-
公开(公告)号：CN103000813B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210407147.3
申请日：2012-10-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5092
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管，该发光二极管的发光层由石墨烯/量子点复合材料制成。本发明还提供制备所述发光二极管的方法。本发明所提供的量子点石墨烯发光二极管，量子点单层致密分布，发光效率较高。
-
公开(公告)号：CN103000813A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210407147.3
申请日：2012-10-23
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/5056 , H01L51/5092
Abstract: 本发明涉及一种发光二极管，该发光二极管的发光层由石墨烯/量子点复合材料制成。本发明还提供制备所述发光二极管的方法。本发明所提供的量子点石墨烯发光二极管，量子点单层致密分布，发光效率较高。
-
公开(公告)号：CN102651400A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110298250.4
申请日：2011-09-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/15 , H01L27/02
Abstract: 本发明实施例提供一种TFT阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，用以提高薄膜晶体管的开关特性。所述TFT阵列基板包括：数据线和栅线，以及在所述数据线和栅线限定的像素单元中形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层以及源极、漏极；其特征在于，所述有源层为超晶格结构，该超晶格结构包括预定数目的层叠的层组，所述层组包括半导体单层和非半导体单层。本发明实施例适用于阵列基板及显示装置的生产。
-
公开(公告)号：CN102651339A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110294403.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L29/786
CPC classification number: C03C17/3644 , C03C17/3441 , C03C17/3671 , C03C2217/948
Abstract: 本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，涉及显示技术领域，提高了TFT半导体有源层的载流子迁移率。该TFT阵列基板制造方法，包括：在基板上形成石墨烯层，通过第一次构图工艺处理及氢化处理，得到由石墨烯构成的半导体有源层；在石墨烯层上得到源极、漏极；得到位于半导体有源层上方的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅极；之后形成保护层、源极引线、漏极引线、像素电极和数据线；再形成钝化层。本发明用于TFT阵列基板的制造。
-
公开(公告)号：CN102629578A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201110294405.7
申请日：2011-09-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L29/786 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，涉及面板制造领域，改进了TFT阵列基板结构，使基板厚度变薄，并简化了工艺流程。TFT阵列基板制造方法包括：在基板上形成金属层，得到栅线和栅极；在所述栅线和栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成石墨烯层，干刻去除像素区域外围的石墨烯；在所述像素区域，形成由石墨烯构成的数据线、源极、漏极和像素电极；在所述形成有所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素电极的石墨烯层上，在所述栅极的上方得到由石墨烯构成的半导体有源层；在所述数据线、源极、半导体有源层、漏极、像素电极之上形成保护层。本发明实施例用于制造TFT阵列基板及显示装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102629578B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110294405.7
申请日：2011-09-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L29/786 , H01L27/02
Abstract: 本发明实施例提供一种TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，涉及面板制造领域，改进了TFT阵列基板结构，使基板厚度变薄，并简化了工艺流程。TFT阵列基板制造方法包括：在基板上形成金属层，得到栅线和栅极；在所述栅线和栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成石墨烯层，干刻去除像素区域外围的石墨烯；在所述像素区域，形成由石墨烯构成的数据线、源极、漏极和像素电极；在所述形成有所述数据线、所述源极、所述漏极和所述像素电极的石墨烯层上，在所述栅极的上方得到由石墨烯构成的半导体有源层；在所述数据线、源极、半导体有源层、漏极、像素电极之上形成保护层。本发明实施例用于制造TFT阵列基板及显示装置。
-
公开(公告)号：CN102655146B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210048574.7
申请日：2012-02-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L21/288 , B82Y20/00 , G02F1/13439 , G02F1/1362 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/66742 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及显示技术，公开了一种阵列基板，阵列基板的像素结构中，漏电极和像素电极导电性连接，并且像素电极，或源电极和漏电极，或像素电极、源电极和漏电极由石墨烯形成。本发明还公开了上述阵列基板的制备方法，具体使用氧化石墨烯溶液实现图案化石墨烯薄膜的制备。本发明阵列基板中，采用石墨烯薄膜制备上述电极，其化学稳定性高、柔韧性好、不易发生离子扩散，并且可以大幅度降低成本，提高产品竞争力；阵列基板制备方法中，石墨烯材质的电极，对衬底无损伤，适用于多种衬底，例如柔性衬底等；并且，整个工艺操作简单，不需要昂贵的设备，从而降低设备投资成本，能够制备大面积石墨烯薄膜，可大规模使用。
-
公开(公告)号：CN102956676A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210434581.0
申请日：2012-11-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开了一种TFT阵列基板、其制备方法及量子点发光二极管显示器件，采用半色调掩膜板以及双氧水刻蚀液，可以通过一次构图工艺分别在氧化物半导体层形成氧化物半导体层的图形，以及在源漏极层形成源漏极的图形，这样，就可以在TFT结构中将源漏极直接设置在氧化物半导体层之上，不用在两者之间设置刻蚀阻挡层；并将该TFT结构的顶栅型结构应用于QD-LED显示器件的结构中，能实现结构简单的TFT阵列基板以及QD-LED器件，节省其制作工艺流程，降低了生产成本。
-
公开(公告)号：CN102709236A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110421568.7
申请日：2011-12-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/77 , H01L29/786 , H01L29/45 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/133707 , G02F1/13439
Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于液晶显示领域。其中，该阵列基板的制造方法采用一次构图工艺同时形成所述阵列基板的源电极、漏电极和像素电极，并采用石墨烯制作所述阵列基板的像素电极和/或公共电极。石墨烯具有优良的透光性、导电性、导热性以及化学稳定性，因此，本发明的技术方案能够降低阵列基板的制造成本，提高阵列基板的性能。同时，本发明通过一次构图工艺同时形成阵列基板的源电极、漏电极和像素电极，可以减少工艺步骤，从而提高产能。
-
公开(公告)号：CN102655146A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210048574.7
申请日：2012-02-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
CPC classification number: H01L21/288 , B82Y20/00 , G02F1/13439 , G02F1/1362 , G02F1/136286 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/458 , H01L29/66742 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及显示技术，公开了一种阵列基板，阵列基板的像素结构中，漏电极和像素电极导电性连接，并且像素电极，或源电极和漏电极，或像素电极、源电极和漏电极由石墨烯形成。本发明还公开了上述阵列基板的制备方法，具体使用氧化石墨烯溶液实现图案化石墨烯薄膜的制备。本发明阵列基板中，采用石墨烯薄膜制备上述电极，其化学稳定性高、柔韧性好、不易发生离子扩散，并且可以大幅度降低成本，提高产品竞争力；阵列基板制备方法中，石墨烯材质的电极，对衬底无损伤，适用于多种衬底，例如柔性衬底等；并且，整个工艺操作简单，不需要昂贵的设备，从而降低设备投资成本，能够制备大面积石墨烯薄膜，可大规模使用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
53
records
(took 0.036 seconds)
