公开(公告)号：CN117534182A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311329065.6

申请日：2023-10-13

申请人： 中山大学

发明人： 李萍 ,  李凤丽 ,  吳惠廣 ,  黄钰淇 ,  黄蕖骅 ,  欧阳潇 ,  杨含

IPC分类号： C02F1/461 ,  C02F1/72 ,  C02F101/10

摘要： 本发明属于电催化氧化技术领域，具体涉及一种缺陷工程调控的过渡金属基纳米阵列电极及其制备方法与应用。该方法以集流体为载体，依次经溶剂热反应、硒化或碲化反应以及后续空位引入，得到兼具元素掺杂与空位的过渡金属基纳米阵列电极。元素掺杂协同空位工程可赋予所得过渡金属基纳米阵列电极的催化活性中心优化的电子结构，一方面可提高催化电极的本征催化活性，另一方面可降低含硫溶液中S2‑对金属催化活性位点的毒害作用。得益于上述结构组成优势，所得缺陷工程调控的过渡金属基纳米阵列电极在电催化硫化物氧化反应中展现出优异的活性和稳定性。

公开(公告)号：CN117943029A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311438806.4

申请日：2023-10-31

申请人： 中山大学

发明人： 李萍 ,  李凤丽 ,  吳惠廣 ,  黄蕖骅 ,  黄钰淇 ,  欧阳潇 ,  杨含

IPC分类号： B01J23/835 ,  B01J23/888 ,  B01J23/889 ,  B01J23/887 ,  B01J23/883 ,  B01J37/08 ,  C02F1/461 ,  C02F1/467 ,  C02F1/72 ,  C02F101/10

摘要： 本发明属于电催化氧化技术领域，具体涉及一种金属氧酸盐修饰的过渡金属氢氧化物纳米阵列电极及其制备方法与应用。该纳米阵列电极以集流体为载体，经过渡金属盐、金属氧酸盐和沉淀剂进行溶剂热反应一步制得。所得纳米阵列电极材料中，一方面，修饰的金属氧酸盐可调控电极催化活性中心电子结构，提高电极的本征催化活性，另一方面，金属氧酸盐与S2‑的静电排斥作用可有效减缓催化剂的硫中毒，提高电极的抗毒性；另外，本发明开发的电极材料制备工艺简单、快速、经济、易放大生产，在电化学处理含硫废水领域极具广阔的应用价值。