公开(公告)号：CN112103345A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN202011003179.8

申请日：2020-09-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘佳维 ,  陆江 ,  白云 ,  田晓丽 ,  陈宏 ,  汤益丹 ,  杨成樾 ,  刘新宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种SiC功率MOSFET器件，属于半导体器件技术领域，用以解决现有技术中SiC功率MOSFET器件在宇宙诱导的重离子影响下产生局部区域温度过高导致单粒子烧毁效应的问题。上述SiC功率MOSFET器件，包括衬底、层叠于衬底上的漂移层以及位于衬底和漂移层之间多层缓冲层，漂移层、缓冲层和漂移层的掺杂浓度依次递减，沿衬底至漂移层方向，多层缓冲层的掺杂浓度逐渐减小。本发明的SiC功率MOSFET器件可用于模拟电路和数字电路中。

公开(公告)号：CN112103345B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202011003179.8

申请日：2020-09-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘佳维 ,  陆江 ,  白云 ,  田晓丽 ,  陈宏 ,  汤益丹 ,  杨成樾 ,  刘新宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种SiC功率MOSFET器件，属于半导体器件技术领域，用以解决现有技术中SiC功率MOSFET器件在宇宙诱导的重离子影响下产生局部区域温度过高导致单粒子烧毁效应的问题。上述SiC功率MOSFET器件，包括衬底、层叠于衬底上的漂移层以及位于衬底和漂移层之间多层缓冲层，漂移层、缓冲层和漂移层的掺杂浓度依次递减，沿衬底至漂移层方向，多层缓冲层的掺杂浓度逐渐减小。本发明的SiC功率MOSFET器件可用于模拟电路和数字电路中。