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公开(公告)号：CN106885830B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201710052874.5
申请日：2017-01-24
申请人： 临沂大学
摘要： 本发明公开了一种低温硫化氢气敏材料及其制备方法，属于电化学技术领域。解决了现有气敏材料无法实现超低温极端条件下气体探测的问题，所述材料是由连续分布的Cu2O和周期性间隔分布的Co3O4构成的纳米线周期性阵列结构。制备方法包括(1)配置电解液；(2)以硅片或玻璃片为基底，在两铜箔片电极间滴加电解液；(3)在控温生长室内将电解液制冷结冰，放置20‑40分钟；(4)在电极上施加半正弦波形沉积电压使电解质沉积；(5)沉积结束后取出基底并用去离子水清洗，得到附着在基底上的Cu2O/Co3O4基低温H2S气敏材料。本发明可用于超低温极端条件下H2S气体的探测。
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公开(公告)号：CN104928737B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510345682.4
申请日：2015-06-19
申请人： 临沂大学
摘要： 本发明公开了一种二维空间电化学沉积纳微有序结构材料的改进方法，属于电化学技术领域。解决了现有技术实验重复率不高，产品生产效率低的问题。本发明以带有尖端的、有规律形状的箔片电极作为阴极代替现有技术中的普通直条状箔片电极，能有效增加和控制生长点的个数和位置，并增加纳微有序结构材料的总面积，达到提高实验重复率和产品生产效率的目的。本发明方法适合制备纳微有序结构材料。
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公开(公告)号：CN105671604A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610052882.5
申请日：2016-01-26
申请人： 临沂大学
摘要： 本发明公开了一种二维电化学构建纳微电学元件的改进方法，属于电化学技术领域。解决了现有方法制备的纳微电学元件成本高、效率低、电学元件性能差的问题。其包括以下步骤：(1)制备连接电极：以绝缘材料为基底，将掩膜平行地放置在基底的中间位置，将基底放入溅射室，在其表面沉积一层导电性良好的薄膜，去掉掩膜即得连接电极；(2)二维电化学沉积纳微电学元件：将两个连接电极用导线与电源连接后，将基底放入电化学生长室内，在两电极间滴加电解液，控制温度使电解液结冰，然后在电极上施加沉积电势，样品沉积结束后，取出基底用超纯水洗净，即得到附着在基底上的二维纳微电学元件。本发明方法适用于制备二维纳微电学元件。
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公开(公告)号：CN104928737A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510345682.4
申请日：2015-06-19
申请人： 临沂大学
摘要： 本发明公开了一种二维空间电化学沉积纳微有序结构材料的改进方法，属于电化学技术领域。解决了现有技术实验重复率不高，产品生产效率低的问题。本发明以带有尖端的、有规律形状的箔片电极作为阴极代替现有技术中的普通直条状箔片电极，能有效增加和控制生长点的个数和位置，并增加纳微有序结构材料的总面积，达到提高实验重复率和产品生产效率的目的。本发明方法适合制备纳微有序结构材料。
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公开(公告)号：CN115950923A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310077480.0
申请日：2023-01-31
申请人： 临沂大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明属于电化学技术领域，公开了一种用于生物硫化氢快捷检测的超灵敏传感材料及其制备方法。本发明将两电极放置在基底上，然后在两电极之间加入电解液，再盖上盖玻片；控制温度使电解液结冰，然后在两电极之间施加沉积电压，沉积结束后得到传感材料，其中电解液包括以下原料：硝酸铜、硝酸、碳纳米纤维、水。为解决目前口腔呼出硫化氢快速便捷检测的技术空白，本发明通过针对性结构设计，利用电化学方法制备出一种基于Cu2O/CNF异质结构材料，该材料拥有清晰的异质界面，并充分利用异质界面场调控及氧化亚铜硫化反应的协同作用，可在室温下实现对ppb量级硫化氢精准检测。
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公开(公告)号：CN106885830A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710052874.5
申请日：2017-01-24
申请人： 临沂大学
摘要： 本发明公开了一种低温硫化氢气敏材料及其制备方法，属于电化学技术领域。解决了现有气敏材料无法实现超低温极端条件下气体探测的问题，所述材料是由连续分布的Cu2O和周期性间隔分布的Co3O4构成的纳米线周期性阵列结构。制备方法包括(1)配置电解液；(2)以硅片或玻璃片为基底，在两铜箔片电极间滴加电解液；(3)在控温生长室内将电解液制冷结冰，放置20‑40分钟；(4)在电极上施加半正弦波形沉积电压使电解质沉积；(5)沉积结束后取出基底并用去离子水清洗，得到附着在基底上的Cu2O/Co3O4基低温H2S气敏材料。本发明可用于超低温极端条件下H2S气体的探测。
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公开(公告)号：CN105671604B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610052882.5
申请日：2016-01-26
申请人： 临沂大学
摘要： 本发明公开了一种二维电化学构建纳微电学元件的改进方法，属于电化学技术领域。解决了现有方法制备的纳微电学元件成本高、效率低、电学元件性能差的问题。其包括以下步骤：(1)制备连接电极：以绝缘材料为基底，将掩膜平行地放置在基底的中间位置，将基底放入溅射室，在其表面沉积一层导电性良好的薄膜，去掉掩膜即得连接电极；(2)二维电化学沉积纳微电学元件：将两个连接电极用导线与电源连接后，将基底放入电化学生长室内，在两电极间滴加电解液，控制温度使电解液结冰，然后在电极上施加沉积电势，样品沉积结束后，取出基底用超纯水洗净，即得到附着在基底上的二维纳微电学元件。本发明方法适用于制备二维纳微电学元件。
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