公开(公告)号：CN115985945A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202310161967.7

申请日：2023-02-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 殷华湘 ,  赵朋 ,  吴振华 ,  张兆浩

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L23/367 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底，设置于衬底一侧的源极、漏极、栅极和沟道结构，沟道结构包括多个纳米片形成的叠层，栅极环绕纳米片，纳米片包括边缘区域和中心区域，在垂直于衬底所在平面的方向上，中心区域的纳米片厚度小于边缘区域的纳米片厚度，也就是说，纳米片形成了一种中间薄边缘厚的结构，减少了相邻纳米片之间的其他结构的厚度以及体积，降低半导体器件的寄生电阻，此外，靠近源极或漏极的区域的纳米片厚度较大，和源极以及漏极的接触面积变大，沟道结构产生的热量能够通过增大的接触面积传导至源极和漏极，加快散热效率，增强散热效果，提高最终制造得到的半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN117374076A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202310511961.8

申请日：2023-05-08

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 殷华湘 ,  赵朋 ,  吴振华 ,  姚佳欣

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种三维堆叠场效应晶体管(3DS FET)及其制造方法。根据实施例，3DS FET可以包括设置在衬底上的下有源区、在下有源区上方的上有源区以及栅堆叠。下有源区包括衬底上沿第一方向延伸的鳍和分别在鳍在第一方向上的相对两端处的下源/漏部。上有源区包括：一个或多个纳米片，其中最下方的纳米片与鳍在相对于衬底的竖直方向上间隔开；以及分别在所述一个或多个纳米片在第一方向上的相对两端处的上源/漏部。栅堆叠在与第一方向相交的第二方向上延伸，以与鳍和所述一个或多个纳米片相交。

公开(公告)号：CN116314281A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310157389.X

申请日：2023-02-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 殷华湘 ,  赵朋 ,  吴振华 ,  张青竹 ,  姚佳欣

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L23/367 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制造方法，包括衬底和设置于衬底一侧的源极、漏极和沟道结构，衬底包括底部鳍片结构，沿着第一方向，底部栅极设置于底部鳍片结构的两侧，底部栅极沿着垂直于衬底所在平面的方向进行延伸并和顶部栅极连接，也就是说，通过在底部鳍片结构周围设置底部栅极，实现利用底部栅极对底部鳍片结构的导电控制，既可以增大半导体器件在开态时的导电电流，也可以降低半导体器件在闭态时的漏电流，此外，由于顶部栅极和底部栅极连接，沟道结构中的热量可以利用顶部栅极和底部栅极传导至衬底中，增强半导体器件的散热效果，提高最终制造得到的半导体器件的性能。