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公开(公告)号：CN109065704B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201810866682.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种MTJ器件。该MTJ器件包括：重金属层，形成重金属层的材料具有自旋霍尔效应；第一磁性层，设置于重金属层的一侧表面，且第一磁性层具有垂直于重金属层表面的磁各向异性；交换耦合控制层，设置于第一磁性层远离重金属层的一侧表面，用于使第一磁性层与第二磁性层铁磁耦合；第二磁性层，设置于交换耦合控制层远离第一磁性层的一侧表面，第二磁性层具有垂直于重金属层的磁各向异性，且第二磁性层的矫顽力和饱和磁化强度高于第一磁性层的饱和磁化强度。通过使靠近重金属层的第一磁性层具有低于第二磁性层的矫顽力和饱和磁化强度，从而能够使器件的临界反转电流密度大大降低，并且包括第一磁性层和第二磁性层的复合自由层可增强结构的热稳定性。
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公开(公告)号：CN112038483A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010936082.6
申请日：2020-09-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种振荡器及其制造方法，在重金属层上形成有叠层柱，该叠层柱包括由隔离层隔离开的第一磁性层和第二磁性层，该第一磁性层和第二磁性层的磁化方向均位于面内。这样，第一磁性层在重金属层中的自旋轨道转矩作用下可以发生振荡，第二磁性层位于第一磁性层之上，第二磁性层可以在第一磁性层产生杂散场，通过该杂散场可以实现振荡频率的调节。
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公开(公告)号：CN112018231B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010934862.7
申请日：2020-09-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种振荡器及其制造方法，在重金属层的第一表面上形成有第一磁性层，在重金属层第二表面上依次层叠有隔离层和第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层的磁化方向均位于面内。这样，第一磁性层在重金属层中的自旋轨道转矩作用下可以发生振荡，第二磁性层与重金属层由隔离层隔开，第二磁性层在第一磁性层产生杂散场，通过该杂散场可以实现振荡频率的调节。
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公开(公告)号：CN109904309B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201910208579.3
申请日：2019-03-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种多态磁存储器及其制造方法，自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，沿磁阻隧道结一侧注入掺杂离子之后，进行热退火，从而，在自旋轨道耦合层所在平面内、垂直于电流方向上，在磁阻隧道结内的掺杂离子具有浓度的梯度变化，进而，在垂直于电流方向上形成对称性的破坏，当自旋轨道耦合层中通入电流时，无需外加磁场，磁阻随电流线性多态输出，实现多态存储，可以满足神经网络突触的硬件需求，应用至神经网络计算中。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN109904309A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910208579.3
申请日：2019-03-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种多态磁存储器及其制造方法，自旋轨道耦合层上设置有磁阻隧道结，沿磁阻隧道结一侧注入掺杂离子之后，进行热退火，从而，在自旋轨道耦合层所在平面内、垂直于电流方向上，在磁阻隧道结内的掺杂离子具有浓度的梯度变化，进而，在垂直于电流方向上形成对称性的破坏，当自旋轨道耦合层中通入电流时，无需外加磁场，磁阻随电流线性多态输出，实现多态存储，可以满足神经网络突触的硬件需求，应用至神经网络计算中。
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公开(公告)号：CN112018231A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010934862.7
申请日：2020-09-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种振荡器及其制造方法，在重金属层的第一表面上形成有第一磁性层，在重金属层第二表面上依次层叠有隔离层和第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层的磁化方向均位于面内。这样，第一磁性层在重金属层中的自旋轨道转矩作用下可以发生振荡，第二磁性层与重金属层由隔离层隔开，第二磁性层在第一磁性层产生杂散场，通过该杂散场可以实现振荡频率的调节。
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公开(公告)号：CN109065704A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810866682.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种MTJ器件。该MTJ器件包括：重金属层，形成重金属层的材料具有自旋霍尔效应；第一磁性层，设置于重金属层的一侧表面，且第一磁性层具有垂直于重金属层表面的磁各向异性；交换耦合控制层，设置于第一磁性层远离重金属层的一侧表面，用于使第一磁性层与第二磁性层铁磁耦合；第二磁性层，设置于交换耦合控制层远离第一磁性层的一侧表面，第二磁性层具有垂直于重金属层的磁各向异性，且第二磁性层的矫顽力和饱和磁化强度高于第一磁性层的饱和磁化强度。通过使靠近重金属层的第一磁性层具有低于第二磁性层的矫顽力和饱和磁化强度，从而能够使器件的临界反转电流密度大大降低，并且包括第一磁性层和第二磁性层的复合自由层可增强结构的热稳定性。
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