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公开(公告)号：CN103972321B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410215673.9
申请日：2014-05-21
Applicant: 云南师范大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于柔性、高效硅基薄膜太阳电池领域，具体为一种纤维状硅基薄膜太阳电池及其制备方法。本专利采用纤维状基底，若基底不导电需要先在基底上制备背电极，然后利用三室PECVD镀膜系统，在掺杂室及本征室中以SiH4、B2H6、PH3、H2、CH4、GeH4等为放电气体，在基底上依次制备n/i/p结构的硅薄膜，最后，利用磁控溅射镀膜系统p层表面制备ITO薄膜作为前电极和钝化层并包覆工作电极引出正电极”，制备出ss/n/i/p/ITO/前电极或ss/背电极/n/i/p/ITO/前电极结构的纤维状硅基薄膜太阳电池，将硅基薄膜太阳电池引入纤维化，电池具有三维采光、弯曲度大、易制备及可编织等优点。
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公开(公告)号：CN118524719A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410826866.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 云南师范大学
Abstract: 本申请涉及钙钛矿太阳电池技术领域，具体涉及一种活性层两侧掺杂的钙钛矿太阳电池及其制备方法，包括依次排布的金属电极层、空穴传输层、活性层、电子传输层、透明电极层。活性层在电子传输层一侧和空穴传输层一侧分别设置第一掺杂区和第二掺杂区。第一掺杂区和第二掺杂区内掺杂的材料为钝化材料；在活性层内靠近活性层边界处，钝化材料的浓度高，在活性层内靠近活性层中心处，钝化材料的浓度低。本发明的构思是在钙钛矿太阳能电池的活性层两侧分别设置第一掺杂区和第二掺杂区，通过掺杂不同的钝化材料，并使其扩散到活性层内，从而同时解决界面缺陷、环境稳定性和机械强度等问题，在钙钛矿太阳电池技术领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118434166A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410774415.8
申请日：2024-06-17
Applicant: 云南师范大学
Abstract: 本申请涉及钙钛矿太阳电池技术领域，具体涉及一种多维钙钛矿协同结构太阳电池，包括依次排布的金属电极层、空穴传输层、复合钙钛矿层、电子传输层、透明电极层。复合钙钛矿层包括二维钙钛矿层、零维钙钛矿层、三维钙钛矿层。二维钙钛矿层接触电子传输层；零维钙钛矿层包括多个钙钛矿量子点，零维钙钛矿层接触二维钙钛矿层；三维钙钛矿层的一侧覆盖钙钛矿量子点，三维钙钛矿层的另一侧接触空穴传输层。本发明通过多维材料协同作用，显著提高钙钛矿太阳电池的整体性能，兼顾了稳定性、光电转换效率和传输效率，推动其实际应用，在钙钛矿太阳电池技术领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN118265313A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410579852.4
申请日：2024-05-11
Applicant: 云南师范大学
Abstract: 本申请涉及钙钛矿太阳电池技术领域，具体涉及一种氧化镍纳米颗粒优化界面的反式钙钛矿太阳电池，包括从下至上依次排布的透明导电层、空穴传输层、钙钛矿材料层、电子传输层、金属导电层；该反式钙钛矿太阳电池还包括氧化镍纳米颗粒，氧化镍纳米颗粒分布在空穴传输层上、钙钛矿材料层覆盖所述氧化镍纳米颗粒。本发明利用氧化镍纳米颗粒不仅增强了空穴传输层的亲水性，而且改进了的空穴提取路径，这不仅提高了电流的产生，而且减少了电荷在界面处的积累和复合，从而增加了电池的开路电压和整体效率。综合以上效果，本发明在钙钛矿太阳电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110937477A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911283333.9
申请日：2019-12-13
Applicant: 云南师范大学
Abstract: 本发明公开一种智能化节能垂直升降电梯，具体涉及垂直升降电梯技术领域。本发明提供的智能化节能垂直升降电梯，与现有的垂直升降电梯相比，能够识别在楼层按钮被按下，楼层却没人的情况，垂直升降电梯不在该楼层停靠，保持继续行进。在楼层外的上下按钮增加了取消方式，即让按错的人能够取消垂直升降电梯停靠，让垂直升降电梯继续行进，且能够根据楼层内的实际人流情况作出分析，根据分析，能够提前控制垂直升降电梯在特定时间使用频繁的垂直升降电梯楼层提前停靠，在没人乘坐垂直升降电梯情况下，控制垂直升降电梯停靠在频繁使用垂直升降电梯楼层的附近，减少了再次将垂直升降电梯从初始层运行到相应楼层的能耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104404462A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410649289.X
