公开(公告)号：CN102473985B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080036572.5

申请日：2010-08-12

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 佐藤敬 ,  山本武继

IPC分类号： H01M12/06

CPC分类号： H01M12/06

摘要： 本发明提供一种空气电池，其为具有电极和聚合物膜的空气电池，该聚合物膜配置于电极的进气侧，该聚合物膜是含有下式(1)所示重复单元的聚合物的膜，其中，R1表示氢原子、卤代基、取代或非取代烷基、取代或非取代芳香族烃基、取代或非取代芳香族杂环基、三烷基甲硅烷基或三烷基甲锗烷基，R2在各种情况下独立地用下式(2)表示，m为1以上5以下的整数，R2存在多个时，这些R2可相互相同也可不同；其中，X在各种情况下独立地为一价基团，多个X可相互相同也可不同，至少1个X为含有卤原子的一价基团，p为0以上10以下的整数。

公开(公告)号：CN101896997B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN200880119896.8

申请日：2008-12-26

申请人： 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

发明人： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/26 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/66318

摘要： 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。

公开(公告)号：CN102113153B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN200980130201.0

申请日：2009-07-29

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 山本武继 ,  中岛秀明 ,  犬饲洋志 ,  大森滋和 ,  村上力 ,  中路大辅 ,  吉田秀和 ,  坂井舞子

IPC分类号： H01M4/58 ,  H01M2/16 ,  H01M10/40

CPC分类号： H01M4/136 ,  H01M4/58 ,  H01M4/587 ,  H01M10/0569 ,  Y10T29/49108

摘要： 本发明提供钠二次电池。钠二次电池含有第1电极和具碳材料的第2电极，碳材料满足选自要件1、要件2、要件3和要件4的一个以上。要件1：由拉曼分光测定得到的R值(＝ID/IG)为1.07以上3以下。要件2：由X射线小角度散射测定得到的A值为-0.5以上0以下，且σA值为0以上0.010以下。要件3：对于具有将85重量份碳材料和15重量份聚偏1，1-二氟乙烯混合得到的电极混合剂的电极，钠离子的掺杂且去掺杂后的电极中的碳材料实质上不存在10nm以上的微孔。要件4：由差示热分析测定得到的Q1值为800焦耳/g以下。

公开(公告)号：CN102362385A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080013012.8

申请日：2010-03-23

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 大森滋和 ,  山本武继

IPC分类号： H01M10/054 ,  H01M2/16 ,  H01M4/587 ,  H01M4/66 ,  H01M10/0566

CPC分类号： H01M10/054 ,  H01M2/1686 ,  H01M4/505 ,  H01M4/587 ,  H01M4/661 ,  H01M4/662 ,  H01M10/0566

摘要： 一种钠离子电池，其包含正极、负极和钠离子非水电解质，该负极具有负极活性物质和由铝或铝合金形成的负极集电体。由铝或铝合金形成的负极集电体作为钠离子二次电池的负极集电体的使用。

公开(公告)号：CN101896997A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880119896.8

申请日：2008-12-26

申请人： 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

发明人： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/26 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/66318

摘要： 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。

公开(公告)号：CN101855173A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115188.7

申请日：2008-11-04

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 久世智 ,  牧寺雅巳 ,  山本武继

IPC分类号： C01G49/00 ,  H01M2/16 ,  H01M4/52 ,  H01M10/36

CPC分类号： H01M4/523 ,  C01G49/0027 ,  C01G49/0072 ,  C01P2002/20 ,  C01P2002/72 ,  H01M2/1686 ,  H01M2/34 ,  H01M10/36 ,  H01M10/4235 ,  H01M2004/028

摘要： 提供减少稀有金属的使用量的同时、作为二次电池的正极活性物质极为有用的复合金属氧化物、钠二次电池用正极以及钠二次电池。一种复合金属氧化物，其具有α-NaFeO2型(层状岩盐型)的结晶结构、且用式NaxFe1-yMyO2(M为从IUPAC周期表的第4族元素、第5族元素、第6族元素、第14族元素以及Mn中选出的1种以上的元素，x为超过0.5小于1的范围的值，且y为超过0小于0.5的范围的值)表示。并且，制备具有该复合金属氧化物的钠二次电池用正极以及钠二次电池。

公开(公告)号：CN107430065A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680019642.3

