-
公开(公告)号：CN109505011A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811422065.X
申请日：2018-11-27
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC分类号： C30B29/30 , C30B31/02 , C30B33/00 , H01L41/187 , H01L41/39
摘要： 本发明涉及一种用于声表面波（SAW）器件的压电晶片及其制备方法。本发明提供了一种压电晶片，其表层为具有近化学计量比结构的富锂层+还原层、厚度为几微米至几十微米，第二层为热释电效应弱的还原层，第三层为晶片基底层。为了实现上述多层结构，本发明提供了一种通过气相平衡运输方式（VTE）对经过还原处理的铌酸锂、钽酸锂晶片（还原片）进行富锂化的方法，使锂离子占据晶片表层中的锂空位。同时本发明还提供了一种通过优化丝网印刷碳酸锂粉工艺，对经过VTE处理的表层富锂化的铌酸锂、钽酸锂晶片进行还原处理的方法。最终通过上述方法实现了具有表层晶格缺陷少、热释电效应弱的铌酸锂、钽酸锂多层结构的压电晶片。
-
公开(公告)号：CN107620125A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710915938.X
申请日：2017-09-30
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
摘要： 本发明目的提供一种钽酸锂或铌酸锂晶片的黑化处理方法；一种无氧富锂浓度气氛条件下，高温（居里温度以下）处理钽酸锂、铌酸锂晶片的工艺方法，通过此工艺方法可提高晶片的电导率，迅速消除由于温度变化而产生的表面电荷，不产生电荷累积，达到减弱热释电效应的目的。
-
公开(公告)号：CN107740190A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710914455.8
申请日：2017-09-30
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
CPC分类号： C30B33/02 , C30B29/30 , C30B33/005
摘要： 本发明目的提供一种黑化钽酸锂的处理方法；一种无氧富锂浓度气氛条件下，高温（居里温度以下）处理钽酸锂、铌酸锂晶片的工艺方法，通过此工艺方法可提高晶片的电导率，迅速消除由于温度变化而产生的表面电荷，不产生电荷累积，达到减弱热释电效应的目的。
-
公开(公告)号：CN107675261A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710915925.2
申请日：2017-09-30
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
摘要： 本发明目的提供一种铌酸锂的黑化处理方法；一种无氧富锂浓度气氛条件下，高温（居里温度以下）处理铌酸锂晶片的工艺方法，通过此工艺方法可提高晶片的电导率，迅速消除由于温度变化而产生的表面电荷，不产生电荷累积，达到减弱热释电效应的目的。
-
-
公开(公告)号：CN106100601A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610378566.7
申请日：2016-05-31
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/171 , H03H9/54 , H03H2003/023
摘要： 本发明提出一种采用超薄压电单晶体制作的薄膜体声波谐振器，包括具有地室的高阻衬底、由上金属电极和下金属电极夹持压电体组成的三明治有源结构，三明治有源结构设置于高阻衬底上端；所述压电体为超薄压电单晶体，地室内设有若干根支柱。超薄压电单晶体所用的压电单晶体，为所有可实用化的压电单晶体，如石英、钽酸锂、铌酸锂、四硼酸锂、锗酸铋、硅酸铋、硅酸镓镧系列、正磷酸铝和铌酸钾。所用的高阻衬底，为硅、石英、碳化硅、三氧化二铝、蓝宝石、金刚石等微电子技术常用衬底材料。本发明的优点有：超薄压电单晶体，晶体完整性未被破坏，为完美单晶；可以自由选择晶体及其晶向，优化器件性能；超薄压电单晶体生产技术前景明朗。
-
公开(公告)号：CN107620124A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710914435.0
申请日：2017-09-30
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
摘要： 本发明目的提供一种钽酸锂的黑化处理方法；一种无氧富锂浓度气氛条件下，高温（居里温度以下）处理钽酸锂、铌酸锂晶片的工艺方法，通过此工艺方法可提高晶片的电导率，迅速消除由于温度变化而产生的表面电荷，不产生电荷累积，达到减弱热释电效应的目的。
-
公开(公告)号：CN209619506U
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201821959762.4
申请日：2018-11-27
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC分类号： C30B29/30 , C30B31/02 , C30B33/00 , H01L41/187 , H01L41/39
摘要： 本实用新型涉及一种用于声表面波（SAW）器件的压电晶片及其制备方法。本实用新型提供了一种压电晶片，其表层为具有近化学计量比结构的富锂层+还原层、厚度为几微米至几十微米，第二层为热释电效应弱的还原层，第三层为晶片基底层。为了实现上述多层结构，本实用新型提供了一种通过气相平衡运输方式（VTE）对经过还原处理的铌酸锂、钽酸锂晶片（还原片）进行富锂化的方法，使锂离子占据晶片表层中的锂空位。同时本实用新型还提供了一种通过优化丝网印刷碳酸锂粉工艺，对经过VTE处理的表层富锂化的铌酸锂、钽酸锂晶片进行还原处理的方法。最终通过上述方法实现了具有表层晶格缺陷少、热释电效应弱的铌酸锂、钽酸锂多层结构的压电晶片。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.04 秒)
