公开(公告)号：CN118486704A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410673681.1

申请日：2024-05-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王鑫华 ,  刘新宇 ,  田野 ,  黄森 ,  魏珂

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/373 ,  H01L29/04 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种半导体复合材料及其制备方法与器件，属于半导体技术领域，用以解决现有GaN器件近结区域散热效率低、晶圆键合引起界面热阻高等问题中的至少一个。本发明设计了一种新结构的半导体复合材料，所述的复合材料通过晶圆键合将斜切衬底层和GaN材料层连接，避免引入缓冲层结构，斜切衬底层与衬底材料轴存在夹角，形成具有转角的斜切衬底层，带有转角的斜切衬底层与GaN材料层通过晶圆键合，可以降低晶圆键合后键合界面的界面热阻能够有效的提高GaN大功率器件散热效率，进而提升其输出功率密度。

公开(公告)号：CN118486704B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410673681.1

申请日：2024-05-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王鑫华 ,  刘新宇 ,  田野 ,  黄森 ,  魏珂

IPC: H10D62/10 ,  H01L23/373 ,  H10D62/40 ,  H10D30/47 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明涉及一种半导体复合材料及其制备方法与器件，属于半导体技术领域，用以解决现有GaN器件近结区域散热效率低、晶圆键合引起界面热阻高等问题中的至少一个。本发明设计了一种新结构的半导体复合材料，所述的复合材料通过晶圆键合将斜切衬底层和GaN材料层连接，避免引入缓冲层结构，斜切衬底层与衬底材料轴存在夹角，形成具有转角的斜切衬底层，带有转角的斜切衬底层与GaN材料层通过晶圆键合，可以降低晶圆键合后键合界面的界面热阻能够有效的提高GaN大功率器件散热效率，进而提升其输出功率密度。

公开(公告)号：CN117971159A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202211340609.4

申请日：2022-10-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王颀 ,  田野 ,  李前辉 ,  何菁 ,  霍宗亮 ,  叶甜春

IPC: G06F7/523 ,  G11C16/26 ,  G11C16/10

Abstract: 本申请提供了一种NAND闪存及存算一体方法、装置、系统、设备和介质，该系统包括：相互连接的页缓存和失败比特数统计电路；页缓存包括存储单元；存储单元用于实现初始数据的乘操作得到乘数据；失败比特数统计电路包括相互连接的电流镜和电流比较器；电流镜用于汇聚实现乘数据的加操作得到乘加数据，电流比较器用于将乘加数据转换为数字信号输出。从而本申请可以利用电流镜实现累加计算操作，且电流镜可以控制单元电流的大小，受噪声干扰少，可以实现在较小的电流下在NAND闪存内完成计算操作，电路开销小，存算一体集成在NAND闪存中，减少了数据在存储和计算过程中的功耗，节约了成本，提升了效率。

公开(公告)号：CN117810064A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202410044805.X

申请日：2024-01-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李红月 ,  王鑫华 ,  刘新宇 ,  黄森 ,  田野 ,  邢湘杰 ,  魏珂

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种Ga2O3/SiC复合衬底及其制备方法，属于半导体器件制造技术领域，解决了现有工艺剥离温度高、剥离时间长的问题。该制备方法包括：从体Ga2O3的表面向内注入离子；将注入离子后的体Ga2O3热退火；重新向体Ga2O3的表面向内注入离子至指定深度；将体Ga2O3的离子注入面与SiC的待键合面进行表面活化处理，之后将体Ga2O3的离子注入面与SiC的待键合面进行键合，得到体Ga2O3/SiC复合材料；对体Ga2O3/SiC复合材料进行高温加固热退火；对体Ga2O3/SiC复合材料进行退火，以实现Ga2O3薄膜从体Ga2O3上剥离；对SiC上Ga2O3薄膜表面进行光滑化。