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公开(公告)号：CN102487124B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110290063.1
申请日：2011-09-21
申请人： 中国科学院物理研究所
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/22 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , H01F10/193 , H01F10/1936 , H01F10/3218 , H01F10/3272 , H01L27/22 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法，以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、中间导电层、覆盖层，中间导电层为磁性金属、磁性合金或者磁性金属复合层时，缓冲层和绝缘层可以根据实际需要选择性的添加。当中间导电层为非磁性金属层或反铁磁性金属层时，缓冲层和绝缘层必须添加，以便获得较高的信噪比。本发明通过变化的电场对铁电或多铁性材料的电极化特性进行调制，从而达到影响和改变金属层的电导的作用，调控器件电阻的变化，获得不同的电场下对应不同的电阻态，实现电致电阻效应。
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公开(公告)号：CN103515426A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210211089.7
申请日：2012-06-20
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： H01L29/66
CPC分类号： H01L29/66984
摘要： 公开了一种基于多铁/铁电材料利用电场驱动的自旋晶体管器件，该晶体管具有多层膜结构，势垒层可选用多铁材料或铁电材料。该自旋晶体管可采用共振隧穿方式工作，该共振隧穿模式可在外电场下通过多铁性材料或铁电性材料调节，实现传统晶体管的开关和放大特性；该自旋晶体管也可采用电场调节磁化强度的方式工作，该电场调节磁化强度通过多铁材料或铁电性材料的磁电耦合特性来调控磁性层材料的磁化强度方向，实现传统晶体管的开关和放大特性。上述两种基于多铁材料或铁电性材料的新型的自旋晶体管与传统的自旋晶体管相比，自由层磁矩方向的改变不需要外加磁场的调控。该自旋晶体管与传统的半导体晶体管相比具有结构简单，有利于集成和加工等特性。
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公开(公告)号：CN102212658B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010139658.2
申请日：2010-04-01
申请人： 中国科学院物理研究所 , 北京埃德万斯离子束技术研究所
摘要： 本发明提供一种真空红外线退火炉，包括样品架、红外线光源、绝热陶瓷环、样品托、测温装置以及真空腔；其中，样品架位于真空腔内，所述红外线光源位于所述样品架的底部，所述样品架的顶端有一开口，所述绝热陶瓷环安放在所述样品架顶端开口的四周；用于安放样品的样品托被安装在所述绝热陶瓷环上，使得所述样品托中的样品能够透过所述绝热陶瓷环以及所述样品架的顶端开口接收所述红外线光源散发出的热量；所述测温装置对所述样品在退火过程中的温度予以测量。本发明的真空红外线加热退火炉能够在磁场环境下使用，具有应用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN102270736A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010195799.6
申请日：2010-06-01
申请人： 中国科学院物理研究所
CPC分类号： G01R33/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , G11C11/161 , H01L21/00 , H01L43/08 , H01L2221/00 , H01L2223/00 , Y10S977/70
摘要： 本发明提供一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法，该多层膜由下至上依次包括：基片、底层、参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层具有钉扎结构，用于将探测磁性层磁矩转动的信息转化成电信号，所述探测磁性层具有钉扎结构，用于感应被探测磁场。本发明通过在AFM和FM之间加入插入层减小了直接交换偏置的钉扎效果，并且通过调节该插入层的厚度有效调控间接交换偏置的钉扎效果，以得到在外磁场为零时参考磁性层和探测磁性层的磁矩相互垂直，从而获得具有线性响应的基于GMR或TMR效应的线性磁敏传感器。
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公开(公告)号：CN102212658A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010139658.2
申请日：2010-04-01
申请人： 中国科学院物理研究所 , 北京埃德万斯离子束技术研究所
摘要： 本发明提供一种真空红外线退火炉，包括样品架、红外线光源、绝热陶瓷环、样品托、测温装置以及真空腔；其中，样品架位于真空腔内，所述红外线光源位于所述样品架的底部，所述样品架的顶端有一开口，所述绝热陶瓷环安放在所述样品架顶端开口的四周；用于安放样品的样品托被安装在所述绝热陶瓷环上，使得所述样品托中的样品能够透过所述绝热陶瓷环以及所述样品架的顶端开口接收所述红外线光源散发出的热量；所述测温装置对所述样品在退火过程中的温度予以测量。本发明的真空红外线加热退火炉能够在磁场环境下使用，具有应用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN102709470B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110304804.7
申请日：2011-09-27
申请人： 中国科学院物理研究所
CPC分类号： H01L43/10 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/22 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2213/51 , G11C2213/52 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , H01F10/193 , H01F10/1936 , H01F10/3218 , H01F10/3272 , H01L27/22 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
摘要： 一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法，以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、中间导电层、覆盖层，中间导电层为磁性金属、磁性合金或者磁性金属复合层时，缓冲层和绝缘层可以根据实际需要选择性的添加。当中间导电层为非磁性金属层或反铁磁性金属层时，缓冲层和绝缘层必须添加，以便获得较高的信噪比。本发明通过变化的电场对铁电或多铁性材料的电极化特性进行调制，从而达到影响和改变金属层的电导的作用，调控器件电阻的变化，获得不同的电场下对应不同的电阻态，实现电致电阻效应。
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公开(公告)号：CN117872232A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410051691.1
申请日：2024-01-12
申请人： 中国科学院物理研究所
摘要： 本发明涉及磁敏传感器及其制备方法、电子设备。根据一实施例，一种磁敏传感器可包括：磁性多层膜结构，包括依次形成在衬底上的自由磁层、中间层和参考磁层，所述自由磁层在第一面内方向上具有比所述参考磁层更大的长度；绝缘层，形成在所述衬底上，并且覆盖所述磁性多层膜结构的侧壁以及所述自由磁层的未被所述参考磁层覆盖的部分的上表面；以及磁通聚集层，形成在所述绝缘层上，并且通过所述绝缘层与所述磁性多层膜结构间隔开。
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公开(公告)号：CN106558333B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510634769.3
申请日：2015-09-29
申请人： 中国科学院物理研究所
IPC分类号： G11C11/16
摘要： 本发明涉及包括环形磁性隧道结的自旋转移力矩型磁随机存取存储器。一种磁随机存取存储器可以具有多个存储单元，所述多个存储单元排列成行和列的阵列，每个存储单元包括：第一晶体管和第二晶体管，二者的源级彼此连接；第三晶体管和第四晶体管，二者的漏极分别连接到第一晶体管和第二晶体管的漏极，二者的源级彼此连接；以及磁性隧道结，其连接在第一晶体管和第三晶体管的漏极与第二晶体管和第四晶体管的漏极之间。
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