一种用于碲化铋基热电器件的阻挡层、碲化铋基热电器件及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119836211A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202411867766.X

    申请日:2024-12-18

    Abstract: 本发明提供了一种用于碲化铋基热电器件的阻挡层、碲化铋基热电器件及其制备方法和应用,涉及热电器件技术领域。所述用于碲化铋基热电器件的阻挡层采用的材料包括NiSbTe3,由于NiSbTe3是Bi2/(Se,Te)3‑NiSbTe3‑Sb2Te3相区的热力学稳定相之一,NiSbTe3在473 K以上温度时,不会与碲化铋热电材料在界面处发生反应生成其它有害杂质相;此外,NiSbTe3本征电阻率低且其与碲化铋线性热膨胀系数相近,烧结制备的阻挡层与碲化铋材料之间具备强结合力和低接触电阻率等优点。采用NiSbTe3阻挡层的碲化铋基热电器件具有优异的热电转换性能和极优异的热稳定性。

    一种La-Fe-Si基磁制冷回热器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118507234A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410418040.1

    申请日:2024-04-09

    Abstract: 本发明提供一种La‑Fe‑Si基磁制冷回热器及其制备方法,涉及磁性材料的制备领域,La‑Fe‑Si基磁制冷回热器包括La‑Fe‑Si基磁制冷回热器块体,块体内设置有多个贯通的微流道,微流道的排列方式选自90°直排、45°错排或60°错排中的一种,且微流道的直径为0.5~1.5mm。本发明还公开了上述La‑Fe‑Si基磁制冷回热器的制备方法,本发明在铸态La‑Fe‑Si基合金中直接机械钻孔,其内部大量韧性α‑Fe相可以避免加工过程中材料破碎,与现有技术相比,机械钻孔方法加工精度高,且不会在流道内表面引入有机污染物或放电重熔区,有利于获得优异的磁热效应。

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