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公开(公告)号：CN118127482A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211529591.2
申请日：2022-12-01
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及新材料领域，具体为一种快速制备大面积二维过渡金属硫族化物材料的方法。该方法在金箔基底上利用物理气相沉积的方式引入过渡金属源，具体包括以下步骤：在高真空或保护气氛下利用物理气相沉积法将所需过渡金属沉积在金箔基底上，随后放入化学气相沉积系统中管式炉内，在保护气氛下升高管式炉温度至生长温度，通入的硫族元素与物理气相沉积引入的过渡金属反应化合，实现快速制备大面积过渡金属硫族化物材料的目的。采用本发明可实现快速制备大面积过渡金属硫族化物材料的目标，为过渡金属硫族化物在纳电子器件、光电子学器件以及自旋电子学器件等领域的应用奠定了基础，并可广泛应用于二维材料薄膜的化学气相沉积法制备领域。
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公开(公告)号：CN118127484A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211530531.2
申请日：2022-12-01
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及二维过渡金属氮化物及其化学气相沉积法制备领域，具体为一种模板法制备超薄二维过渡金属氮化物的方法。该制备方法主要包括：在较高温度下利用化学气相沉积方法在铜/过渡金属叠层基底上生长MA2N4材料；降温生长二维超薄过渡金属氮化物；旋涂高分子保护层后刻蚀铜层，将样品转移至所需基底上，洗去高分子保护层，得到洁净超薄二维过渡金属氮化物与MA2N4薄膜。本发明利用与过渡金属氮化物结构相似的MA2N4材料作为生长基底，制备超薄二维过渡金属氮化物薄膜。MA2N4材料作为一种范德华材料，具有原子级光滑的表面，其以氮化物封端的特性，使得其更有利于过渡金属氮化物在其表面进行水平方向生长。
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公开(公告)号：CN118127481A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211529558.X
申请日：2022-12-01
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及新材料领域，具体为一种液相层表面制备均匀多层钼基过渡金属硫族化物薄膜的方法。该方法具体包括以下步骤：在氩气气氛下利用物理气相沉积将可与金形成低熔点合金相的非金属元素沉积在洁净的金基底表面；将上述处理后的基底在一定参数下退火，构建合金表层，并作为生长基底，于高温下通入挥发硫源与钼源，生长均匀层数的钼基过渡金属硫族化物薄膜。通过调整表层合金的厚度、气氛和生长温度等，实现钼基过渡金属硫族化物薄膜的层数控制。采用本发明可制备高质量且厚度均匀的多层钼基过渡金属硫族化物薄膜，为钼基过渡金属硫族化物在纳电子器件、光电器件等领域的应用奠定基础，并可广泛应用于薄膜的化学气相沉积制备领域。
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