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公开(公告)号：CN103182359A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110448765.8
申请日：2011-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种微波匀胶设备，包括：托盘(10)，安装于腔室内部，用于吸附基片(9)；喷嘴(7)，延伸入腔室内部，用于将去离子水、有机溶剂或光刻胶喷射到基片上；微波发生装置(11)，安装于腔室侧壁，用于产生微波对基片提供热量；温控系统(12)，安装于腔室上壁，用于控制微波发生装置(11)以设定微波加热的功率、频率、时间。依照本发明的微波匀胶设备及其方法，采用微波加热脱水，快速蒸发基片内水分，降低涂胶工艺的时间成本、减小环境污染。此外微波干燥施加的热量是从基片内部逐渐扩散到基片外部，从而减小干燥应力，使薄膜涂层既具有低的孔隙度又有较好的强度，避免干凝胶的开裂。
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公开(公告)号：CN119376182A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411540634.6
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及纳米压印技术领域，尤其是涉及一种高深宽比纳米压印模板的制备方法，包括以下步骤：利用深紫外光刻技术，在光刻胶上形成间距为110‑200nm，宽度为110‑200nm的图形；通过刻蚀工艺，将光刻胶上的图形转移到氧化层上；在已经转移了图形的氧化层上进行氧化层淀积，并通过控制淀积条件和工艺参数，制备得到高深宽比纳米压印模板。本发明通过使用光学曝光刻蚀形成大尺寸图形，再对图形修正的方法，实现了一种高效、精确的高深宽比图形制备方法。该方法在半导体制造、微纳加工等领域具有广泛的应用前景。例如，在半导体制造中，可以利用该方法制备具有高深宽比的晶体管、存储器等器件；在微纳加工中，可以利用该方法制备具有复杂结构的微纳器件和传感器等。
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公开(公告)号：CN201692921U
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201020157245.2
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Inventor： 王燕鹊
Abstract: 本实用新型公开了一种电热式旋转涂覆制备薄膜装置，该装置包括存储罐、喷嘴、腔室和旋转台；其中，旋转台固定于腔室内部，用以固定放置于其上的待涂覆的硅片；存储罐固定于腔室外部，其中存储的胶通过管道以及管道另一端延伸至腔室内部旋转台上方的喷嘴，被滴到硅片的中央。该装置还包括一设置于旋转台内部的加热装置，该加热装置在旋转台的台面下表面有两个接触点，与腔室底部延伸出的接触点接触导通加热装置进行加热。利用本实用新型，减小了干燥应力，避免了干凝胶的开裂。
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