公开(公告)号：CN118166333A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202211529515.1

申请日：2022-12-01

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 任文才 ,  孙素 ,  徐川 ,  何承俭 ,  成会明

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/01 ,  C23C16/44 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/30 ,  C23C14/46 ,  C30B25/02 ,  C30B29/10 ,  C30B29/38 ,  C30B28/14 ,  C01B21/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及三元化合物MA2Z4薄膜材料制备领域，具体为一种均匀单层MA2Z4薄膜的制备方法。以铜箔作为生长基底，采用物理气相沉积技术，在铜箔表面沉积一层含过渡族金属M的薄膜，通过在具有A源或Z源的环境下退火处理实现M‑A或M‑Z源在铜箔基底中的预先储存，再引入第三种元素Z或A，在不高于铜熔点的高温下，与析出至铜箔表面的已存储元素反应，生长出均匀单层MA2Z4薄膜，后续对铜箔基底进行刻蚀将其转移至任意基体。本发明具有制备工艺简单，成膜速率快，薄膜尺寸易于放大，适于大面积高质量薄膜制备等特点，为二维MA2Z4材料在电子器件、光电子器件、谷电子学器件、高强度薄膜、高透光薄膜、催化等领域的产业化应用提供了可能。

公开(公告)号：CN118125431A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202211529514.7

申请日：2022-12-01

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 徐川 ,  何承俭 ,  周天亚 ,  任文才 ,  成会明

IPC: C01B32/194 ,  C01B21/064 ,  C01B21/082 ,  C01G39/06

Abstract: 本发明涉及二维材料无损转移领域，具体为一种低熔点金属辅助的二维材料无损转移方法。在金属衬底表面合成的二维材料上旋涂有机物转移介质，加热固化后获得转移介质/二维材料/金属衬底复合体；将该复合体置于液态金属表面，并辅以热台加热；金属衬底与液态金属发生合金化作用被溶解掉，与转移介质/二维材料分离；将液态金属与转移介质/二维材料复合体分离，将转移介质/二维材料复合体转移到目标基体表面，通过有机溶剂清洗去除转移介质，实现二维材料的无破损转移。本发明方法突破必须使用氧化性化学刻蚀剂的困局，使得转移的二维材料具有更完整的表面和不被化学试剂氧化的晶体结构，为二维材料的本征物性研究与实际应用奠定基础。