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公开(公告)号：CN117534182A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311329065.6
申请日：2023-10-13
申请人： 中山大学
IPC分类号： C02F1/461 , C02F1/72 , C02F101/10
摘要： 本发明属于电催化氧化技术领域，具体涉及一种缺陷工程调控的过渡金属基纳米阵列电极及其制备方法与应用。该方法以集流体为载体，依次经溶剂热反应、硒化或碲化反应以及后续空位引入，得到兼具元素掺杂与空位的过渡金属基纳米阵列电极。元素掺杂协同空位工程可赋予所得过渡金属基纳米阵列电极的催化活性中心优化的电子结构，一方面可提高催化电极的本征催化活性，另一方面可降低含硫溶液中S2‑对金属催化活性位点的毒害作用。得益于上述结构组成优势，所得缺陷工程调控的过渡金属基纳米阵列电极在电催化硫化物氧化反应中展现出优异的活性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117943029A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311438806.4
申请日：2023-10-31
申请人： 中山大学
IPC分类号： B01J23/835 , B01J23/888 , B01J23/889 , B01J23/887 , B01J23/883 , B01J37/08 , C02F1/461 , C02F1/467 , C02F1/72 , C02F101/10
摘要： 本发明属于电催化氧化技术领域，具体涉及一种金属氧酸盐修饰的过渡金属氢氧化物纳米阵列电极及其制备方法与应用。该纳米阵列电极以集流体为载体，经过渡金属盐、金属氧酸盐和沉淀剂进行溶剂热反应一步制得。所得纳米阵列电极材料中，一方面，修饰的金属氧酸盐可调控电极催化活性中心电子结构，提高电极的本征催化活性，另一方面，金属氧酸盐与S2‑的静电排斥作用可有效减缓催化剂的硫中毒，提高电极的抗毒性；另外，本发明开发的电极材料制备工艺简单、快速、经济、易放大生产，在电化学处理含硫废水领域极具广阔的应用价值。
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公开(公告)号：CN118147732A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410291141.7
申请日：2024-03-14
摘要： 本发明公开了一种二维结构(PEA)2PbBr4大尺寸单晶闪烁体的快速制备方法，该方法包括以下步骤：将苯乙胺氢溴酸盐和溴化铅加入有机溶剂中，搅拌得到前驱体溶液1，置于加热台上继续加热搅拌；降温至室温下过滤，得到颗粒状自发结晶(PEA)2PbBr4多晶料和室温饱和溶液；取另一容器，将所述(PEA)2PbBr4多晶料使用有机溶剂溶解得到新的前驱体溶液2；将所述室温饱和溶液用封口膜封住后扎孔，室温下静置进行自发结晶，得到(PEA)2PbBr4单晶籽晶；将所述(PEA)2PbBr4单晶籽晶漂浮在所述前驱体溶液2中，通过溶剂蒸发，在籽晶上进一步生长得到大尺寸(PEA)2PbBr4单晶闪烁体。本发明通过对生长过程的改良、溶质溶剂的合理选取以及籽晶的引入，在一周内生长出了厘米级均匀、透明的闪烁体单晶。
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公开(公告)号：CN117431571A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311317201.X
申请日：2023-10-11
申请人： 中山大学
IPC分类号： C25B11/091 , C25B3/23 , C25B3/25 , C25B3/07 , C25B3/09 , C25B3/05 , C25B3/11 , B82Y40/00 , B82Y30/00
摘要： 本发明属于有机电合成电极材料技术领域，具体涉及一种碳修饰的过渡金属基化合物纳米阵列电极及制备方法与应用。本发明利用溶剂热反应在集流体上原位生长纳米阵列前驱体，接着吸附碳源，经高温气固转化反应得到碳修饰的过渡金属基化合物纳米阵列材料。材料表面修饰的碳组分有利于提高材料对有机底物的吸附能力，促进有机底物在催化材料表面的富集，强化有机电合成过程中有机底物的传质动力学，进而提高材料的电催化性能。所得碳修饰的过渡金属基化合物纳米阵列电极材料可广泛应用于有机电合成，并展现出快传质动力学和优异催化性能。
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