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公开(公告)号：CN111755594A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910236324.8
申请日：2019-03-27
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC分类号： H01L41/33 , H01L41/337 , G02B6/122 , G02B6/13 , H03H9/25
摘要： 本发明属于微电子器件技术领域，是为了解决现有技术中很难获得数微米且晶体性能良好的单晶箔的不足，而提供一种采用机械减薄加上化学腐蚀减薄的方式，尤其是利用了畴极性面的化学腐蚀速率的差异，使得压电层可以达到更薄的厚度的制作超薄压电单晶箔的方法以及其作为有源器件在光波导器件和高频声表面波器件中的应用。本发明采用机械减薄工艺将压电单晶箔减薄至几十微米，然后再利用压电单晶畴极性面的化学腐蚀速率的差异，形成化学减薄的自阻挡层，将压电单晶箔层减薄至数微米。本发明方案弥补了机械减薄只能减薄至几十微米的缺陷，同时也避免了离子切片技术对晶体性能的劣化，并且可以获得表面均匀性较好的超薄单晶箔。
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公开(公告)号：CN105427570A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511008380.4
申请日：2015-12-29
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
CPC分类号： G08C17/02 , G06K17/0022 , G08C23/02
摘要： 本发明涉及一种通用电抗型传感元件用无源无线遥测接口芯片，其衬底为压电基片。芯片上集成有一个或多个谐振频率各不相同的声表面波谐振器，和与各声表面波谐振器配套的电感电容，各声表面波谐振器与配套的电感电容构成低失配网络。前述一个芯片就是一个通用电抗型传感元件的无线遥测接口，配上天线，就构成声表面波谐振器接口型无线传感应答器。通用电抗型传感元件输出的模拟传感信号被变换为射频回波频率信号，实现了通用电抗型传感元件无线传感功能。本发明简化并保证了通用电抗型传感元件实现无线传感功能，且传感信息是准数字信号，简化了应用。特别是无源的通用电抗型传感元件能构成无源无线传感应答器，适合长期和严酷环境应用。
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公开(公告)号：CN111755594B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910236324.8
申请日：2019-03-27
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC分类号： H10N30/08 , H10N30/086 , G02B6/122 , G02B6/13 , H03H9/25
摘要： 本发明属于微电子器件技术领域，是为了解决现有技术中很难获得数微米且晶体性能良好的单晶箔的不足，而提供一种采用机械减薄加上化学腐蚀减薄的方式，尤其是利用了畴极性面的化学腐蚀速率的差异，使得压电层可以达到更薄的厚度的制作超薄压电单晶箔的方法以及其作为有源器件在光波导器件和高频声表面波器件中的应用。本发明采用机械减薄工艺将压电单晶箔减薄至几十微米，然后再利用压电单晶畴极性面的化学腐蚀速率的差异，形成化学减薄的自阻挡层，将压电单晶箔层减薄至数微米。本发明方案弥补了机械减薄只能减薄至几十微米的缺陷，同时也避免了离子切片技术对晶体性能的劣化，并且可以获得表面均匀性较好的超薄单晶箔。
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公开(公告)号：CN110247639A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910582780.8
申请日：2019-07-01
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
摘要： 本发明涉及滤波器芯片技术领域，尤其是一种射频声表面波滤波器芯片，包括由压电单晶箔和衬底构成的复合基片、在压电单晶箔表面制作的射频声表面波滤波器金属图形结构，射频声表面波滤波器金属图形结构由周期电极部分、内部连接电极和输入输出电极组成，复合基片上至少设置有一个背坑，背坑的位置对应于射频声表面波滤波器金属图形结构中的一个周期电极部分，压电单晶箔对应于背坑处的厚度为器件有源区压电层厚度设计值，背坑内设置有与压电单晶箔相连的多层介质膜，射频声表面波滤波器金属图形结构表面覆盖有多层介质层，本发明的产品成品率和器件可靠性高，通过在线选择刻蚀背坑内压电单晶箔，提升产品优品率。
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公开(公告)号：CN106100601A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610378566.7
