-
公开(公告)号：CN118376723B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410805158.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本申请实施例公开一种正仲氢转化催化剂催化性能的测试系统及测试方法，测试系统包括氢气源，用于输出氢气；第一正仲氢转化反应器，包含有参考催化剂；多个第二正仲氢转化反应器，第二正仲氢转化反应器包含有待测催化剂；气相色谱仪，用于检测氢气源输出的氢气经第一正仲氢转化反应器得到的第一反应气中的仲氢的峰值面积，并检测氢气源输出的氢气分别经各个第二正仲氢转化反应器得到的各第二反应气中的仲氢的峰值面积；数据处理器，用于根据所述第一反应气中的仲氢的峰值面积计算得到第一反应气的单位面积下的仲氢含量，并根据第二反应气中的仲氢的峰值面积和所述第一反应气的单位面积下的仲氢含量计算得到所述第二反应气的仲氢含量。
-
公开(公告)号：CN112002459B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010789213.2
申请日：2020-08-07
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明实施例提供一种柔性导电材料制备方法及用该方法制备的柔性导电材料，涉及复合材料技术领域。该方法包括：步骤S1，将棉纤维经打浆制备成棉浆；步骤S2，在棉浆中加入定量的导电填料并分散均匀，获得混合浆料；步骤S3，对混合浆料进行抄造，得到棉纤维和导电填料的湿态混合物；步骤S4，将湿态混合物冷冻之后进行真空冷冻干燥，在真空冷冻干燥之后施加压力，获得柔性导电材料。材料成型过程中，棉纤维之间相互搭接形成三维网络，导电填料以物理吸附或物理交缠的方式分布在棉纤维表面或棉纤维之间，通过真空冷冻干燥增加材料的柔性，制备的柔性导电材料在低温‑196℃仍具有绝佳柔性，可以弯曲循环10000次而不发生断裂。
-
公开(公告)号：CN113845862B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202010599636.8
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C09J9/02 , C09J7/10 , C09J7/30 , C09J163/00 , C09J177/00 , C09J167/06 , C09J123/08
Abstract: 本发明公开了一种导电导热胶膜及其制备方法和应用。所述胶膜包括胶粘剂基体和金属网络，所述金属网络嵌入在胶粘剂基体中，且金属网络的长、宽、高与胶膜整体的长、宽、高相同。该胶膜用于粘接两侧被粘接物，并实现导电、导热等功能。由于使用连续的金属网络替代传统微观搭接导电导热填料，本发明胶膜可以获得更高的电导率和热导率，并且可以降低填料体积含量，获得高的粘接强度。同时，利用连续金属网络可以保证胶膜的结构一致性，从而获得性能一致性好的功能化胶膜。
-
公开(公告)号：CN106550548B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610931438.0
申请日：2016-10-31
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种柔性电路的激光打印成型方法，所述方法包括如下步骤：1)在柔性基体上通过激光打印将热塑性墨粉打印成目标柔性电路的线路图案；2)将打印有墨粉线路图案的柔性基体和均匀涂覆有导电粉体的聚合物薄膜贴合在一起，经过热压辊进行热压使热塑性墨粉熔化并粘附导电粉体；3)将聚合物薄膜和柔性基体分离，则得到柔性电路。本发明的成型方法简单高效，不需要制作模板，不需要长时间固化或高温烧结，大幅度提高了电路成型效率；并且电路成型过程不需要溶剂，因此可以避免润湿基体，与喷墨等溶剂法相比更加适合在易吸湿的基体上制作电路。
-
公开(公告)号：CN103506619A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210215958.3
申请日：2012-06-26
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
Abstract: 本发明属于纳米复合材料及制备和应用技术领域，特别涉及一种Fe3O4纳米磁性粒子包覆的银线及制备和应用，其为在大气环境下制备的Fe3O4纳米磁性粒子包覆的银线，银与Fe3O4质量比为1：0.5~0.01，其制备步骤：先制备出银线溶液，用双氧水进行表面处理，再将处理后的银线溶液加入三价铁与二价铁摩尔比为2：1的混合液中，共沉淀法得到Fe3O4纳米磁性粒子包覆银线的溶液，最后向其中加去离子水反复洗涤；其工艺简单，成本低廉，利于实现工业化生产；制备的复合材料，经磁铁作用，可以控制银线的取向和分布，实现各向异性导电；或形成与成排磁铁同样的条状平行排列的电路，用于电子产品领域等。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102093883B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010576818.X
