- 专利标题: 纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法
- 专利标题(英): Nano-multilayer film, field effect tube, sensor, random access memory and preparation method
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申请号: CN201110304804.7申请日: 2011-09-27
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公开(公告)号: CN102709470B公开(公告)日: 2014-11-12
- 发明人: 韩秀峰 , 刘厚方 , 瑞之万
- 申请人: 中国科学院物理研究所
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村南三街8号
- 专利权人: 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院物理研究所
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村南三街8号
- 代理机构: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 梁挥; 鲍俊萍
- 主分类号: H01L45/00
- IPC分类号: H01L45/00 ; H01L43/08 ; H01L29/78 ; G11C13/00
摘要:
一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法,以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、中间导电层、覆盖层,中间导电层为磁性金属、磁性合金或者磁性金属复合层时,缓冲层和绝缘层可以根据实际需要选择性的添加。当中间导电层为非磁性金属层或反铁磁性金属层时,缓冲层和绝缘层必须添加,以便获得较高的信噪比。本发明通过变化的电场对铁电或多铁性材料的电极化特性进行调制,从而达到影响和改变金属层的电导的作用,调控器件电阻的变化,获得不同的电场下对应不同的电阻态,实现电致电阻效应。
公开/授权文献
- CN102709470A 纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法 公开/授权日:2012-10-03
IPC分类: