显示基板及其制造方法、显示装置

    公开(公告)号:CN109192762B

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN201811037594.8

    申请日:2018-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种显示基板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。该显示基板可以包括:设置在衬底基板上的多个像素单元;设置在该多个像素单元远离衬底基板一侧的封装层;设置在该封装层远离衬底基板一侧的导电膜层;以及设置在该导电膜层远离衬底基板一侧的保护膜层。由于该显示基板还包括设置在封装层和保护膜层之间的导电膜层。当保护膜层被撕裂时,由于摩擦作用产生的静电释放现象带来的电子可以释放至该导电膜层。避免了在撕裂保护膜层时,电子跃迁至显示基板中晶体管的有源层,导致晶体管的阈值电压发生偏移的问题。本发明提供的显示基板显示亮度均一性较好。

    OLED显示基板及其制作方法、显示装置

    公开(公告)号:CN107302061B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201710631205.3

    申请日:2017-07-28

    Abstract: 本发明提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,OLED显示基板的制作方法,包括在形成有阳极的基板上形成隔离柱的步骤和形成像素界定层的图形的步骤,所述形成隔离柱的步骤不迟于所述形成像素界定层的图形的步骤。可以在所述形成像素界定层的图形的步骤之前,形成所述隔离柱;或者通过一次构图工艺形成所述隔离柱和所述像素界定层的图形。本发明的技术方案能够避免有机感光材料残留在阳极上,提高OLED显示基板的良率。

    多晶硅薄膜、薄膜晶体管的制作方法、设备、显示基板

    公开(公告)号:CN107369613B

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201710601161.X

    申请日:2017-07-21

    Abstract: 本发明提供一种多晶硅薄膜、薄膜晶体管的制作方法、设备、显示基板。多晶硅薄膜的制作方法包括:在基板上沉积非晶硅薄膜;对所述非晶硅薄膜进行晶化处理,得到由非晶硅薄膜转换成的多晶硅过渡薄膜;使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变,使所述多晶硅过渡薄膜存储形变能;对具有形变能的多晶硅过渡薄膜进行激光退火处理,使所述多晶硅过渡薄膜在激光退火过程中,受形变能驱动以发生再结晶转换为多晶硅薄膜。本发明的方案能够消除多晶硅薄膜中晶粒与晶界所存在的缺陷,在应用于薄膜晶体管的有源层时,可降低薄膜晶体管的漏电流,以保证显示画面的稳定驱动。

    阵列基板及其制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109216373A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201710549810.6

    申请日:2017-07-07

    Abstract: 本发明提供一种阵列基板及其制备方法,属于阵列基板技术领域,其可至少部分解决现有的阵列基板中的低温多晶硅薄膜晶体管的有源区容易因紫外光照射而性能漂移的问题。本发明的阵列基板包括:基底;第一薄膜晶体管,其包括由硅基半导体构成的第一有源区;第二薄膜晶体管,其包括由金属氧化物半导体构成的第二有源区;与所述第二有源区同层设置且材质相同的保护层,第一薄膜晶体管导通时第一有源区导电的部分在基底上的投影不超出保护层在基底上的投影,且保护层与第一有源区之间设有绝缘层。

    一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置

    公开(公告)号:CN107658333A

    公开(公告)日:2018-02-02

    申请号:CN201711045566.6

    申请日:2017-10-31

    CPC classification number: H01L27/3244 H01L27/3248 H01L27/3262

    Abstract: 本发明公开一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置,涉及显示技术领域,防止因无机材料绝缘层受到应力时产生裂痕甚至断裂而造成柔性显示装置的品质下降甚至失效。所述柔性显示面板包括无机材料绝缘层,无机材料绝缘层包括非绝缘功能区,非绝缘功能区内设置有去除该非绝缘功能区内的无机材料绝缘层的去除过孔,去除过孔内填充有机材料;其中,非绝缘功能区的两侧均未设置与无机材料绝缘层接触的导电膜层。在不影响无机材料绝缘层的绝缘功能下,减小无机材料绝缘层的覆盖面积,利用有机材料将去除过孔填充,减小无机材料绝缘层产生裂痕甚至断裂的几率,防止柔性显示装置的品质下降甚至失效。

    多晶硅薄膜、薄膜晶体管的制作方法、设备、显示基板

    公开(公告)号:CN107369613A

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201710601161.X

    申请日:2017-07-21

    Abstract: 本发明提供一种多晶硅薄膜、薄膜晶体管的制作方法、设备、显示基板。多晶硅薄膜的制作方法包括:在基板上沉积非晶硅薄膜;对所述非晶硅薄膜进行晶化处理,得到由非晶硅薄膜转换成的多晶硅过渡薄膜;使所述多晶硅过渡薄膜发生塑性形变,使所述多晶硅过渡薄膜存储形变能;对具有形变能的多晶硅过渡薄膜进行激光退火处理,使所述多晶硅过渡薄膜在激光退火过程中,受形变能驱动以发生再结晶转换为多晶硅薄膜。本发明的方案能够消除多晶硅薄膜中晶粒与晶界所存在的缺陷,在应用于薄膜晶体管的有源层时,可降低薄膜晶体管的漏电流,以保证显示画面的稳定驱动。

    阵列基板及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107146809A

    公开(公告)日:2017-09-08

    申请号:CN201710344017.2

    申请日:2017-05-16

    CPC classification number: H01L27/3244 H01L27/1214 H01L27/3246

    Abstract: 本发明提供了一种阵列基板及其制造方法。阵列基板包括基底以及依次设置在基底上的平坦化层和像素定义层,所述平坦化层上设置有凸台,所述像素定义层设置有开口,所述凸台位于所述开口限定的区域内。制备方法包括:形成具有凸台的平坦化层;形成像素定义层,所述像素定义层具有开口,所述凸台位于所述开口限定的区域内。本发明通过在平坦化层上设置凸台,阳极设置在凸台上,有效减小了像素定义层与阳极之间的段差,避免了制备隔离柱构图工艺中造成像素限定区域的有机膜残留,提高了阵列基板的发光特性和良品率。

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