申请日：2016-05-31
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/02015 , H03H9/171 , H03H9/54 , H03H2003/023
摘要： 本发明提出一种采用超薄压电单晶体制作的薄膜体声波谐振器，包括具有地室的高阻衬底、由上金属电极和下金属电极夹持压电体组成的三明治有源结构，三明治有源结构设置于高阻衬底上端；所述压电体为超薄压电单晶体，地室内设有若干根支柱。超薄压电单晶体所用的压电单晶体，为所有可实用化的压电单晶体，如石英、钽酸锂、铌酸锂、四硼酸锂、锗酸铋、硅酸铋、硅酸镓镧系列、正磷酸铝和铌酸钾。所用的高阻衬底，为硅、石英、碳化硅、三氧化二铝、蓝宝石、金刚石等微电子技术常用衬底材料。本发明的优点有：超薄压电单晶体，晶体完整性未被破坏，为完美单晶；可以自由选择晶体及其晶向，优化器件性能；超薄压电单晶体生产技术前景明朗。
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公开(公告)号：CN109327200A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811422063.0
申请日：2018-11-27
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种声表面波谐振结构滤波器，在钽酸锂晶体或铌酸锂晶体的压电晶片表面进行隔离还原处理，在还原区上形成谐振器单元电极。利用还原的压电晶片表面消除压电晶体热释电效应对谐振器单元周期电极线条的破坏，同时，防止了晶片全表面还原处理造成的谐振器单元间电隔离的减弱。
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公开(公告)号：CN105136334B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201510536196.0
申请日：2015-08-27
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
摘要： 本发明提供一种具有防碰撞功能的声表面波延迟线型无线传感器系统。应答器传感芯片输入换能器采用编码叉指换能器(相关换能器)，其编码为属于同一相容码组的相容码，采用同一相容码编码芯片的应答器，称为同类应答器。应答器传感芯片上，至少有两个沿声道排列的同频输出叉指换能器。同类应答器芯片，第一个输出换能器与输入换能器的起始延迟距离，各芯片彼此不同；各输出换能器的间距一致；设计上述各距离时，应使在标称传感量测试范围内，同类应答器同时产生的电磁回波叠加后，所有回波峰都应能被阅读器分辨，获知其来源和传感信息。阅读器具有相容码的编码部件。本系统的防碰撞功能等于不同类应答器种类数目乘以时序容量。
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公开(公告)号：CN105180982A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510535984.8
申请日：2015-08-27
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
IPC分类号： G01D5/48
摘要： 本发明提供一种具有防碰撞功能的声表面波延迟反射型无线传感器系统。应答器传感芯片采用编码叉指换能器(相关换能器)，其编码为属于同一相容码组的相容码，采用同一相容码编码芯片的应答器，称为同类应答器。应答器传感芯片上，至少有两个沿声道排列的同频短反射栅。同类应答器芯片，第一个反射栅与相关换能器的起始延迟距离，各芯片彼此不同；各反射栅间的距离一致；设计上述各距离时，应使在标称传感量测试范围内，同类应答器同时产生的电磁回波叠加后，所有回波峰都应能被阅读器分辨，获知其来源和传感信息。阅读器具有相容码的编码部件和反射回波相关接收部件。本系统的防碰撞功能等于不同类应答器种类数目乘以时序容量。
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公开(公告)号：CN111510106A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010370362.5
申请日：2020-05-06
申请人： 中电科技德清华莹电子有限公司
摘要： 本发明涉及电子信息器件技术领域，尤其是一种声表面波谐振结构滤波器，包括压电晶片、压电晶片表面制作的多个谐振器单元和电连接金属电极结构，谐振器单元由周期金属电极和汇流导电金属电极构成，至少有一个谐振器单元为弯曲声道谐振器单元，该弯曲声道谐振器单元的有效声传输通道的中心轨迹相切，偏离声波传播方向的角度沿轨迹方向变换，且声波传播方向也可能与其他谐振器单元不一致，本发明用于设计低通带内插入损耗、高Q值、具有横波模式寄生抑制的滤波器。
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