公开(公告)号：CN1460292A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02800883.9

申请日：2002-03-22

Applicant: 住友特殊金属株式会社 ,  株式会社大真空

Inventor： 盐见和弘 ,  石尾雅昭 ,  饭塚实 ,  小笠原好清

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/10

CPC classification number: H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/16195

Abstract: 本发明的电子器件用封装体，包括具有放置电子器件P的凹部的壳体(1)和借助于熔接层(20)与所述壳体(1)熔接而密闭所述凹部的盖体(8)。所述壳体(1)具有积层形成后露出于凹部开口面上的第1金属层(5)。所述盖体(8)具有在芯部(9)向着壳体一侧的表面上积层形成的第2金属层(10)。所述熔接层(20)具有由焊接材料形成的焊接材料层(12A)、在焊接材料层的两侧所述焊接材料的主要成分向第1金属层(5)和第2金属层(10)中扩散而形成的第1金属间化合物层(5A)和第2金属间化合物层(10A)。在所述熔接层(20)的纵截面上，相对于所述熔接层(20)的面积，第1金属间化合物层(5A)和第2金属间化合物层(10A)的面积比为25～98％。该封装体即使曝露在高于焊接材料熔点的高温气氛中，也保持优异的气密性。

公开(公告)号：CN1292474C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN02819077.7

申请日：2002-11-08

Applicant: 株式会社新王材料 ,  株式会社大真空

Inventor： 盐见和弘 ,  石尾雅昭

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  B23K20/00

CPC classification number: B32B15/018 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的盖体(1)包含：由低膨胀金属形成的基材层(2)；和在该基材层(2)的一个表面上叠层、由屈服强度在110N/mm2以下的低屈服强度金属形成的中间金属层(3)；和在该中间金属层(3)上叠层、由以银作主成分的银焊接合金形成的焊接材料层(4)，所述低屈服强度金属由铜含有量在99.9质量%以上的纯铜形成，所述中间金属层(3)和焊接材料层(4)相互加压接合并扩散接合，所述焊接材料层(4)在其外表面上观察的多孔部的面积比例为0.05%以下，作为所述低屈服强度金属优选使用无氧铜，由所述盖材(1)加工的盖体在使该盖体焊接到以陶瓷作主材料形成的、电子部件用封装体的盒体之际，接合性优良，盒体上难以产生破裂，而且焊接的操作性优良。

公开(公告)号：CN1222033C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN02800883.9

申请日：2002-03-22

Applicant: 株式会社新王材料 ,  株式会社大真空

Inventor： 盐见和弘 ,  石尾雅昭 ,  饭塚实 ,  小笠原好清

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/10

CPC classification number: H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/16195

Abstract: 本发明的电子器件用封装体，包括具有放置电子器件P的凹部的壳体(1)和借助于熔接层(20)与所述壳体(1)熔接而密闭所述凹部的盖体(8)。所述壳体(1)具有层叠形成后露出于凹部开口面上的第1金属层(5)。所述盖体(8)具有在芯部(9)向着壳体一侧的表面上层叠形成的第2金属层(10)。所述熔接层(20)具有由焊接材料形成的焊接材料层(12A)、在焊接材料层的两侧所述焊接材料的主要成分向第1金属层(5)和第2金属层(10)中扩散而形成的第1金属间化合物层(5A)和第2金属间化合物层(10A)。在所述熔接层(20)的纵截面上，相对于所述熔接层(20)的面积，第1金属间化合物层(5A)和第2金属间化合物层(10A)的面积比为25～98%。该封装体即使曝露在高于焊接材料熔点的高温气氛中，也保持优异的气密性。