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公开(公告)号：CN117832069A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410046641.4
申请日：2024-01-12
Abstract: 本发明涉及半导体材料与器件制备工艺领域，为解决现有技术下无法在不使用任何缓冲层的情况下直接将GaN与Si衬底结合的问题，提供一种不同极性面GaN和Si晶圆键合制备方法，包括如下步骤：衬底1上依次生长界面缓冲层和GaN层，形成异质结构器件；使用等离子体激发源轰击异质结构器件的GaN层和Si晶圆衬底2的表面，再通过表面激活键合使GaN层和Si晶圆衬底2的表面直接接触键合；通过刻蚀去除衬底1和界面缓冲层后在保护性气氛下进行退火。该方法可制备大尺寸的超薄GaN/Si异质结构复合材料，该GaN/Si异质结构复合材料的界面应力小、界面热阻低，制备良品率高。
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公开(公告)号：CN119372762A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411966593.7
申请日：2024-12-30
Applicant: 乌镇实验室
IPC: C30B11/00 , C30B29/46 , C30B27/00 , H10N10/852
Abstract: 本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种Cu8GeSe6基热电晶体的制备方法，包括以下步骤：将单质混合熔融制成Cu8GeSe6基多晶体；将Cu8GeSe6基多晶体置于热导率高于100 W·m‑1·K‑1的坩埚内，真空密封后放入垂直生长炉中；垂直生长炉内自上而下设有温度依次降低的温区I、温区II和温区III；将装有Cu8GeSe6基多晶体的坩埚在温区I内进行晶体熔化后，下移至温区II内进行晶体生长，再下移至温区III内进行退火。本发明的制备方法能够减少Cu8GeSe6基热电晶体内的孔洞，从而提高其力学强度，同时还能使Cu8GeSe6基热电晶体在300~500 K温度范围内具有更低的热导率。
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公开(公告)号：CN119372786A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411963310.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 乌镇实验室
IPC: C30B29/46 , C30B11/00 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明涉及热电半导体材料技术领域，公开了一种CuAgSe基热电半导体晶体及其制备方法，该材料以单质Cu、单质Ag和单质Se为原料经过熔融处理和布里奇曼生长法制成；该材料与加压烧结法制成的CuAgSe基热电半导体晶体相比，电导率高、泽贝克系数略低、热导率相当，热电优值高，热电性能高；该方法通过控制降温梯度和多晶材料在降温梯度中的移动速率使晶体生长的单一取向性高的CuAgSe晶体，该方法通过控制降温梯度可显著降低晶体中第二相的含量，能够直接获得单一取向性高的CuAgSe晶体且无需对第二相进行剔除加工，CuAgSe多晶原料的利用率显著提高。
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公开(公告)号：CN117385473A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311709975.7
申请日：2023-12-13
Applicant: 乌镇实验室
Abstract: 本发明涉及半导体领域，针对目前制备四元类金刚石结构化合物尺寸、性能受限的问题，提供一种四元铜基类金刚石半导体晶体的制备方法，步骤为1高纯单质经过熔融反应得到类金刚石Cu2XYZ4晶体原料；2将晶体原料放入石英坩埚，抽真空密封；3将石英坩埚放入垂直生长炉内，石英坩埚依次经过高温熔化区、中温生长区和低温退火区，得到产物；所述高温熔化区的温度为950‑1200℃、中温生长区的温度为750‑950℃、低温退火区的温度为450‑750℃；中温生长区的温度梯度为10‑30℃/cm，石英坩埚在中温生长区的移动速率为0.2‑3mm/h。本发明可以获得大尺寸、性能优异的四元铜基类金刚石半导体晶体，而且工艺简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119372787A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411963312.2
申请日：2024-12-30
Applicant: 乌镇实验室
IPC: C30B29/46 , H10N10/852 , C30B11/00
