自对准聚焦结构的纳米线冷阴极电子源阵列及其制作方法

    公开(公告)号:CN106158551B

    公开(公告)日:2017-11-21

    申请号:CN201610542509.8

    申请日:2016-07-08

    Applicant: 中山大学

    Abstract: 本发明公开了自对准聚焦结构的纳米线冷阴极电子源阵列及其制作方法。该电子源阵列结构包括衬底,制作在衬底上平行排列的底部阴极电极条和底部栅极电极条,覆盖在上述电极条上的绝缘层,制作在绝缘层上方通过绝缘层上刻蚀通孔与底部相应电极条连接的环状顶部栅极电极和顶部阴极电极以及聚焦极电极,制作在顶部阴极电极上的圆形纳米线冷阴极阵列。本发明还进一步公开了所述纳米线冷阴极电子源阵列的制作方法。本发明提供的自对准聚焦极结构可逐行寻址的纳米线冷阴极电子源阵列结构,其制作工艺简单,具有较好的调控电子发射和聚焦电子束的能力,在平板X射线源方面有重要应用前景。

    自对准聚焦结构的纳米线冷阴极电子源阵列及其制作方法

    公开(公告)号:CN106158551A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201610542509.8

    申请日:2016-07-08

    Applicant: 中山大学

    CPC classification number: H01J1/304 H01J9/025

    Abstract: 本发明公开了自对准聚焦结构的纳米线冷阴极电子源阵列及其制作方法。该电子源阵列结构包括衬底,制作在衬底上平行排列的底部阴极电极条和底部栅极电极条,覆盖在上述电极条上的绝缘层,制作在绝缘层上方通过绝缘层上刻蚀通孔与底部相应电极条连接的环状顶部栅极电极和顶部阴极电极以及聚焦极电极,制作在顶部阴极电极上的圆形纳米线冷阴极阵列。本发明还进一步公开了所述纳米线冷阴极电子源阵列的制作方法。本发明提供的自对准聚焦极结构可逐行寻址的纳米线冷阴极电子源阵列结构,其制作工艺简单,具有较好的调控电子发射和聚焦电子束的能力,在平板X射线源方面有重要应用前景。

    可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列及制作方法

    公开(公告)号:CN107818899B

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201711063201.6

    申请日:2017-11-02

    Applicant: 中山大学

    Abstract: 本发明公开了一种可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列。该电子源阵列结构通过刻蚀通孔以及环状顶部环状栅极电极实现分段电极桥接串联,可以在聚焦极和栅极在同一个平面的情形下实现纳米冷阴极电子源行列寻址功能。本发明进一步公开了所述纳米冷阴极电子源阵列的制作方法。本发明的纳米冷阴极电子源阵列制备工艺简单,有较好的聚焦电子束能力以及可寻址发射能力,作为大面积电子源在平板X射线源、场发射显示器等领域有重要的应用前景。

    可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列及制作方法

    公开(公告)号:CN107818899A

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201711063201.6

    申请日:2017-11-02

    Applicant: 中山大学

    CPC classification number: H01J1/304 H01J9/027

    Abstract: 本发明公开了一种可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列。该电子源阵列结构通过刻蚀通孔以及环状顶部环状栅极电极实现分段电极桥接串联,可以在聚焦极和栅极在同一个平面的情形下实现纳米冷阴极电子源行列寻址功能。本发明进一步公开了所述纳米冷阴极电子源阵列的制作方法。本发明的纳米冷阴极电子源阵列制备工艺简单,有较好的聚焦电子束能力以及可寻址发射能力,作为大面积电子源在平板X射线源、场发射显示器等领域有重要的应用前景。

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