上形成光波导层。第一掩模图案包括在第一区中的第一图案和在形成DFB激光器的第二区中的第二图案，第一图案包括第一开口图案和第一覆盖图案，并且第二图案包括第二开口图案和第二覆盖图案，并且第一开口图案与第一覆盖图案的比率不同于第二开口图案与第二覆盖图案的比率。
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公开(公告)号：CN111064076B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201910977455.1
申请日：2019-10-15
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Abstract: 一种光学半导体器件及其制造方法，该方法包括：形成第一半导体层；在形成电吸收型调制器的第一区中的第一半导体层上形成第一掩模图案；在第一半导体层上沿着第一方向形成平坦部；在凹凸部上形成第二半导体层；以及在第二半导体层上形成光波导层。第一掩模图案包括在第一区中的第一图案和在形成DFB激光器的第二区中的第二图案，第一图案包括第一开口图案和第一覆盖图案，并且第二图案包括第二开口图案和第二覆盖图案，并且第一开口图案与第一覆盖图案的比率不同于第二开口图案与第二覆盖图案的比率。
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公开(公告)号：CN112042069A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980028314.3
申请日：2019-04-25
Applicant: 住友电工光电子器件创新株式会社
Inventor： 渡边孝幸
Abstract: 一种光学半导体元件具有：半导体衬底；第一导电类型的第一覆层，该第一覆层被设置在半导体衬底上；有源层，该有源层被设置在第一覆层上；第二导电类型的第二覆层，该第二覆层被设置在有源层上；第一台面，该第一台面由第一覆层的一部分、有源层和第二覆层构成；第二导电类型的辅助覆层，该辅助覆层被设置在第一台面上；第二台面，该第二台面由辅助覆层构成；以及所述半绝缘层，该半绝缘层被设置在第一覆层上且被设置在第一台面的两侧和第二台面的两侧，其中，第二台面的宽度大于第一台面的宽度。
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