公开(公告)号：CN117431584A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311331080.4

申请日：2023-10-13

申请人： 中山大学

发明人： 李萍 ,  黄蕖骅 ,  胡新词 ,  蒋志泓 ,  黄钰淇 ,  杨玉婷 ,  杨含

IPC分类号： C25B11/095 ,  C25B3/23 ,  C25B3/25 ,  C25B3/07 ,  C25B3/09 ,  C25B3/05 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明属于有机电合成电极材料技术领域，具体涉及一种表面修饰的异质结纳米阵列电极及制备方法与应用。本发明以集流体为载体，经溶剂热反应原位生长纳米阵列前驱体，之后经高温气固化学转化和后续硅烷偶联剂接枝修饰，得到表面修饰的异质结纳米阵列电极材料。材料中异质界面的构筑可调控优化催化中心的电子结构，提高催化活性；同时，表面修饰的有机基团片段有利于有机底物在催化材料表面的富集，从而强化有机电合成过程中有机底物的质量传递。所得的表面修饰的异质结纳米阵列电极应用于系列有机电合成反应可表现出高传质效率和优异催化活性。

公开(公告)号：CN117431571A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311317201.X

申请日：2023-10-11

申请人： 中山大学

发明人： 李萍 ,  黄蕖骅 ,  蒋志泓 ,  胡新词 ,  黄钰淇 ,  欧阳潇 ,  杨玉婷

IPC分类号： C25B11/091 ,  C25B3/23 ,  C25B3/25 ,  C25B3/07 ,  C25B3/09 ,  C25B3/05 ,  C25B3/11 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明属于有机电合成电极材料技术领域，具体涉及一种碳修饰的过渡金属基化合物纳米阵列电极及制备方法与应用。本发明利用溶剂热反应在集流体上原位生长纳米阵列前驱体，接着吸附碳源，经高温气固转化反应得到碳修饰的过渡金属基化合物纳米阵列材料。材料表面修饰的碳组分有利于提高材料对有机底物的吸附能力，促进有机底物在催化材料表面的富集，强化有机电合成过程中有机底物的传质动力学，进而提高材料的电催化性能。所得碳修饰的过渡金属基化合物纳米阵列电极材料可广泛应用于有机电合成，并展现出快传质动力学和优异催化性能。

公开(公告)号：CN117431583A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311317208.1

申请日：2023-10-11

申请人： 中山大学

发明人： 李萍 ,  黄蕖骅 ,  胡新词 ,  蒋志泓 ,  黄钰淇 ,  杨玉婷 ,  李凤丽

IPC分类号： C25B11/095 ,  C25B3/23 ,  C25B3/07 ,  C25B3/05 ,  C25B3/09 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明属于有机电氧化电极材料技术领域，具体涉及一种有机配体修饰的过渡金属羟基氧化物纳米阵列电极及制备方法与应用。本发明通过溶剂热反应在集流体上原位生长金属‑有机框架纳米阵列，经后续电化学活化处理即可得到有机配体修饰的过渡金属羟基氧化物纳米阵列材料，方法简单、经济，可大规模量产。有机配体的修饰，可调控优化材料表面电子结构，提升催化反应动力学；同时，还可促进有机底物的富集，改善反应的传质效率。所得有机配体修饰的过渡金属羟基氧化物纳米阵列电极可广泛应用于各种有机电氧化反应中，展示出高催化活性和优异传质动力学。