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公开(公告)号：CN117042543A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311204511.0
申请日：2023-09-18
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H10K59/80 , H10K59/122 , H10K50/858 , H10K50/856
摘要： 本发明公开了一种发光基板及显示装置，其中，发光基板包括：多个发光单元；封装层，位于多个发光单元的出光侧；多个增亮结构，位于封装层背离多个发光单元的一侧；相邻的增亮结构之间形成开口区域，开口区域对应发光单元设置；第一折射层，位于增亮结构背离发光单元的一侧，且第一折射层覆盖各增亮结构和各开口区域；第一折射层的折射率大于增亮结构的折射率。发光单元出射的光线从开口区域入射至第一折射层，在从折射率较高的第一折射层入射至折射率较低的增亮结构的表面时可以发生全反射现象，使得更多光线可以向发光单元的正上方出射，有利于提高显示亮度。
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公开(公告)号：CN116679491B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310665635.2
申请日：2023-06-07
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1335 , G02F1/1333
摘要： 本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，用以解决现有技术中存在显示面板收到外力冲击后一发生PS Mura的问题，该显示面板包括：相对设置的显示基板和对向基板；所述对向基板包括高度相同的主隔垫物和辅隔垫物，所述主隔垫物和所述辅隔垫物沿第一方向延伸，且沿第二方向交替排列；所述第一方向与所述第二方向相交；所述显示基板包括衬垫物，位于沿所述第二方向上相邻两行的主隔垫物和辅隔垫物间，所述衬垫物的高度小于所述主隔垫物的高度；所述衬垫物沿所述第二方向延伸；所述主隔垫物至少与两个相邻的衬垫物相抵，且所述辅隔垫物与相邻的衬垫物避让设置。
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公开(公告)号：CN118334718A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410501824.0
申请日：2024-04-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： G06V40/13
摘要： 本公开实施例提供一种指纹识别传感器及其制备方法、显示基板。该指纹识别传感器，包括：基底、设置在所述基底上的电路单元以及设置在所述电路单元远离所述基底一侧的光电传感单元，所述光电传感单元包括：沿远离所述基底的方向依次层叠设置的第一电极、界面修饰层、光电传感层和第二电极，所述第一电极与所述电路单元连接，所述光电传感层为采用给体/受体混合材料形成的体异质结光电传感层，所述光电传感单元设置为根据来自远离所述基底的一侧的光生成电信号，并将所述电信号传输至所述电路单元。
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公开(公告)号：CN116679491A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310665635.2
申请日：2023-06-07
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1335 , G02F1/1333
摘要： 本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，用以解决现有技术中存在显示面板收到外力冲击后一发生PS Mura的问题，该显示面板包括：相对设置的显示基板和对向基板；所述对向基板包括高度相同的主隔垫物和辅隔垫物，所述主隔垫物和所述辅隔垫物沿第一方向延伸，且沿第二方向交替排列；所述第一方向与所述第二方向相交；所述显示基板包括衬垫物，位于沿所述第二方向上相邻两行的主隔垫物和辅隔垫物间，所述衬垫物的高度小于所述主隔垫物的高度；所述衬垫物沿所述第二方向延伸；所述主隔垫物至少与两个相邻的衬垫物相抵，且所述辅隔垫物与相邻的衬垫物避让设置。
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公开(公告)号：CN115885594B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202180000085.1
申请日：2021-01-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/81 , H10K59/122 , G02B30/27
摘要： 一种有机发光显示基板及其制作方法、显示装置，显示基板包括衬底(101)、金属反射层和多个像素，每个像素包括多个子阳极(106)；金属反射层位于衬底(101)和多个子阳极(106)所在层之间，金属反射层与多个子阳极(106)所在层绝缘设置，金属反射层包括多个相互分离的金属反射图形(104)，每个金属反射图形(104)对应一个像素；每个金属反射图形(104)在衬底(101)上的正投影，与对应的像素的多个子阳极(106)在衬底(101)上的正投影交叠；每个像素的多个子阳极(106)间隔设置，相邻的两个子阳极(106)在衬底(101)上的正投影的间距小于或等于第一预设阈值；第一预设阈值为3.5μm或2μm。将同一像素中的相邻子阳极(106)的间距控制在小于或等于第一预设阈值，可以减轻或消除摩尔纹的影响，提高显示效果。
