电子器件用封装体及其制造方法

    公开(公告)号:CN1460292A

    公开(公告)日:2003-12-03

    申请号:CN02800883.9

    申请日:2002-03-22

    CPC classification number: H01L23/04 H01L23/10 H01L2924/01079 H01L2924/16195

    Abstract: 本发明的电子器件用封装体,包括具有放置电子器件P的凹部的壳体(1)和借助于熔接层(20)与所述壳体(1)熔接而密闭所述凹部的盖体(8)。所述壳体(1)具有积层形成后露出于凹部开口面上的第1金属层(5)。所述盖体(8)具有在芯部(9)向着壳体一侧的表面上积层形成的第2金属层(10)。所述熔接层(20)具有由焊接材料形成的焊接材料层(12A)、在焊接材料层的两侧所述焊接材料的主要成分向第1金属层(5)和第2金属层(10)中扩散而形成的第1金属间化合物层(5A)和第2金属间化合物层(10A)。在所述熔接层(20)的纵截面上,相对于所述熔接层(20)的面积,第1金属间化合物层(5A)和第2金属间化合物层(10A)的面积比为25~98%。该封装体即使曝露在高于焊接材料熔点的高温气氛中,也保持优异的气密性。

    具有优异成型性能的高强度覆层材料

    公开(公告)号:CN1268086A

    公开(公告)日:2000-09-27

    申请号:CN98808466.X

    申请日:1998-04-17

    Inventor: 石尾雅昭

    Abstract: 一种具有优异成形性能的高强度覆层材料,具体而言,是一种三层的覆层材料,所述三层覆层材料的制造过程为:采用不锈钢作为基底,将Ni或者Ni合金的薄板与所述基底的一个主表面结合一起,并且,使铜的薄板与所述基底的另一主表面结合一起,上述两个结合过程均通过加压焊接实施;或者是一种两层或三层的覆层材料,其通过加压焊接,使镍或者其合金的薄板与所述基底的至少一个主表面结合一起来进行制造。所述覆层材料能够在其总厚度减小的同时,使不锈钢的相对厚度进一步增加,从而,获得至少与传统的两层或三层覆层材料相当的机械强度(抗拉强度)。将具有预定尺寸和形状的张紧辊置于加压焊接轧辊的进料端一侧,并且,通过所述张紧辊将镍、铜等的薄板送进所述加压焊接轧辊中,从而,能够在每个薄板的整个范围施加均匀一致的张力,能够防止在加压焊接期间出现开裂和皱折,能够在加压焊接前使镍和铜的薄板的厚度减小至约5μm,而且,能够使每种薄板在用于电池壳体的三层覆层材料中的相对厚度降低至为总厚度的约0.5%。

    具有优异成型性能的高强度覆层材料

    公开(公告)号:CN1157286C

    公开(公告)日:2004-07-14

    申请号:CN98808466.X

    申请日:1998-04-17

    Inventor: 石尾雅昭

    Abstract: 一种具有优异成形性能的高强度覆层材料,具体而言,是一种三层的覆层材料,所述三层覆层材料的制造过程为:采用不锈钢作为基底,将Ni或者Ni合金的薄板与所述基底的一个主表面结合一起,并且,使铜的薄板与所述基底的另一主表面结合一起,上述两个结合过程均通过加压焊接实施;或者是一种两层或三层的覆层材料,其通过加压焊接,使镍或者其合金的薄板与所述基底的至少一个主表面结合一起来进行制造。所述覆层材料能够在其总厚度减小的同时,使不锈钢的相对厚度进一步增加,从而,获得至少与传统的两层或三层覆层材料相当的机械强度(抗拉强度)。将具有预定尺寸和形状的张紧辊置于加压焊接轧辊的进料端一侧,并且,通过所述张紧辊将镍、铜等的薄板送进所述加压焊接轧辊中,从而,能够在每个薄板的整个范围施加均匀一致的张力,能够防止在加压焊接期间出现开裂和皱折,能够在加压焊接前使镍和铜的薄板的厚度减小至约5μm,而且,能够使每种薄板在用于电池壳体的三层覆层材料中的相对厚度降低至为总厚度的约0.5%。

    电子器件用封装体及其制造方法

    公开(公告)号:CN1222033C

    公开(公告)日:2005-10-05

    申请号:CN02800883.9

    申请日:2002-03-22

    CPC classification number: H01L23/04 H01L23/10 H01L2924/01079 H01L2924/16195

    Abstract: 本发明的电子器件用封装体,包括具有放置电子器件P的凹部的壳体(1)和借助于熔接层(20)与所述壳体(1)熔接而密闭所述凹部的盖体(8)。所述壳体(1)具有层叠形成后露出于凹部开口面上的第1金属层(5)。所述盖体(8)具有在芯部(9)向着壳体一侧的表面上层叠形成的第2金属层(10)。所述熔接层(20)具有由焊接材料形成的焊接材料层(12A)、在焊接材料层的两侧所述焊接材料的主要成分向第1金属层(5)和第2金属层(10)中扩散而形成的第1金属间化合物层(5A)和第2金属间化合物层(10A)。在所述熔接层(20)的纵截面上,相对于所述熔接层(20)的面积,第1金属间化合物层(5A)和第2金属间化合物层(10A)的面积比为25~98%。该封装体即使曝露在高于焊接材料熔点的高温气氛中,也保持优异的气密性。

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