Abstract: 本发明涉及热电半导体材料技术领域，公开了一种大尺寸CoSbS基热电半导体晶体及其制备方法，大尺寸CoSbS基热电半导体晶体采用CoSbS多晶原料进行熔融生长法制成，CoSbS多晶原料采用单质Co颗粒、单质Sb颗粒以及单质S颗粒在650~750℃下摇摆熔融制成，摇摆熔融时将单质S颗粒置于单质Co颗粒和单质Sb颗粒的下层；该热电半导体晶体电导率优异，此外，该方法制备的热电半导体晶体尺寸大，工艺简单，还能够显著降低CoSbS多晶原料中硫元素损失率。
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公开(公告)号：CN118621446A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310221991.5
申请日：2023-03-09
Applicant: 乌镇实验室
Abstract: 本发明提供一种硫化银半导体晶体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)分别称量高纯度的Ag和S颗粒作为初始原料，其中Ag：S的摩尔比1.8～2.2：1；(2)将所述初始原料进行真空密封，在摇摆炉中升温至熔融温度1000～1100℃并保温0.5～4h后冷却得到多晶棒；(3)将多晶棒真空密封，放置位于三温区晶体生长炉的高温区保温，所述高温区的温度为920～1000℃，然后以0.5～3mm/h的速度下降并经过温度梯度为30～35℃/cm的梯度区；随后进入三温区晶体生长炉的低温区，所述低温区的温度为400～600℃；获得Ag2S晶体；(4)将获得的晶体进行退火，退火温度为700～900℃，退火时间为5～20h。本发明解决了现有制备方法存在的工艺繁琐，条件苛刻，生长尺寸较小等问题。
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公开(公告)号：CN117715497B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410166978.9
申请日：2024-02-06
Applicant: 乌镇实验室
IPC: H10N10/853 , H10N10/01
Abstract: 本发明涉及热电材料领域，针对方钴矿基材料抗氧化性能差的问题，提供一种抗氧化方钴矿基热电复合材料及其制备方法。复合材料由方钴矿热电材料基体和纳米第二相材料组成，其中，第二相材料为硅或石墨，第二相材料占复合材料的体积比为0.1‑20 vol.%，复合材料在650‑850 K温度下不发生粉化。热电优值为方钴矿热电材料基体的0.8‑1.2倍。复合材料的制备方法采用放电等离子体烧结或者热压烧结。本发明在方钴矿材料中加入纳米第二相材料硅，在不恶化方钴矿基热电材料热电性能的同时，大幅度提升其抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN117385473B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311709975.7
申请日：2023-12-13
Applicant: 乌镇实验室
Abstract: 本发明涉及半导体领域，针对目前制备四元类金刚石结构化合物尺寸、性能受限的问题，提供一种四元铜基类金刚石半导体晶体的制备方法，步骤为1高纯单质经过熔融反应得到类金刚石Cu2XYZ4晶体原料；2将晶体原料放入石英坩埚，抽真空密封；3将石英坩埚放入垂直生长炉内，石英坩埚依次经过高温熔化区、中温生长区和低温退火区，得到产物；所述高温熔化区的温度为950‑1200℃、中温生长区的温度为750‑950℃、低温退火区的温度为450‑750℃；中温生长区的温度梯度为10‑30℃/cm，石英坩埚在中温生长区的移动速率为0.2‑3mm/h。本发明可以获得大尺寸、性能优异的四元铜基类金刚石半导体晶体，而且工艺简单。
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公开(公告)号：CN117715497A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410166978.9
申请日：2024-02-06
Applicant: 乌镇实验室
IPC: H10N10/853 , H10N10/01
Abstract: 本发明涉及热电材料领域，针对方钴矿基材料抗氧化性能差的问题，提供一种抗氧化方钴矿基热电复合材料及其制备方法。复合材料由方钴矿热电材料基体和纳米第二相材料组成，其中，第二相材料为硅或石墨，第二相材料占复合材料的体积比为0.1‑20 vol.%，复合材料在650‑850 K温度下不发生粉化。热电优值为方钴矿热电材料基体的0.8‑1.2倍。复合材料的制备方法采用放电等离子体烧结或者热压烧结。本发明在方钴矿材料中加入纳米第二相材料硅，在不恶化方钴矿基热电材料热电性能的同时，大幅度提升其抗氧化性能。
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