公开(公告)号：CN103688180A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280003753.7

申请日：2012-07-18

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 长内洋介 ,  牛岛隆志

IPC: G01R31/28

CPC classification number: H01L22/10 ,  G01R31/2601 ,  G01R31/2863 ,  H01L22/14 ,  H01L22/32

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的检验装置、检验系统、检验方法、以及检验完成的半导体装置的制造方法，所述半导体装置的检验装置对半导体装置的输出信号进行检验，其具有：监视器装置，其对监视器线路上的信号进行检测；多个检验电路，其被连接于监视器线路。各个检验电路具有：半导体装置支承件，其上能够设置半导体装置，且具有使信号从所设置的半导体装置输入的信号端子；第一电阻器，其被连接在信号端子与监视器线路之间；选择器端子；第一二极管，其以使选择器端子侧成为阴极的方式而被连接在信号端子与选择器端子之间。

公开(公告)号：CN115966515A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211225008.9

申请日：2022-10-09

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  浜松光子学株式会社

Inventor： 牛岛隆志 ,  加藤孝三 ,  长里喜隆 ,  长屋正武 ,  星真一 ,  河口大祐 ,  原佳祐

IPC: H01L21/78

Abstract: 半导体器件的制造方法包括沟槽形成步骤、激光照射步骤和剥离步骤。在沟槽形成步骤中，沟槽形成于半导体衬底(1)的其上形成有器件结构的第一主表面(1a)上。在激光照射步骤中，激光从半导体衬底的第二主表面照射到平面表面(3)上，该平面表面在半导体衬底的预定深度处定位并延伸。在剥离步骤中，器件层(2)从半导体衬底沿激光照射的平面表面剥离。剥离步骤可以在沟槽未填充或填充有具有比半导体衬底更低的热膨胀系数的材料的状态下进行。

公开(公告)号：CN104425296A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410439886.X

申请日：2014-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 牛岛隆志 ,  今井敦志 ,  野原二郎

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置(10)的制造方法，包括将具有开口(42)的掩模(20)置于基板(18)的上表面的外部区域(24)上，以将所述掩模的所述开口的端部(44)正好定位在形成于所述基板的所述上表面上的凹部(20)的上方，所述外部区域位于所述凹部的外侧。所述制造方法进一步包括：在将所述掩模置于所述基板上之后，通过所述掩模，在所述基板的所述上表面的一部分上使导电膜(16)生长，所述上表面的所述一部分包含所述凹部；以及在使所述导电膜生长之后，将所述掩模从所述基板移除。

公开(公告)号：CN117352382A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310789900.8

申请日：2023-06-30

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 长谷川圣也 ,  牛岛隆志 ,  石田崇 ,  恩田正一 ,  笹冈千秋 ,  小岛淳

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/268

Abstract: 半导体装置具备氮化镓基板以及设在上述氮化镓基板的表面的图案膜。上述氮化镓基板的沿着上述表面的第1方向的杨氏模量大于沿着上述表面且与上述第1方向正交的第2方向的杨氏模量。上述氮化镓基板的上述第1方向的尺寸除以上述氮化镓基板的上述第2方向的尺寸而得到的第1比率R1、和上述图案膜的上述第1方向的尺寸除以上述图案膜的上述第2方向的尺寸而得到的第2比率R2满足R1

公开(公告)号：CN104425296B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410439886.X

申请日：2014-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 牛岛隆志 ,  今井敦志 ,  野原二郎

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置(10)的制造方法，包括将具有开口(42)的掩模(20)置于基板(18)的上表面的外部区域(24)上，以将所述掩模的所述开口的端部(44)正好定位在形成于所述基板的所述上表面上的凹部(20)的上方，所述外部区域位于所述凹部的外侧。所述制造方法进一步包括：在将所述掩模置于所述基板上之后，通过所述掩模，在所述基板的所述上表面的一部分上使导电膜(16)生长，所述上表面的所述一部分包含所述凹部；以及在使所述导电膜生长之后，将所述掩模从所述基板移除。

公开(公告)号：CN103688180B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280003753.7

申请日：2012-07-18

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 长内洋介 ,  牛岛隆志

IPC: G01R31/28

CPC classification number: H01L22/10 ,  G01R31/2601 ,  G01R31/2863 ,  H01L22/14 ,  H01L22/32

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的检验装置、检验系统、检验方法、以及检验完成的半导体装置的制造方法，所述半导体装置的检验装置对半导体装置的输出信号进行检验，其具有：监视器装置，其对监视器线路上的信号进行检测；多个检验电路，其被连接于监视器线路。各个检验电路具有：半导体装置支承件，其上能够设置半导体装置，且具有使信号从所设置的半导体装置输入的信号端子；第一电阻器，其被连接在信号端子与监视器线路之间；选择器端子；第一二极管，其以使选择器端子侧为阴极的方式而被连接在信号端子与选择器端子之间。