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公开(公告)号：CN118448419A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410509401.3
申请日：2024-04-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 马连铮 , 赵影 , 顾仁权 , 李士佩 , 薛汶青 , 赵建军 , 翟鑫旺 , 徐同辉 , 董学 , 李国腾 , 张超 , 董水浪 , 卢鑫泓 , 李柳青 , 李春 , 杨少鹏 , 曹占锋 , 周天民
IPC分类号： H01L27/12 , H10K59/12 , H10K59/122 , H10K59/131 , H10K59/80 , H10K50/805 , H10K71/00 , G02F1/1362 , G02F1/1343
摘要： 本公开提供了一种阵列基板以及阵列基板的制造方法，属于显示技术领域，阵列基板包括多个像素区，所述像素区包括：衬底；有源层，位于所述衬底的一侧；栅极层，位于所述有源层背离所述衬底的一侧；间隔膜层，位于所述栅极层背离所述有源层的一侧；像素电极，位于所述间隔膜层背离所述有源层的一侧；以及，多个过孔，贯穿所述间隔膜层后暴露出所述有源层，在所述衬底的厚度方向上，每个所述过孔贯穿所述间隔膜层的部分区域；所述像素电极依次通过多个所述过孔与所述有源层搭接；其中，所述像素电极在衬底上的正投影与多个所述过孔在所述衬底上的正投影有交叠，多个所述过孔与所述栅极层之图间具有间隔，所述间隔内填充所述间隔膜层。
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公开(公告)号：CN111740035B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010631715.2
申请日：2020-07-03
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种阵列基板、显示面板及制造方法，阵列基板的制造方法，包括像素电极的制备步骤，像素电极的制备步骤包括：在平坦化层上沉积第一电极薄膜，对第一电极薄膜进行图案化，形成第一子像素电极；在第一子像素电极及暴露于第一子像素电极之外的平坦化层上沉积钝化薄膜，对钝化薄膜进行图案化，形成包覆第一子像素电极的钝化图案；在钝化图案及暴露于钝化图案之外的平坦化层上沉积第二电极薄膜，对第二电极薄膜进行图案化，形成与第一子像素电极同层设置的第二子像素电极，同一像素内的第一子像素电极与第二子像素电极之间的距离小于3μm。上述方案，可以解决三维显示OLED显示装置在进行三维显示时，存在严重的摩尔纹问题。
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公开(公告)号：CN112968143B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110220187.6
申请日：2021-02-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K71/00 , H10K50/805 , H10K59/122
摘要： 本公开提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。该制备方法包括：在驱动背板一侧形成第一导电层，第一导电层包括第一区域和部分交叠的第一子区域与第二子区域；在第一导电层上形成光阻层；在第一区域对光阻层进行第一次曝光；在第一子区域对光阻层进行第二次曝光；在第二子区域对光阻层进行第三次曝光，第三次曝光的曝光剂量与第二次曝光的曝光剂量的总和不小于剂量阈值；对光阻层进行显影，以形成显影区；去除显影区的第一导电层，以形成多个间隔分布的第一电极，相邻两个第一电极的间隙不小于7nm且不大于110nm；在驱动背板的一侧形成像素界定层、发光层及第二电极。本方案可减小摩尔纹异常。
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公开(公告)号：CN115734643A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211645572.6
申请日：2022-12-16
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H10K50/818 , H10K50/81 , H10K59/122 , H10K71/00
摘要： 本申请提供一种显示面板及其制备方法和显示装置，显示面板包括：衬底基板、第一像素界定层、反射电极层、第一结构层以及第二像素界定层；第一像素界定层包括第一开口区域以及围绕第一开口区域的第一挡墙；反射电极层包括底表面和侧表面；第一结构层包括覆盖底表面的导体区域和至少部分覆盖侧表面的非导体区域；第二像素界定层设置于第一像素界定层远离衬底基板的一侧。本申请提供的显示面板及其制备方法和显示装置，第二像素界定层可不再设置于第一开口区域内，能够使有效发光区的范围更大，实现提高显示面板亮度的功能。
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