-
公开(公告)号：CN115704084A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110945816.1
申请日：2021-08-17
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C23C14/24 , C23C14/08 , C23C14/58 , C25B1/04 , C25B11/077 , C25B11/087
Abstract: 本发明公开了一种α‑钨酸亚锡薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：在真空条件下使氧化钨薄膜与包含亚锡源的蒸汽流接触反应，从而制得α‑钨酸亚锡薄膜。本发明采用亚锡蒸气法制得α‑钨酸亚锡薄膜的具有优异的光学带隙，能够较好的应用于光电催化、光催化或气体传感器等领域，同时本发明的亚锡蒸气法操作简单，成本低，能够实现大规模的商品化应用。
-
公开(公告)号：CN112441616B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201910807761.0
申请日：2019-08-29
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C01G31/00
Abstract: 本发明公开了一种高结晶性掺杂纳米钒酸铋颗粒及其制备方法。所述高结晶性掺杂纳米钒酸铋颗粒的制备方法包括：使含铋化合物、含钒化合物、作为反应介质的掺杂原子化合物均匀混合，反应形成掺杂钒酸铋前驱体；将所述掺杂钒酸铋前驱体与热稳定性盐混合进行研磨，之后于500～900℃进行退火处理1～2h，获得高结晶性掺杂纳米钒酸铋颗粒。所述高结晶性掺杂纳米钒酸铋颗粒的尺寸小于500nm。较之现有技术，本发明提供的高结晶性掺杂纳米钒酸铋颗粒的制备方法操作简便，晶粒尺寸范围可控，无需球磨即可得到高结晶性掺杂纳米钒酸铋颗粒。
-
公开(公告)号：CN119833591A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411733233.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅碳负极材料及其制备方法和应用，涉及锂离子电池技术领域。硅碳负极材料具有内核和双包覆层，纳米硅和石墨片通过静电作用紧密结合形成所述内核，所述内核的外表面由内到外依次包覆有石墨烯碳包覆层和二氧化钛包覆层。硅碳负极材料的内核中纳米硅和石墨片通过静电作用紧密结合，增强了内核稳定性的同时，也增强了负极材料的导电性；石墨烯碳包覆层和二氧化钛包覆层作为保护壳抑制硅的体积膨胀的同时，也确保纳米硅与石墨片之间形成良好接触，减少了副反应的发生；内核和双层包覆层的协同作用，使硅碳负极材料具有高比容量、良好的循环性能和高容量保持率。其制备方法简单、原料易得、成本低、适合产业化生产。
-
公开(公告)号：CN115125568B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202110323172.2
申请日：2021-03-25
Applicant: 上海大学 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C25B11/091 , C25B11/052 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了一种大面积镍基电催化剂薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用超声雾化的方式，以0.1～2mL/cm2·min的速率将包含镍盐的前驱体溶液施加于基底表面，之后于260℃～400℃发生热解形成大面积镍基电催化剂薄膜；其中，所述超声雾化采用的工艺条件包括：超声雾化装置的超声功率为80～120kHz，所述包含镍盐的前驱体溶液施加于所述基底表面的总量为5～20mL/cm2。本发明制备的大面积镍基电催化剂薄膜的电极电流密度更大，电极面积更大，材料成本低，稳定性强，只含有一种前驱体物质，相对于其他制备方法而言，制备过程更加简便，易于放大至实际的商业化生产中，具有大规模市场化前景。
-
公开(公告)号：CN114527627B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210225965.5
申请日：2022-03-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种无光刻胶制备有机半导体微器件的光刻方法及微器件。所述光刻方法包括：提供有机半导体材料层，并在其上覆设图案化掩模，使其表面的选定区域从图案化掩模中露出；以功能化改性剂与选定区域接触，同时以选定波长的光照射选定区域，从而将选定区域内的有机半导体材料转化为能够被选定溶剂溶解的物质；去除图案化掩模，并以选定溶剂充分清洗经上一步处理后的有机半导体材料层，从而获得图案化的有机半导体材料层。本发明所提供的光刻方法无需使用光刻胶及相应的显影剂和刻蚀剂等，对基底材料不会造成损伤，提高了有机半导体微器件的性能；并且该光刻方法工艺过程简便、可控，能够显著地降低有机半导体微器件的制造成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119750552A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411897611.0
