公开(公告)号：CN116092940A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211514669.3

申请日：2022-11-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  广东省大湾区集成电路与系统应用研究院

Inventor： 罗军 ,  孔梦娟 ,  许静 ,  孙祥烈

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种MOS器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅区、源/漏区，并在衬底上的介质层中形成有通孔，通孔暴露出源/漏区的表面；对源/漏区进行掺杂；对掺杂后的源/漏区进行氢气烘烤处理，以使源/漏区表面平整化；在平整化的源/漏区表面形成金属硅化物。本发明能够降低源漏接触电阻。

公开(公告)号：CN115732541A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211515818.8

申请日：2022-11-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗军 ,  孔梦娟 ,  孙祥烈 ,  许静 ,  李俊峰

IPC: H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种MOS器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅区、源/漏区，并在衬底上的介质层中形成有通孔，通孔暴露出源/漏区的表面；对源/漏区进行掺杂；对掺杂后的源/漏区进行预非晶化处理，以使源/漏区表面形成非晶层；使用氧化工艺处理源/漏区，使杂质靠近非晶层实现分凝；去除被氧化的非晶层；在源/漏区表面形成金属硅化物。本发明能够降低源漏接触电阻。