公开(公告)号：CN104425296B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410439886.X

申请日：2014-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 牛岛隆志 ,  今井敦志 ,  野原二郎

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置(10)的制造方法，包括将具有开口(42)的掩模(20)置于基板(18)的上表面的外部区域(24)上，以将所述掩模的所述开口的端部(44)正好定位在形成于所述基板的所述上表面上的凹部(20)的上方，所述外部区域位于所述凹部的外侧。所述制造方法进一步包括：在将所述掩模置于所述基板上之后，通过所述掩模，在所述基板的所述上表面的一部分上使导电膜(16)生长，所述上表面的所述一部分包含所述凹部；以及在使所述导电膜生长之后，将所述掩模从所述基板移除。

公开(公告)号：CN104425296A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410439886.X

申请日：2014-09-01

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 牛岛隆志 ,  今井敦志 ,  野原二郎

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置(10)的制造方法，包括将具有开口(42)的掩模(20)置于基板(18)的上表面的外部区域(24)上，以将所述掩模的所述开口的端部(44)正好定位在形成于所述基板的所述上表面上的凹部(20)的上方，所述外部区域位于所述凹部的外侧。所述制造方法进一步包括：在将所述掩模置于所述基板上之后，通过所述掩模，在所述基板的所述上表面的一部分上使导电膜(16)生长，所述上表面的所述一部分包含所述凹部；以及在使所述导电膜生长之后，将所述掩模从所述基板移除。