申请日：2016-03-25

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 山本大贵 ,  山本武继 ,  笠原健司

IPC分类号： G01N21/21 ,  G01B11/06 ,  G01N21/27 ,  H01L21/66

摘要： 本发明提供一种测定方法，所述方法对依次具有基底基板、吸收层及被测层的层叠基板进行测定，被测层具有单一或多层被测单层，所述方法具有下述步骤：通过从被测层所处的这侧照射包含波长短于界限波长的光的入射光、并测定反射光，从而取得界限波长以下的波长中的相互独立的2n(n为被测层中包含的被测单层的层数，为1以上的整数)个以上的反射光关联值的步骤，以及，使用2n个以上的反射光关联值，针对被测层中包含的各被测单层，计算与被测单层有关的值的步骤；作为界限波长，使用将吸收层的消光系数k以波长λ(单位为nm)的函数k(λ)的形式表示时的一次微分dk(λ)/dλ的绝对值成为消光微分界限值以下的波长范围内的最大波长。

公开(公告)号：CN102652183B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201080056160.8

申请日：2010-12-10

申请人： 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

发明人： 野田优 ,  诸隈慎吾 ,  山本武继

IPC分类号： C23C14/14 ,  H01G11/06 ,  H01G11/24 ,  H01G11/28 ,  H01M4/04 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M10/052

CPC分类号： H01M10/052 ,  C23C14/14 ,  C23C14/541 ,  H01G11/06 ,  H01G11/24 ,  H01G11/28 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7011 ,  Y02T10/7022 ,  Y10T428/249921

摘要： 本发明提供一种能够对大容量锂二次电池提供合适的电极的硅膜及其简便的制造方法。一种硅膜，其具有柱状集合体，所述柱状集合体是由Si或Si化合物构成的柱状结构体的集合体。上述硅膜的柱状结构体的直径为10～100nm，膜厚为0.2～100μm。一种硅膜的制造方法，其是使用由Si或Si化合物构成的蒸镀源在基板上蒸镀硅膜的硅膜的制造方法，蒸镀源的温度为1700K以上，基板温度比蒸镀源的温度低，并且蒸镀源的温度与基板温度之差为700K以上。上述硅膜的制造方法，其中，蒸镀源与基板之间的距离(D)比从基板的垂直方向所看到的基板的最小径(P)小。一种具有上述硅膜的电极。一种具有上述电极作为负极的锂二次电池。

公开(公告)号：CN101971393B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN200980103372.4

申请日：2009-01-23

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 坂井舞子 ,  山本武继 ,  牧寺雅巳 ,  久世智 ,  服部武司

IPC分类号： H01M4/58 ,  C01B25/45 ,  H01M2/16 ,  H01M4/02 ,  H01M10/40

CPC分类号： H01M4/5825 ,  C01B25/37 ,  C01B25/45 ,  C01P2002/74 ,  H01M2/1653 ,  H01M2/1686 ,  H01M2/348 ,  H01M4/381 ,  H01M4/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054 ,  H01M10/36 ,  H01M2200/10 ,  Y02T10/7011

摘要： 本发明提供一种正极活性物质以及橄榄石型磷酸盐的制造方法。本发明的正极活性物质中含有下述通式(I)表示的橄榄石型磷酸盐，并且，在使用CuKα射线得到的X射线衍射图中，其最大峰为橄榄石型磷酸盐的(031)面的峰，该峰的半值宽度在1.5°以下。所述通式(I)为：AaMbPO4(I)(其中，A代表选自碱金属的一种以上元素，M代表选自过渡金属的一种以上元素，a为0.5～1.5，且b为0.5～1.5)。另外，本发明的橄榄石型磷酸盐的制造方法包括：配制原料，使元素A、元素M及磷(P)的含量满足A∶M∶P的摩尔比为a∶b∶1；对上述原料进行预烧成；以及，对经过预烧成的上述原料进行正式烧成。

公开(公告)号：CN101933180B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN200980103974.X

申请日：2009-02-03

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 久世智 ,  牧寺雅巳 ,  山本武继

IPC分类号： H01M4/50 ,  H01M2/16 ,  H01M4/52 ,  H01M10/40

CPC分类号： H01M4/525 ,  H01M2/1653 ,  H01M2/1686 ,  H01M4/505 ,  H01M10/054 ,  H01M10/54 ,  Y02W30/84

摘要： 本发明中提供能够减少锂的使用量并且与以往相比反复充放电时的放电容量维持率大的钠二次电池以及能够作为其正极活性物质使用的复合金属氧化物。本发明的复合金属酸化物是含有Na和M1(其中，M1表示选自Mn、Fe、Co和Ni的3种以上元素。)、Na∶M1的摩尔比为a∶1(其中，a为大于0.5且小于1的范围的值。)的复合金属氧化物。此外，本发明的复合金属氧化物是以下的式(1)表示的复合金属氧化物。本发明的钠二次电池用正极活性物质含有NaaM1O2(1)(其中，M1和a分别具有与上述相同的含义。)所示的上述复合金属酸化物。