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C09K11/06 , C07D213/85 , C07D213/26 , C07D213/80 , C07D213/803 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明属于有机电致发光材料领域，特别涉及一类多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法，以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器件方面的用途。本发明通过分子设计，引入一些具有刚性结构的大取代基使其不易形成激基复合物，并抑制其结晶过程，改善其成膜性，提高其电荷传输性能；同时，分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移，进而达到改善器件性能的目的。本发明的一类多芳基取代吡啶衍生物包括如下结构：
-
公开(公告)号：CN102276525A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010201691.3
申请日：2010-06-09
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C07D213/85 , C07D213/38 , C07D213/80 , C07D409/14 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一类三苯胺取代的吡啶衍生物及其制备方法，以及所述的三苯胺取代的吡啶衍生物在有机电致发光器件中的应用。所述的三苯胺取代的吡啶衍生物具有以下通式(1)或(2)或(3)所示的结构，由于分子结构中含有供电子的三苯胺部分和缺电子的吡啶环部分，所以具有分子内电荷转移的性质，可以发射较长波长的黄绿色荧光。利用此类衍生物制备的有机电致发光器件均具钉较高的器件效率和较好的色纯度。
-
公开(公告)号：CN102093883A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010576818.X
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C09K11/06 , C07D213/85 , C07D213/26 , C07D213/80 , C07D213/803 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明属于有机电致发光材料领域，特别涉及一类多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法，以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器件方面的用途。本发明通过分子设计，引入一些具有刚性结构的大取代基使其不易形成激基复合物，并抑制其结晶过程，改善其成膜性，提高其电荷传输性能；同时，分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移，进而达到改善器件性能的目的。本发明的一类多芳基取代吡啶衍生物包括如下结构：
-
公开(公告)号：CN101962535A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010273101.8
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: C09K11/06 , C07D213/26 , C07D213/85 , C07D213/80 , C07D213/84 , C07D405/14 , C07D213/30 , H01L51/54 , H01L51/56
Abstract: 本发明属于有机电致发光器件中的有机电子传输/空穴阻挡材料领域，特别涉及用于有机电子传输和/或空穴阻挡材料的一类多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法，以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器件方面的用途。本发明通过分子设计，引入一些具有刚性结构的大取代基使其不易形成激基复合物，并抑制其结晶过程，改善其成膜性，提高其电荷传输性能；同时，分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移，进而达到改善器件性能的目的。本发明的一类多芳基取代吡啶衍生物包括如下结构：。
-
公开(公告)号：CN101414662B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200710176009.8
申请日：2007-10-17
Applicant: 中国科学院理化技术研究所
IPC: H01L51/00 , H01L51/54 , H01L51/50 , H01L51/30 , H01L51/46 , C07D213/53 , C07D213/78 , C07D405/14 , C09K11/06
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于有机电致发光器件中的有机电子传输/空穴阻挡材料领域，特别涉及用于有机电子传输和/或空穴阻挡材料的一类多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法，以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器件方面的用途。本发明通过分子设计，引入一些具有刚性结构的大取代基使其不易形成激基复合物，并抑制其结晶过程，改善其成膜性，提高其电荷传输性能；同时，分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移，进而达到改善器件性能的目的。本发明的一类多芳基取代吡啶衍生物包括如下结构：
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
55
records
(took 0.039 seconds)
