发明授权
CN105671604B 二维电化学构建纳微电学元件的改进方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 二维电化学构建纳微电学元件的改进方法
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申请号: CN201610052882.5申请日: 2016-01-26
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公开(公告)号: CN105671604B公开(公告)日: 2018-08-21
- 发明人: 张品华 , 崔光亮 , 陈丽
- 申请人: 临沂大学
- 申请人地址: 山东省临沂市兰山区通达路18号
- 专利权人: 临沂大学
- 当前专利权人: 临沂大学
- 当前专利权人地址: 山东省临沂市兰山区通达路18号
- 代理机构: 青岛发思特专利商标代理有限公司
- 代理商 董宝锞
- 主分类号: C25D5/00
- IPC分类号: C25D5/00 ; C25D17/12 ; C25D7/00 ; C25D5/54 ; C23C14/04 ; C23C14/34
摘要:
本发明公开了一种二维电化学构建纳微电学元件的改进方法,属于电化学技术领域。解决了现有方法制备的纳微电学元件成本高、效率低、电学元件性能差的问题。其包括以下步骤:(1)制备连接电极:以绝缘材料为基底,将掩膜平行地放置在基底的中间位置,将基底放入溅射室,在其表面沉积一层导电性良好的薄膜,去掉掩膜即得连接电极;(2)二维电化学沉积纳微电学元件:将两个连接电极用导线与电源连接后,将基底放入电化学生长室内,在两电极间滴加电解液,控制温度使电解液结冰,然后在电极上施加沉积电势,样品沉积结束后,取出基底用超纯水洗净,即得到附着在基底上的二维纳微电学元件。本发明方法适用于制备二维纳微电学元件。
公开/授权文献
- CN105671604A 二维电化学构建纳微电学元件的改进方法 公开/授权日:2016-06-15