申请日：2014-11-17
Applicant: 云南师范大学
Abstract: 本发明涉及一种共溅射低温快速制备多晶硅薄膜的方法，采用磁控溅射镀膜系统，以玻璃片为衬底，在衬底上利用共溅射法溅射制备Al/a-Si复合膜，将Al均匀填埋在a-Si薄膜中，通过调节Al/Si共溅射的功率比可控制薄膜中的Al/Si含量。采用Si溅射功率为100~350W、Al溅射功率20~30W共溅射制备出Al/a-Si复合膜，再将其放入RTP快速光热退火炉中于N2气氛下150℃~300℃退火10~15min，可得到晶化率为45%~90%、晶粒尺寸为20~100nm的多晶硅薄膜，提高了晶化效率，实现了低温快速制备出晶化率高、均匀性好的多晶硅薄膜。
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公开(公告)号：CN103972326A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310577491.1
申请日：2013-11-19
Applicant: 云南师范大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供基于彩色纳米硅薄膜太阳电池材料及制备方法。这种材料及方法可赋予纳米硅薄膜太阳电池表面不同色彩，制备出纳米硅彩色太阳电池。主要是在TCO玻璃衬底上制备不同厚度的P型a-Si薄膜及Al膜，结合N2气氛中的低温快速光热退火。通过薄膜沉积工艺、退火温度、升温降温速率和退火时间的调控，可制备出不同厚度、不同物相及不同表面形貌的P型纳米硅薄膜，并具有不同的折射率、吸收系数和反射率等光学性能参数，表面呈现出不同色彩，将其用于硅薄膜太阳电池的P层，可制备出纳米硅彩色太阳电池。
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公开(公告)号：CN119343024A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411494201.1
申请日：2024-10-24
Applicant: 云南师范大学
Abstract: 本申请属于钙钛矿太阳电池技术领域，具体涉及一种应用电场促进二维钙钛矿薄膜垂直取向生长的方法，包括：步骤1、将复合基底固定在旋涂台上；步骤2、在复合基底上旋涂前驱体溶液，在步骤2中，在垂直方向施加电场。本发明引入电场，电场作用使无机层垂直于复合基底排列，减少水平取向的形成，优化载流子传输路径，提升了电荷传输效率，本发明适用于多种前驱体溶液和基底材料，且工艺简单易控，能实现大面积薄膜的均匀生长，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN117923469A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311715944.2
申请日：2023-12-14
Applicant: 云南师范大学
Abstract: 本发明公开了镓基合金室温相变还原碳氧化物制备二维碳薄膜的方法，包括如下步骤：步骤S1：在密闭容器中加入含金属镓的混合金属颗粒并密封；步骤S2：去除容器中的空气，置换为高纯度的CO或CO2气体；步骤S3：持续搅拌或震荡；步骤S4：含金属镓的混合金属颗粒在室温下转变为液相；金属颗粒液相转变过程中CO或CO2气体被还原为碳材料覆盖在液态金属表面；步骤S5：剥离二维碳薄膜，即得到二维碳薄膜。通过本发明的方法能够在室温条件下直接将CO或CO2气体转化为具有优良性能的二维碳薄膜；不仅能够解决环境问题，同时实现了二维碳薄膜的简单制备，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104409526B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410719769.9
申请日：2014-12-03
Applicant: 云南师范大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/076 , H01L31/028 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于隧穿反射层的高效硅基薄膜多结太阳电池，属于高效硅基薄膜太阳电池领域。该电池从上到下包含顶电池、隧穿反射层TRR1、中电池、隧穿反射层TRR2和底电池，其中所述顶、中、底电池的吸收层为硅基薄膜或硅基合金薄膜，且Eg顶>Eg中>Eg底；其中所述隧穿反射层为P型掺铝的硅氧薄膜（a-SiOx:Al），此隧穿反射层不仅具有中间反射层对短波反射、长波透射的光学特点，还能增加子电池隧道结处的缺陷态密度，促进光生载流子在界面处复合，降低寄生势垒。采用本发明提供的基于隧穿反射层的电池结构有利于提高硅基薄膜多结太阳电池的匹配电流，降低子电池交界处的光学和电学损失，能有效地提高电池的转换效率和稳定性。
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