申请日：2024-12-20
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C01B32/15 , H01M4/36 , H01M4/583 , H01M10/054 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种软硬碳复合材料前驱体、软硬碳复合材料及其制备方法与应用。所述软硬碳复合材料前驱体的制备方法包括：使可溶性二酐类物质在强碱溶液中进行充分水解，得到水解溶液；使所述水解溶液与可溶性且具有丰富羟基的有机物混合，并调节所获混合溶液至pH值在4‑7之间，诱导在分子层面靶向自组装，制得软硬碳复合材料前驱体。本发明还对软硬碳复合材料前驱体进行了碳化处理，制得软硬碳复合材料。本发明基于化学键合原理和液相分子间自组装技术制备的软硬碳复合材料具有强烈的协同效应，采用具有丰富羟基且易溶于水的有机物衍生的硬碳不仅提供一定的储存容量而且提升了材料的结构稳定性以及作为钾离子电池负极的循环稳定性。
-
公开(公告)号：CN112717917B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201911040097.8
申请日：2019-10-29
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供一种两步喷雾热解制备钒酸铋薄膜的方法。该方法将包含碘化铵和硝酸铋的混合有机溶液作为前驱体；控制导电基底温度为200℃～400℃，将前驱体溶液雾化后喷涂在导电基底上，控制喷涂速度为0.1～2毫升/平方厘米/分钟，喷涂总量为5～20毫升/平方厘米，形成BiOI薄膜；然后，将含钼掺杂的乙酰丙酮氧钒DMSO混合溶液均匀喷涂在80℃～120℃的BiOI薄膜上，在300℃～500℃煅烧1h～5h，获得钒酸铋薄膜。该方法成本低，简单易操作，能够制成具有纳米结构、大面积、高性能的钒酸铋薄膜，可作为光电催化分解水制氢的光阳极。
-
公开(公告)号：CN114823966A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110132844.1
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296
Abstract: 本发明揭示了一种硫化镉半导体薄膜的界面优化方法及其应用。所述硫化镉半导体薄膜的界面优化方法，包括：将硫化镉半导体薄膜充分浸润于含亚硫酸根离子的溶液中，之后进行热处理，或者，先对所述硫化镉半导体薄膜进行热处理，之后再充分浸润于含亚硫酸根离子的溶液中；以及，将所获硫化镉半导体薄膜于含亚硫酸根离子的溶液中进行光电氧化处理，获得界面优化后的硫化镉半导体薄膜。本发明提供的硫化镉半导体薄膜的界面优化方法，可有效的消除硫化镉半导体薄膜表面上的缺陷及杂相，所得到的硫化镉半导体薄膜具有合适的厚度和理想的表面，因此可获得最佳的光电性能。
-
公开(公告)号：CN112441616A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910807761.0
申请日：2019-08-29
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: C01G31/00
Abstract: 本发明公开了一种高结晶性掺杂纳米钒酸铋颗粒及其制备方法。所述高结晶性掺杂纳米钒酸铋颗粒的制备方法包括：使含铋化合物、含钒化合物、作为反应介质的掺杂原子化合物均匀混合，反应形成掺杂钒酸铋前驱体；将所述掺杂钒酸铋前驱体与热稳定性盐混合进行研磨，之后于500～900℃进行退火处理1～2h，获得高结晶性掺杂纳米钒酸铋颗粒。所述高结晶性掺杂纳米钒酸铋颗粒的尺寸小于500nm。较之现有技术，本发明提供的高结晶性掺杂纳米钒酸铋颗粒的制备方法操作简便，晶粒尺寸范围可控，无需球磨即可得到高结晶性掺杂纳米钒酸铋颗粒。
-
公开(公告)号：CN118062903A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410227434.9
申请日：2024-02-29
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供一种八面体形貌的铜铁氧材料及其制备方法与应用。所述铜铁氧材料为八面体颗粒，它的晶体结构为铜铁矿结构，斜方3R构型，晶胞参数为：a=3.0351Å，b=3.0351Å，c=17.166Å。通过所述制备方法得到的铜铁氧材料展现典型的八面体形貌特征，并且纯度、结晶度较高，具有优异的光电催化性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.029 seconds)
