公开(公告)号：CN103650176B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201280034634.8

申请日：2012-05-25

Applicant: 丸文株式会社 ,  东芝机械株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所 ,  株式会社爱发科

Inventor： 鹿岛行雄 ,  松浦惠里子 ,  西原浩巳 ,  田代贵晴 ,  大川贵史 ,  平山秀树 ,  藤川纱千惠 ,  尹成圆 ,  高木秀树 ,  上村隆一郎 ,  长田大和

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L22/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。

公开(公告)号：CN103650176A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280034634.8

申请日：2012-05-25

Applicant: 丸文株式会社 ,  东芝机械株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所 ,  株式会社爱发科

Inventor： 鹿岛行雄 ,  松浦惠里子 ,  西原浩巳 ,  田代贵晴 ,  大川贵史 ,  平山秀树 ,  藤川纱千惠 ,  尹成圆 ,  高木秀树 ,  上村隆一郎 ,  长田大和

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L22/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其特征在于，在光提取层具有由具有不同折射率的两个系统（结构体）构成的周期结构，即所述两个系统（结构体）的界面满足布拉格散射的条件，且具有光子带隙的光子晶体周期结构。

公开(公告)号：CN105283968A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480012061.8

申请日：2014-07-16

Applicant: 丸文株式会社 ,  东芝机械株式会社 ,  国立研究开发法人理化学研究所 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社爱发科 ,  东京应化工业株式会社

Inventor： 鹿岛行雄 ,  松浦惠里子 ,  小久保光典 ,  田代贵晴 ,  大川贵史 ,  平山秀树 ,  尹成圆 ,  高木秀树 ,  上村隆一郎 ,  长田大和 ,  岛谷聪

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/22 ,  G06F17/10 ,  G06F17/5009 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，是在构成以设计波长为λ的半导体发光元件的各层间的一个以上的界面上，具有由不同折射率的两个结构体构成的光子晶体周期结构的半导体发光元件，其特征在于，所述设计波长λ及作为所述一个以上的各周期结构的参数的周期a和半径R满足布拉格条件，所述周期a和半径R的比(R/a)为，以使TE光的预定的光子带隙(PBG)在每个该周期结构为最大的形式而决定的值，各周期结构参数为，通过采用FDTD法的模拟的解析结果，以使对于所述波长λ的半导体发光元件整体的光提取效率为最大的形式而决定的参数，该FDTD法是以根据所述布拉格条件的次数m决定的周期a和半径R、及0.5a以上的该周期结构的深度h作为变数而进行的。