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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105990501A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610157616.9
申请日：2016-03-18
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2924/181 , H01L2933/0091 , H01L2924/00012 , H01L33/48 , H01L2933/0033
Abstract: 公开了一种发光装置和用于制造发光装置的方法，该装置包括：具有蓝宝石衬底和半导体层的半导体发光元件；安装板；以及透光构件，其中：蓝宝石衬底通过粘合材料粘结到透光构件；半导体发光元件以倒装芯片形式安装到安装板上；以及在安装板侧的蓝宝石衬底中形成有粗糙外缘部。
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公开(公告)号：CN105225927A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510369433.9
申请日：2015-06-26
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L21/02019 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供了一种制造能够形成合适形状的抗蚀剂和具有高精度的精细浮凸结构的蓝宝石基底的方法，以及制造第III族氮化物半导体发光器件的方法。制造蓝宝石基底的方法包括形成第一抗蚀剂图案，形成第二抗蚀剂图案，以及蚀刻蓝宝石晶片的步骤。形成第二抗蚀剂图案的步骤包括：在第一阶段期间，通过向第一抗蚀剂图案提供Cl2气蚀刻抗蚀剂的第一步骤；在第二阶段期间，向通过第一阶段的蚀刻而获得的中间抗蚀剂图案辐照被制成等离子体的稀有气体的步骤；以及在第三阶段期间，通过提供Cl2并且对中间抗蚀剂图案进行蚀刻来形成抗蚀剂的第二步骤。
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公开(公告)号：CN118588843A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410078352.2
申请日：2024-01-18
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 提供一种发光装置，是发光元件被密封于液体的发光装置，能够提高光取出效率，并且实现窄配光化。提供发光装置(1)，其具备：发光元件(11)，其安装在基板(10)上；透镜(12)，其以覆盖发光元件(11)的方式被覆在基板(10)上；环状的突起(16)，其设置于基板(10)上的发光元件(11)的四周；以及密封液(13)，其收容于比透镜(12)靠内侧的空间，对发光元件(11)进行密封，密封液(13)以在上述空间中被空气的层(15)从四周包围的方式利用表面张力在基板(10)与透镜(12)的内表面的在发光元件(11)的上方处的区域(121)之间保持形状，密封液(13)的与基板(10)形成接触这部分的形状由突起(16)保持，密封液(13)从下方朝向上方向横向扩张。
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公开(公告)号：CN118588842A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410073762.8
申请日：2024-01-18
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 谷山嘉纪
Abstract: 提供一种发光装置，是发光元件被密封于液体的发光装置，能够抑制因液体所含的气泡引起的光取出效率的降低。提供发光装置(1)，具备：发光元件(11)，其安装在基板(10)上；透镜(12)，其以覆盖发光元件(11)的方式被覆在基板(10)上；以及密封液(13)，其被封入透镜(12)的内侧的空间，对发光元件(11)进行密封，透镜(12)的内表面在与发光元件(11)的光轴(L)不重叠的位置具有向上侧凹入的凹陷(121)，凹陷(121)的位置比上述内表面的在光轴(L)上的点(P)的位置高，从光轴(L)上的点(P)至凹陷(121)为止这段区间，上述内表面的高度单调增加。
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